405nm蓝光高密度光存储实验研究

采用波长为405nm的蓝光半导体激光器和数值孔径为0．65的聚焦物镜,对不同激光功率下CD-RW相变材料的存储特性进行研究．结果表明,在本系统中,CD-RW相变材料记录阈值约为7．5mW,最佳记录功率为9．0mW,最终得到了约500nm的记录线宽．     

Sb掺杂对电纺ZnO纳米纤维的结构与发光性质的影响

Sb掺杂ZnO纳米纤维材料在光电、气敏效应、P型导电等方面具有优异的性质。本文利用静电纺丝方法制备了不同Sb掺杂浓度的ZnO纳米纤维,研究了掺杂对纤维的形貌、结构以及发光性质的影响。发现随着掺杂浓度的提高,纤维的直径增加,晶粒尺寸变大。XRD和Raman的测量表明在掺杂浓度较高的情况下有杂相Zn,Sb2O12的存在。发光测试研究表明,随着掺杂浓度的提高,样品的发光呈现先增强后减弱的变化规律,并且样品发光伴随较强的激光热效应,对于未掺杂样品,由于其直径最小激光的热效应最为显著。     

铅锑复合渣于低温真空蒸发直接制备纳米Sb2O3

以铅锑复合渣为原料,用低温真空蒸发法直接制备纳米Sb2O3.通过XRD、激光粒度仪、SEM和白度仪分别对Sb2O3的结构、形貌、粒度和白度进行表征,探讨温度、残压、时间等对Sb的蒸发率以及Sb2O3的纯度、白度和粒度的影响.研究结果表明：在温度为893 K、残压为250 Pa和时间为2 h的条件下,纳米Sb2O3具有立方晶型,其平均颗粒粒度为72 nm,比表面积为15.5 m^2/g,白度为90.0%,纯度为98.50%.     

用于高密度母盘刻录的二级定位方法

为了满足高密度母盘刻录的需要,对母盘刻录中的二级定位(two-stagepositioning)方法进行了研究,采用了直流电机驱动粗定位和压电陶瓷微型驱动精定位相结合的方式。使用双频激光干涉仪检测精定位工作台的位置,并引入比例增益K估计精定位工作台的位移增量,以估算粗定位工作台位置。对二级定位系统的PID控制方式进行了研究,合理选择了控制参数。仿真实验结果表明,PID控制下的二级定位系统对于10nm的阶跃响应的上升时间为20ms,稳态误差绝对值小于0.1nm,可见采用该二级定位方法的系统有快速的定位响应和很高的定位精度,可以满足高密度母盘刻录的需要。     

甲硫氨酸在Fe3+或In3+掺杂的SnO2:Sb5+电极上的电催化氧化

采用金属离子氯化盐溶胶热分解法制备了Fe3 或In3 掺杂的SnO2:Sb5 电极,并通过线性电位扫描法考察了这种电极材料对甲硫氨酸的电催化氧化性能.根据甲硫氨酸在不同掺杂含量的SnO2:Sb5 (5%)-Fe3 和SnO2:Sb5 (5%)-In3 电极上的电催化氧化情况,确定了Fe3 和In3 离子的最佳掺杂含量分别为0.5%和0.3%.根据扫描速度、甲硫氨酸浓度和转速对甲硫氨酸在Fe3 或In3 掺杂的SnO2:Sb5 电极上的电催化氧化的影响结果可以看出,该电极对甲硫氨酸的电催化氧化性能正比于实验所采用的扫描速度、甲硫氨酸的浓度以及旋转圆盘电极的转速.     

光外差干涉磁盘表面粗糙度测量仪

根据外差干涉计量术的原理,研制了非接触式的光外差干涉磁盘表面粗糙度测量仪.其垂直分辨率小于1nm,横向分辨率为2μm,对标准样板和计算机磁盘表面的测量结果也很令人满意.     

染料激光倍频产生的可调谐模紫外激光

本文报道了一种可调谐紫外激光的实验装置,给出了实验装置上所得实验结果。用N_2激光泵浦染料激光。经KDP晶体倍频,获得了287.5至292.5nm的连续可调紫外激光。对提高输出能量和增强稳定性方面进行了讨论。     

Short-wavelength static optical recording properties of subphthalocyanine thin films

The static optical recording properties of novel bromoboron trinitro-subphthalocyanine (BTN-SubPc) thin films were studied using a self-developed short-wavelength optical disk tester with high NA objective lens. High reflectivity contrast (>30%) was obtained at low writing power (8 mW) and short writing pulsewidth (200 ns) using the Ar⁺ laser (514.5 nm) irradiation. These results demonstrate that subphthalocyanine is not only qualified for red-light recording but also a promising candidate for the recording medium of a green-light DVD-R. The leading edge, just like the falling edge, of the dye’s absorption band can also be used to realize optical disk storage if an appropriate reflector was used. It provides a new clew for double-wavelength writing/reading and choosing short-wavelength recording materials.     

