添加剂的结构对镍电结晶的影响

采用循环伏安法研究了糖精、丁炔二醇和香豆素对镍电结晶过程的影响。无论Wstts 液中含不含上述添加剂,镍的电结晶均同于“不可逆和复杂的”过程,分别由不同的三维成核和晶核生长的动力学所引起。根据 Bosco 和Rangarajan 提出的成核/生长模式进行拟合,发现在不含、只含香豆素和同时含上述三种添加剂的 Watts 液中,电结晶遵循连续成核和生长的机理,而在含糖精,丁炔二醇或两者兼有的镀液中,则按瞬时成核/生长方式进行。还就三种添加剂的结构特征和吸附能力讨论了它们对成核和生长规律的影响。     

柠檬酸钠溶液中镍电结晶机制

采用循环伏安和计时电流法研究柠檬酸钠溶液中镍在玻碳电极上电结晶初期阶段的行为。研究结果表明:镍的电结晶经历了晶核形成过程且符合Scharitker-Hill三维成核/生长机制,在低过电位下,镍结晶按三维连续成核/生长方式进行;在高过电位下,镍结晶遵循瞬时成核/生长机制。沉积过电位增加,成核时间缩短,晶核数密度增大,生长速率增加,在2种成核/生长机制下镍离子的扩散系数分别为(1.63±0.48)×10-7和(1.07±0.09)×10-6cm2/s;柠檬酸钠对镍垂直于基体表面的生长速率有阻碍作用,增大硫酸镍质量浓度对生长速率有一定促进作用,但溶液中柠檬酸钠和硫酸镍质量浓度变化并不改变镍电结晶过程的成核/生长机制。     

某些添加剂对镍在玻璃碳上电结晶的影响

用阶跃电位法研究了光亮镍Watts镀液中添加剂:糖精、丁炔二醇和香豆素,对镍在玻璃碳上沉积初始阶段的影响.结果表明,在不含添加剂的该电解液,镍电结晶的初始阶段按连续成核的三维生长机理进行;分别或同时含有糖精和丁炔二醇时,则按瞬时成核的三维生长机理进行.糖精或丁炔二醇促进成核过程而阻化晶核的生长,这两种添加剂同时存在时则对成核和三维生长都起促进作用;添加香豆素或者同时添加三种添加剂不改变成核和生长的方式,但香豆素对成核过程和晶核生长都起着促进作用,而三种添加剂混用则对成核和生长过程起着阻化作用.本文采用Fleischmann等人郝二建模型.     

Cu(Ⅱ)在谷氨酸根配合物体系中的电沉积行为

采用循环伏安法研究谷氨酸根配合物体系中谷氮酸根离子的稳定性和铜在阴极的电沉积过程,利用线性扫描伏安法求体系的表观活化能、表观传递系数和交换电流密度;计时电流法判断铜在电极上的成核方式.实验结果表明:在扫描电位-1.5～3 V内,谷氨酸钠溶液中仅有水的电解反应,谷氨酸根离子无氧化还原反应,铜在阴极沉秋时为不可逆过程;循环伏安曲线的感抗环说明铜在阴极沉积时经历了电结晶过程;由线性扫描伏安法求得表观活化能为34.065 kJ/mol,表观传递系数为0.360,电流交换密度为0.105 A/m2:铜在不锈钢电极上的成核方式为连续成核.     

Fe-Ni-P合金电沉积机理

采用阴极极化技术和循环伏安技术,研究Fe-Ni-P合金的电化学特性.实验结果表明,Fe-Ni-P合金较Fe-Ni合金有较负的沉积电位,随着镀液pH值的增加,Fe-Ni-P合金的阴极沉积反应速度变小.采用恒电位阶跃技术研究Fe-Ni-P合金的电结晶行为,结果表明,在玻碳电极上,该合金的电结晶过程遵循瞬时成核三维生长模式,且随着过电位的增加,电极表面晶核数增多.     

