半导体气敏陶瓷的研究方法

以SnO2为基体材料的气敏元件为例，总结了半导体气敏陶瓷元件的制备过程和研究方法，分析了掺杂、热处理和表面修饰工艺对气敏元件性能的影响，介绍了气敏元件性能的实验和检测方法。     

2016 SHOW

正2016中国国际热处理展览会时间:2016年10月10日9:30—2016年10月12日16:00地点:上海市浦东龙阳路2345号上海新国际博览中心费用:免费简介:中国国际热处理展览会(简称CIHTE)是由北京海闻展览有限公司联合权威机构打造的品牌展会,北驻京都,南达申城,京沪两地轮回办展,展览展示荟萃世界精品,学术论坛高屋建瓴精彩绝伦,是热处理行业集思广益、改革创新、推动合作的前沿阵地。中国是材料、机械制造大国而非强国,把中国热处理与表层改性技术提升到国际领先水平,拓展热处理技术专业化及细分化应用,是中国实现关键构件制造强国、材料强国和高端机械装备制造强国梦想的必然之路。     

博士生指导教师简介——李佐宜教授

李佐宜(Li Zuoyi),男,汉族,江西南昌人.1933年出生,1957年毕业于清华大学机械系,分配到北京航空材料研究所工作.1973年调入华中工学院.1981年6月至1984年1月以客座研究员身分在日本大阪大学基础工学部从事高密度磁存储薄膜及其应用研究,首次在轻稀土-铁族合金中研制成功Sm-Co非晶垂直磁化膜,开辟了高密度磁记录材料的新系列,受到国际学术界的重视,1983年获日本大阪大学工学博士学位.1986年晋升为教授,1989年被批准为博士生指导教师.现招收电子材料与元件学科硕士生和博士生共23名.1991年进入电子学与通信博士后科研流动站任导师.     

采用H13钢制作铝型材挤压模

从分析日本进口的挤压模材质、性能入手,采用H13(4Cr5MoVSi)钢,并配以适当的冶金生产工艺和热处理(包括表面强化处理),代替原来长期使用的3Cr2W8V模具,使铝型材热挤压模的寿命从原来4t/付提高到12t/付(全厂、全年总平均),接近日本铝材业模具寿命水平,达到国内最高水平。1986年起投入正常使用,每年为北京铝材厂节约模具(材料     

宁波韵升：奏响自己的八音琴

当八音琴响起,你可知道除了美妙的声音,竺韵德曾为了这美妙的音乐“抗战八年”？     

信息变换器

美国和日本已经广泛地在电子学、自动装置、计算机和测量器件中使用压电激活晶体、非晶体和聚合材料。1995年美国工业界制造了价值14亿美元的压电陶瓷元件，2002年美国输出了价值2亿美元的该类元件。美国政府为这个领域的研究每年拨款4亿美元。     

某些氧化物对ZnO-B_2O_3-SiO_2系钝化玻璃性能的影响

本文运用差热分析、X-衍射分析、偏光显微镜和电子显微镜的分析,研究了某些氧化物(SnO_2、Ta_2O_5和PbO)对ZnO-B_2O_3-SiO_2系钝化玻璃在热处理前后性能的影响。认为该系统结晶型钝化玻璃析出的晶相主要是ZnSiO_4、α-Zn_5B_4O_(11)及Zn_3B_2O_6,而且通过热处理可控制和调节玻璃的物化性能。该类玻璃可用作硅元件的钝化材料。     

SnO2薄膜元件的制备及其气敏特性研究

采用溶胶一凝胶法,以氯化锡（ＳｎＣｌ２。）和无水乙醇为反应起始物,经过加热回流、热处理等工艺．制备出了掺硅和锑的氧化锡（ＳｎＯ２）气敏薄膜,并制成了气敏元件．元件性能测试表明．材料对Ｈ２具有较高的灵敏度和选择性、较好的响应一恢复特性和稳定性．     

SnO2薄膜元件的制备及其气敏特性研究

采用溶胶一凝胶法,以氯化锡（ＳｎＣｌ２。）和无水乙醇为反应起始物,经过加热回流、热处理等工艺．制备出了掺硅和锑的氧化锡（ＳｎＯ２）气敏薄膜,并制成了气敏元件．元件性能测试表明．材料对Ｈ２具有较高的灵敏度和选择性、较好的响应一恢复特性和稳定性．     

研究和技术简报应用变参元件的数字控制机床插补装置试制成功

我院数字程序控制机床研究室自1963年开始对一种新型逻辑元件——变参元件在数字控制机床中应用课题进行研究。变参元件是一种铁氧体元件,它可以代替电子管应用在自动控制、远程控制的计算技术设备中。变参元件最先由日本人在1954年发明,并提出具体应用,以后发展很快。日本一些研究单位在1957至1958年间分别完成了第一台应用变参元件的电子计算机,并应用在数字控制机床方面制成了插补装置;以后还推广到其他类型机床数字控制方面。国内个别研究机关曾把这种元件应用于电信通讯用     

电解腐蚀合成铋纳米粉的热氧化性

以块体金属Bi为阳极牺牲材料,通过电化学腐蚀可以控制合成厚度为20～30 nm的准二维金属Bi纳米片,进一步在空气中热处理可以氧化生成Bi2O3.研究结果表明:所得Bi纳米片由于尺寸较小和比表面积较大,其热氧化温度相对于文献报道明显降低;而热处理温度是影响热氧化形成Bi2O3晶体结构的关键因素.     