Scalable synthesis of A2S3 （A=Sb, Bi） submicro/nanowires using their powders via solvothermal proceeding

One-dimensional (1D) nanostructural materials of semiconductors are being widely studied due to their unusual opto-electronic properties and potential im-plementation as nanodevices[1―6]. The nanowires of A2S3 (A=Sb, Bi) are one of the most interesting 1…     

赤桉木材微纳米粒子溶出规律的研究

采用单因素试验法,分析赤桉溶出粒子的特征,探索赤桉木材纳米粒子在索氏抽提、超声波抽提、冷冻抽提、激光等离子抽提中的溶出规律。结果表明：（1）回归曲线显示,在索氏抽提过程中,抽出量随赤桉木片抽提时间延长而增大;（2）在索氏苯/醇抽提过程中,以体积分数为评价指标时,溶出的纳米粒子直径主要集中在37.8～106nm,60.27%;以数量分数为评价指标时,溶出的纳米粒子直径主要集中在28.2～91.3nm,83.68%; 4150～5560、4150～5560nm、1110～6440nm的粒子数量极少而无法测试,其体积分数仅分别为0.3％、0.3％、2.6％,但足以对木材渗透产生屏障、对制浆产生树脂障碍;（3）超声波抽提过程中,粒径在28.2～78.8 nm之间的纳米粒子的体积分数为80.1％,粒径在24.4～50.7 nm之间的粒子数占89.0％,而粒径在190～396 nm之间的粒子体积占15.2％,且数量极少;冷冻抽提过程中,粒径在18.2～32.7 nm之间的纳米粒子的体积分数为89.0％,粒径在18.2～28.2 nm之间的粒子数占88.6％,而粒径在220～531 nm之间的粒子体积占4.7％,且数量极少;激光等离子抽提过程中,粒径在11.7～18.2 nm之间的纳米粒子的体积分数为92.3％,粒径在11.7～18.2 nm之间的粒子数占96.5％,而粒径在220～396 nm之间的粒子体积占1.6％,且数量极少。由此可见,超声波、冷冻预处理、激光等离子在抽提中均能降低赤桉木材微纳米粒子的集聚程度,而且还能提高微纳米粒子的溶出量,其中激光等离子抽提效果最好。     

Sb-Se系和Ge-Sb-Te系相变光盘记录介质微观结构及光学性能研究

利用X射线衍射仪 ,分光光度计对Sb Se系和Ge Sb Te系相变光盘记录介质材料非晶态薄膜相变前后结构的变化 ,光学性能进行了系统的研究 ,X射线衍射分析表明 :SbSe非晶态薄膜退火后有Sb的析晶峰 ,SbSe2 有Se的析晶峰 ,符合化学计量比的Sb2 Se3 全部是Sb2 Se3 的共晶峰 .GeSb2 Te4 非晶态薄膜在热退火过仇逐首先形成fcc亚稳相 ,升高退火温度 ,Fcc相转变为稳定的hex相 ,GeSb4 Te4 非晶态薄膜退火后在发生上述变化的同时 ,还有Sb的析晶峰 .分光光度计测试表明 :Sb Se系非晶态的光稳定性很不理想 ,随着波长的改变 ,反射率变化太快 .对于Ge Sb Te系合金 ,在各种波段处 ,两种合金都有较大的反衬度 ,其非晶态的光稳定性也较理想 ,随着波长的改变 ,反射率变化不大     

氧化法制备胶体Sb2O5过程中胶粒的大小及分布

在氧化法制备胶体Ｓｂ２Ｏ３的过程中,分析了影响胶体Ｓｂ２Ｏ５粒径大小和分布的因素。选用适当的稳定剂,可控制胶粒粒径在１００ｎｍ以下,降低反应温度和增大氧化剂用量可使粒径分布均匀,较低的反应温度有利于得到较小粒径的胶粒。     

钨酸铅晶体中掺杂阳离子的计算机模拟

用缺陷化学方法讨论了Nd3 、Th4 、Sb5 掺杂PbWO4(PWO)中可能存在的杂质缺陷模型,用GULP软件计算了不同杂质缺陷的生成能.计算结果表明,Nd3 和Th4 将占据PWO晶体中VP2b-周围的Pb位,对VP2b-的电荷补偿抑制了PWO晶体中420 nm吸收带.Sb5 在高浓度掺杂时将占据PWO晶体中V2O 周围的W位,并由于占据W位所呈现的一价负电性补偿V2O 的正电性,使孤立的铅空位增多,引起350 nm吸收的减弱和420 nm吸收的增强.     