温度对工业电解液中镍电结晶行为的影响

采用循环伏安曲线、恒电位暂态电流-时间曲线和SEM等方法研究了工业电解液体系下温度对镍电化学行为及镍电沉积层微观组织的影响.结果表明:温度不改变该电解液体系中镍电沉积的形核/长大机理,其形核仍然为瞬时形核方式,生长符合三维瞬时形核生长模式.电解液温度升高,阴极峰峰值电流增大,镍的电结晶几率增加.温度升高镍电结晶初期的活性点并没有持续增加,提高温度会增加电解液的分散能力,电解液中Ni 2+更容易扩散至玻碳电极表面,镍晶粒形核及生长速率增大.当电解液温度为65℃时,镍电沉积层逐渐布满整个玻碳电极表面,沉积层晶粒尺寸均在100nm以下.     

铜在玻璃碳电极上的电化学成核机理

应用动电位扫描法和恒电位阶跃法对硫酸铜体系在玻璃上的电结晶进行了研究。发现铜在该基体上的沉积没有经历UPD过程,测得其临界成核过电位为-0.104V。在本实验条件下,成熟晶核的生长受溶液中Gu~(2+)的扩散所控制,通过分析电位暂态,求出了铜的扩散系数以及不同过电位下的晶核数密度N,并对由连续成核转变为瞬时成核的原因进行了分析。     

钢板/离子液体-Grignard混合溶液体系中电沉积镁的初探

用加有离子液体[Pip14][TFSI]的Grignard溶液(2mol/L BuMgCl/THF)在钢板上电沉积金属镁.通过循环伏安、计时电流曲线、SEM等方法比较了加入[Pip14][TFSI]前后,镁在钢上电沉积行为和镀层形貌的变化.在Grignard试剂中,采用恒电位法得到的镁镀层形貌较为致密均一;而[Pip14][TFSI]增大了镁的沉积电位,使金属镁的结晶向瞬时成核过程过渡,说明[Pip14][TFSI]对电沉积镁会产生显著影响.     

纳米TiO2膜阴极电催化合成丁二酸的研究

采用电化学合成前驱体直接水解法制备纳米TiO2膜修饰电极,通过循环伏安法研究了纳米TiO2膜电极的电化学行为,并使用纳米TiO2膜电极作为阴极在三室离子膜电解槽中电解还原顺丁烯二酸 (cis-butenedioic acid)合成丁二酸(butanedioic acid), 探索了影响电合成丁二酸电流效率的主要因素. 结果表明,纳米TiO2膜电极具有异相电催化行为,纳米膜中的TiⅣ/TiⅢ氧化还原电对作为媒质间接电还原顺丁烯二酸为丁二酸, 电合成丁二酸的一次结晶产品纯度高、电解副反应少、收率和电流效率高,控制阴极电位-0.6 V (vs. SCE), 电流密度6 A/dm2,电解液为1.0 mol/L顺丁烯二酸 1.0 mol/L硫酸溶液, 电流效率达到88%以上.     

电沉积回收氰化尾液中铜和氰化物的研究

采用热力学方法计算了高铜高氰溶液中铜氰络合离子的存在形式,以及溶液中各物质的阴极析出电位和阳极氧化电位.理论分析表明,在本实验条件下,溶液中铜氰络离子主要以Cu(CN)3-4和Cu(CN)2-3的形式存在,且以Cu(CN)3-4的形式为主,温度及pH值对铜氰络合离子的存在形式有明显影响.选用合适的电极材料通过电沉积法对氰化尾液进行处理,结果表明,该方法可以在回收废水中铜的同时有效避免氰化物的分解,铜的电流效率可以达到36%以上,溶液中游离氰根浓度由0.096 mol/L提高到0.316 mol/L.实验证明了采用电沉积法处理高铜高氰氰化尾液的可行性.     