1-1型OPCM驱动元件的研究

研究了具有压电正交异性特性的片状压电复合材料及其压电正交异性复合材料 (Ortho tropicPiezoelectricCompositeMaterials ,简称OPCM )驱动元件的构造机理、性能 压电正交异性复合材料在相互垂直的两主方向上呈现出明显的压电特性差异 ,作为驱动片 ,片状压电正交异性复合材料在相互垂直的两主方向表现出相反的变形 ,该特性符合一般工程材料的变形规律 它在对结构的形状和位移控制以及在自适应结构中作为驱动元件较之常规的压电驱动材料有其独特的优点 实测表明 :OPCM驱动元件的纵向诱导应变是PZT驱动元件的 1.2 8倍 ,OPCM驱动元件的纵向诱导应变是其横向诱导应变的 1.30倍 ,且方向相反 ,显示出压电正交异性复合材料驱动元件产生横向负向诱导应变的优越效能     

多片离合器恒定及稳态热流分配系数计算方法

建立了多片离合器有限厚摩擦元件在滑摩过程中热流分配系数的有限元计算模型,揭示了热流分配系数随滑摩时间变化并最终达到稳态值的过程.使用解析法获得了单一材料摩擦元件之间热流分配系数保持恒定的临界厚度比条件,通过摩擦元件的材料热导率等效,提出了稳态热流分配系数的计算方法及其解析解,通过与有限元计算结果对比,验证了该解的正确性.研究结果表明:稳态热流分配系数只与摩擦元件的厚度比和材料的热容量有关,与材料的热导率无关.     

我院又一名访日学者回国

我院材料工程系热处理教研室讲师郭景海同志最近回国。他在日本国京都大学工学部金属加工学科学习期间,在导师田村金男教授指导下,两年来对“钢中奥氏体晶粒度和铁素体晶粒度的关系”和“冷却速度对碳素钢晶粒度的     

专利情报

导电发热片一种可用交直流电的导电发热片主要包括包覆层,非金属导电发热元件以及绝缘层,其中包覆层为棉、麻、毛或合成纤维材料制成的纺织片材,导电发热元件是由碳纤维与涤纶纤维合股捻成的非金属线,或是由碳纤维所构成,绝缘层为耐高温耐高压,阻燃性和揉搓性以及抗拉抗弯性好的聚酯胶与聚烯烃类化合物。本专利结构简单,适用范围广,可作为人们生活用品的取暖保温产品。(申请号:93200345.1 CN:2145485Y)     

参加第六届国际材料热处理大会及淬火冷却技术委员会情况介绍

第六届国际材料热处理大会(ICHTM),于1988年9月25日至30日在美国芝加哥举行。会间同时举行世界材料大会(WMC),冶金学会秋季会议(TMS Fall Meeting)和美国金属学会第11届热处理大会(HTC)以及热处理(HTE)和材料应用与服务(MASE)两个大型国际型展览会,是空前规模的世界材料周活动。     

具有压电材料薄板稳定性的有限元法

考虑一均匀各向同性薄板结构,在板面内受面力作用,且在板的上下表面离散分布着压电执行元件。设每块压电片具有相同的材料,且作用相同电压。不考虑压电元件对整体结构刚度的影响;只考虑执行元件对板的逆压电效应,而不考虑板弯曲对执行元件中电场强度的影响。要根据压电材料的逆压电效应,利用三角形三节点单元,用变分原理导出压电结构反平面应力问题位移法的有限元表达式以及在大找度小变形情况下的稳定性有限元特征方程。可利     

YFeO_3复合氧化物半导体材料的制备、掺杂和气敏性能研究

用化学共沉淀法制备了YFeO3 及其掺锌固溶体Y1-xZnxFeO3 气敏材料 ,并对其制备条件、相结构、电导和气敏性能进行了研究 .结果表明 :Fe与Y物质的量比为 1 :1 ,85 0℃以上热处理一定时间可得钙钛矿结构的纯相YFeO3 ;电导测量显示 ,该系列材料呈p型半导体导电行为 ,且固溶体导电优于纯相 .Y0 .94Zn0 .0 6FeO3 电导突变温度40 0℃ ,较纯相YFeO3 低 70℃ ;90 0℃下热处理 4h所得微粉制作的元件对乙醇有较高的灵敏度和较好的选择性 .这种材料可望开发为一类新型酒敏传感器     

铍青铜弹性元件热处理新技术

杭州电子工业学院电子精密机械工程系应用国产QBeMg2-0.1新材料研制的热处理新工艺不久前通过了电子工业部部级鉴定。铍青铜弹性元件是电子、电器设备中的重要组成部分。一直以来依靠进口铍青铜原料制造,尽管如此,由于热处理工艺未能过关,弹性元件的工作性能还是不稳定,寿命达不到预期要求。该系在研究了国产铍青铜相变过程、脱溶机理及微量元素作用的基础上,用国内外4种硬态铍青铜材料(美国C17200、日本BeA-25、国产QHe2、国产QBeMg2-0.1新     

海外成果集锦

海外成果集锦新型磁性材料日本开发出一种新型的高性能磁性材料。这种材料在一定的磁场中有很强的磁化能力，在弱磁场中也容易磁化，这一特性是其它材料所没有的。‘这一材料的制法是用铁·锆·硼非晶合金并添加微量元素后，在摄氏４００～６０Ｏ度的低温中经热处理研制成...