增强可见光透过的铈掺杂ATO透明薄膜研究

采用溶胶-凝胶法与浸渍提拉技术在普通玻璃片上制备出纳米铈掺杂的ATO (Ce/ATO)透明薄膜. 利用XRD、SEM、UV-Vis和FL等测试方法对薄膜的结构与性能进行了表征. 结果表明:Ce/ATO薄膜仍保持四方金红石晶相结构,且铈成功地掺杂到ATO中;薄膜表面光滑平整、结构致密,膜层晶粒分布均匀,晶粒尺寸分布为8-12 nm;与ATO薄膜相比, Ce/ATO薄膜在可见光区的透过率有明显增强, 当Ce掺杂量为1 mol%时,薄膜在440 nm-680 nm的透过率超过了空白玻璃;当Ce掺杂量为3 mol%时,薄膜在440 nm-600 nm的平均透过率达到92%以上.     

光盘机检索特性测试及提高速度精度方法研究

光盘具有存储密度高、寿命长、检索快、抗污染等独特优点,是计算机外部设备中有很强生命力的新产品.因此,开展对光盘驱动器(简称光盘机)高速检索技术的研究,具有重要意义和实用价值.菲利浦公司新产品VP410型光盘驱动器功能齐全,检索速度较快,对该类机型的解剖和改进工作无疑是有价值的,问题是如何做到无损检测以及进一步提高检索速度并保证检索精度.本文以VP410型光盘机为例,介绍了如何用软件方法无损检测径向电机的动态特性及有关参数,并介绍了三种提高检索速度和两种提高检索精度的软件方法.本方法使整机检索速度成倍提高,效果显著.1 检索特性的软件测试方法光盘机在大跨距快速检索时,须靠径向拖板电机驱动.检索中电机速度有无变化、如何变化、对指定帧号是振荡式逼近还是单向性逼近、不同跨距下检索时间各为多少,这些动态特性对研究者十分重要.笔者在充分了解VP410型光盘机各种指令及特点之后,巧妙组合使用有关指令,使光盘机不断改变运动状态,根据响应结果便可得出规律,具体步骤如下:     

偏最小二乘法在火焰原子吸收同时测定Sb,Ni中的应用

用偏最小二乘法校正了火焰原子吸收分析中Ｎｉ２３１．１０ｎｍ对Ｓｂ２３１．１５ｎｍ的吸收线重叠干扰,对合成混合样中Ｓｂ和Ｎｉ含量的同时测定,结果令人满意。     

锂离子电池锑基负极材料的研究进展

综述了锂离子电池锑基负极材料——金属锑簿膜、锑基合金、锑基复合氧化物的研究进展,重点介绍了锑基合金材料的不同制备方法,并阐述了锑基负极材料的研究进展与开发前景。     

模糊开-关控制器的结构分析及其在激光凝固疗法中的应用

提出了一种新颖的时变模糊控制器计算可变开-关信号序列从而达到控制输出要求。模糊开-关控制器在生物医学激光凝固疗法中能有效地解决组织加热的非线性时变特性和810nm二极管激光功率不可调的情况。该模糊控制器的结构被解析地分析并与PD控制器相联系。体外(In vitro)实验结果表明该模糊控制系统在组织温度控制中的优越性能。     

Sb$_{\mathbf 2}$O$_{\mathbf 3}$/Sb 锂离子电池负极材料的制备及电化学性能

以多孔锑 (Sb) 为原料利用微氧化法制备了三氧化二锑/锑 (Sb$_{2}$O$_{3}$/Sb) 复合材料. 首先通过梯度试验确定微氧化温度, 接着通过控制微氧化时长来控制产物中 Sb$_{2}$O$_{3}$ 的含量. 在制备的 Sb$_{2}$O$_{3}$/Sb 复合材料中, Sb 能改善复合物的电子传输能力从而提升倍率性能. Sb$_{2}$O$_{3}$ 提供高容量, 且基于转化反应生成的 Li$_{2}$O 能阻止锑金属的团聚, 提高复合物的循环稳定性. 由于这种协同效应, Sb$_{2}$O$_{3}$/Sb 复合材料在电流密度为 200 mA$\cdot$g$^{-1}$ 时的首次库仑效率为 78.2%, 经过 100 圈循环后容量高达 729.6 mAh$\cdot$g$^{-1}$, 而当电流密度为 10 000 mA$\cdot$g$^{-1}$ 时, 容量仍保持为 203 mAh$\cdot$g$^{-1}$. 对比多孔锑, Sb$_{2}$O$_{3}$/Sb 复合材料的循环和倍率性能均有显著提高.     

激光在半导体技术中的主要应用及进展

简要概述了激光在半导体技术中的主要应用。这些应用大致涵盖激光掺杂、激光退火、激光沉积薄膜、激光引发固相反应和激光光刻等几方面。激光光刻中,选取248nmKrF,193nmArF和157nmF2准分子激光光刻着重进行了探讨。分析了这些激光工艺的现状、特点和最新进展,并对存在的问题和发展趋势作了研究。