铜(Ⅱ)-2-(5-溴-2-吡啶偶氮)-5-二乙氨基酚络合物吸附波的研究

在pH8．3的NH3－NH4Cl介质中,KSCN存在下铜（Ⅱ）与2－（5－溴－2－吡啶偶氮）－5－二乙氮基酚（5－Br－PADAP）生成络合物,在线性扫描示波极谱仪上于－0．35V（vs．SCE）出现一络合物吸附波。二阶导数峰高与铜（Ⅱ）浓度在7．81×10－9～8．00×10－6mol／L范围内里线性关系,检出限为3．13×10－9mol／L。用多种电化学方法研究了极谱波的性质及电极反应机理,峰电流由中心离子铜（Ⅱ）还原产生。试验了多种离子对峰电流的影响,方法已用于矿样中铜的测定,结果满意。     

电聚合四氨基酞菁金属配合物修饰的碘离子化学传感器

用电化学方法将镍(Ⅱ) -,,,-四氨基酞菁或其它四氨基酞菁金属配合物单体聚合在铂丝电极上，制备成碘离子()的电位型传感器. 具有立体交联大环结构的聚合物膜在酸性溶液中发生质子化作用，使电极对呈现出选择性电位响应，线性范围为 2×10-6 ~ 1×10-1mol/L，检测下限为8×10-7mol/L，斜率为 (56±1) mV/p (20℃). 探讨了该电极的响应机理，用所拟定的方法测定了实际样品中碘的含量.     

Na2SiO3对碱性硫脲溶液选择性溶金的影响

采用电化学方法研究Na2SiO3浓度对碱性硫脲浸金的影响和金及其常见伴生元素银、铜、镍、铁在含有Na2SiO3的碱性硫脲溶液中的电化学行为.研究结果表明:加入Na2SiO3在很大程度上提高了金的溶解电流,Na2SiO3的最佳浓度为0.15mol/L.分析不同电势时lgJ与lgc(Na2SiO3)之间的关系可得:在电势为0.42V时,Na2SiO3对碱性硫脲溶液电化学溶金的促进作用最显著,含Na2SiO3的碱性硫脲溶液对金的溶解具有一定的选择性;在电势为0.58V时溶金效果最佳,金、银、镍和铁的阳极电流密度分别为2.49,1.22,1.03和0.09mA/cm2;而同时加入Na2SiO3和Na2SO3时碱性硫脲溶液选择性溶金的最佳电势负移至0.42V,对金的选择性溶解更为明显,金、银、铜、镍和铁的溶解电流密度依次为3.83,1.13,0.73,0.14和0.09mA/cm2,金的溶解电流密度分别是银、铜、镍和铁的3.4,5.2,27.3和42.6倍.     

微分脉冲极谱法研究稀土离子对乳酸脱氢酶活性的影响

根据前文黄瓜根系伤流液(经La³⁺,Eu³⁺处理)中微量La³⁺,Eu³⁺明显影响氨基酸代谢的结果,用记时电流法研究了稀土对氮同化过程中硝酸还原酶(NR)和谷氨酸脱氢酶(GDH)活性的影响,酶活性的变化以辅酶NADH氧化电流在反应中的衰减速度来表示。用微分脉冲极谱法研究稀土离子对丙酮酸转化为乳酸反应中乳酸脱氢酶(LDH)活性的影响,以反应产物NAD⁺的还原电流的大小表示酶活性的变化。研究结果表明La³⁺在低浓度(<5μmol/L)下对酶活性有微弱的促进作用,其他稀土离子Ce³⁺,Eu³⁺, Dy³⁺,Yb³⁺在浓度稍高时(≥5μmol/L)都显示抑制作用。对比光度法的结果以及反应动力学参数V_max和K_m均证明稀土离子对此体系中LDH活性有抑制作用。     

聚谷氨酸修饰碳糊电极的制备及其对铜离子的测定

 制备了聚谷氨酸修饰碳糊电极,通过循环伏安法和交流阻抗法研究了K₄Fe(CN)₆/K₃Fe(CN)₆在修饰电极上的电化学行为,结果显示碳糊电极修饰聚谷氨酸后,K₄Fe(CN)₆/K₃Fe(CN)₆的氧化还原峰电流变大、交流阻抗变小.采用阳极溶出伏安法将所修饰碳糊电极用于铜离子的检测,在pH=4.50的醋酸-醋酸钠缓冲液中,于-0.20 V 电位下将Cu²⁺还原富集后再进行阳极氧化扫描,在0.14 V处获得一灵敏的铜的溶出峰,峰电流与铜浓度在1.57×10^-8~1.57×10^-5 mol/L的范围内呈良好的线性关系,最低检测限为5.00×10^-9 mol/L.制备的聚谷氨酸修饰碳糊电极成功用于铜离子的测定.     

过氧化氢在室温离子液体掺杂的聚中性红修饰电极上电化学行为研究

通过连续循环伏安法在含3.15×10-4 mol.L-1中性红单体和0.1 mol.L-1[HEMIm][BF4]离子液体的磷酸缓冲溶液中得到离子液体掺杂的中性红修饰电极.将该修饰电极置于磷酸缓冲溶液中可观察到一对氧化还原峰,其阴极峰电位和阳极峰电位分别位于-0.593 9 V和-0.464 9 V(versus SCE).进一步研究发现,该修饰电极的氧化峰对过氧化氢的电化学行为表现出良好的阻抑作用.据此,建立测定过氧化氢的阻抑电化学新方法,线性范围为0-2.73×10-8 mol.L-1,方法检出限为1.11×10-8 mol.L-1.     

镍电解阳极液直接电解净化除铜研究

本文探讨了镍电解阳极液直接进行电解净化除铜处理过程。镍电解阳极液中的ＣＵ２＋离子优先于Ｎｉ２＋离子在镍电极和铜电极上放电还原，其电极过程具有溶液扩散传质步骤控制的动力学规律。在阴极电位不低于－０．５００Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ．）和溶液搅拌条件下，采用多孔镍作阴极在常温下就能使镍电解阳极液的ＣＵ２＋离子浓度降至０．００２ｇ／Ｌ以下，达到深度净化除铜要求。加强溶液搅拌和增大电极面积有利于加快电解净化除铜速度，电解净化除钢产物为９９％以上的金属铜粉。     

Preparation and application of electrochemical barbital sensor based on molecularly imprinting technique

A molecularly imprinted electrochemical sensor was prepared based on poly folic acid(PFA) for rapid detection of barbital(BAR). The PFA membrane was obtained via directly electropolymerization technique on the surface of chemically modified Au electrode(Au/CME) by means of cyclic voltammetry(CV) in the potential range between-0.4 and 1.0 V in phosphate buffer solution(PBS) pH 7.04. The molecularly imprinted polymers(MIP) membrane was synthesized with BAR as template molecules and folic acid(FA) as the functional monomer. The performance and surface feature of the proposed imprinted sensor were investigated using CV, differential pulse voltammetry(DPV), electrochemical impedance spectroscopy(EIS) and scanning electron microscope(SEM). Under the optimized conditions, the peak current decrease(ΔI_p) was proportional to the BAR concentration in the range of 1.00×10~(–7)-1.00×10~(–4) mol/L(R~2=0.998 2) with a detection limit(S/N=3) of 4.65×10~(–8) mol/L. The results indicated that the imprinted sensor exhibited an excellent selectivity for BAR and it was successfully used to determine BAR in real samples with recoveries of 94.7%-106.2% by using the standard addition method.     

酸性铬兰K固体石蜡碳糊修饰电极溶出伏安法测定痕量钴

在pH为8.5,0．2mol／L,氨性缓冲底液中,以酸性铬兰K（ACBK）为修饰剂,固体石蜡为粘合剂,制备了ACBK碳糊修饰电极。在-1．0V电位下富集,将钴以Co－ACBK络合物的形式吸附在电极上,以阳极溶出伏安法制定Co2+,在十0．106V（VS．SCE,以下同）处有灵敏的氧化峰,其一次微分峰电流与Co2+浓度在1．0X10~-12～1．0X10~－5mol／L范围内的负对数呈良好的线性关系,此法的检测下限为5.0X10~13mol／L.     

二苯胺磺酸钠的伏安行为及测定

用循环伏安法研究了二苯胺磺酸钠在碳糊电极(CPE)上的伏安行为.在浓度为1.0mol/L的H2SO4溶液中,二苯胺磺酸钠分别在0.80,0.75和0.40V电位处产生1个氧化峰和2个还原峰,且其氧化过程是受扩散控制的不可逆过程.基于二苯胺磺酸钠的阳极伏安行为,拟定了线性扫描伏安法测定二苯胺磺酸钠的新方法.线性范围为1.0×10-6～1.0×10-4mol/L,检出限为3.0×10-7mol/L.用本法测定了化学试剂中二苯胺磺酸钠的含量.