动态应力下功率n-LDMOS器件热载流子退化恢复效应

针对功率n-LDMOS器件在动态应力条件下的热载流子退化恢复效应进行了实验和理论研究.电荷泵实验测试和器件专用计算机辅助软件的仿真分析结果表明,在施加不同的动态应力条件下,功率n-LDMOS器件存在2种主要的热载流子退化机理,即鸟嘴区域的热空穴注入和沟道区域的界面态产生,均有明显的退化恢复效应.对功率n-LDMOS器件施加2个连续3 600 s的不同应力,观察每个阶段结束时刻的CP电流曲线,发现该器件在应力变换期间确实发生了热空穴的退陷阱效应.然后,对功率n-LDMOS器件施加3个连续3 600 s的不同应力,观察每个阶段结束时刻的CP电流曲线,发现器件处于关断阶段时,已产生的界面态存在一定程度的复合.     

MOSFET低温热载流子效应

与常温下相比，低温工作ＭＯＳ器件具有许多优点，但低温热载流子引起的器件蜕变却明显增强，本文简要研究了这种效应，包括低温热载流子的行为和界面态的产生及其对器件特性蜕变的影响，最后，从器件结构和工作条件等方面提出了抑制低温热载流子效应的设计考虑。     

MOSFET器件热载流子效应SPICE模型

为了预测MOSFET器件在热载流子效应影响下的退化情况,建立了一套描述MOSFET器件热载流子效应的可靠性SPICE模型.首先,改进了BSIM3v3模型中的衬底电流模型,将拟合的精确度提高到95%以上.然后,以Hu模型为主要理论依据,结合BSIM3v3模型中各参数的物理意义及其受热载流子效应影响的物理机理,建立了器件各电学参数在直流应力下的退化模型.最后,依据准静态方法将该模型应用于热载流子交流退化模型中.实验数据显示,直流和交流退化模型的仿真结果与实测结果的均方根误差分别为3.8%和4.5%.该模型能准确反映MOSFET器件应力下电学参数的退化情况,且为包含MOSFET器件的电路的性能退化研究提供了模拟依据.     

VLSI中热载流子效应失效的事前评估和器件模拟

ＶＬＳＩ的各种失效现象导致器件可靠性的下降,为作好ＶＬＳＩ可靠性研究的事前评估工作,针对导致ＶＬＳＩ失效机理中热载流子效应作用物理模型的计算和器件模拟。介绍热载流子效应的两个模型的数学处理思想;使用集成电路器件模拟软件ＡＴＬＡＳ模拟了该效应。     

SOI高压器件热载流子退化研究

提出一种可以表征STI型LDMOS器件各个区域界面陷阱密度分布的测试方法——MR-DCIV,利用该方法得到包括LDMOS器件的沟道区、积累区和漂移区在内的LDMOS器件界面陷阱密度在多种热载流子应力条件下的产生退化规律。针对界面陷阱的位置对LDMOS器件电学特性的影响进行分析,结果显示,在最大衬底电流应力模式下,产生的导通电阻退化最为严重,从而揭示不同于传统MOSFET器件导致LDMOS器件热载流子退化的机理。     

热载流子效应对n-MOSFETs可靠性的影响

研究热载流子效应对不同的沟道长度n-MOSFETs退化特性的影响．结果表明，随着器件沟道长度的减小，其跨导退化明显加快，当沟道长度小于1μm时退化加快更显著．这些结果可以用热载流子注入后界面态密度增加来解释．     

MOSFET的热载流子效应及其寿命的评估方法

首先简单地讨论热载流子效应的背景及其物理机制.然后,提出了一种常用的用来推算金属氧化物场效应晶体管的热载流子效应的寿命的模型,Hu模型.在这些研究的基础上,才能更好地研究来削弱MOSFET的热载流子效应及提高MOSFET的热载流子效应的寿命的方法.     

N-LDMOSFET的掺杂分布与热载流子效应

文章从MOSFET热载流子效应角度研究了N-LDMOSFET在不同的区域掺杂浓度条件下器件的最坏热载流子应力条件;在确定的器件工作条件下结合器件仿真结果,分析了在不同掺杂浓度下器件电特性退化的趋势;详细分析了导致器件退化趋势不同的原因,重点讨论了沟道掺杂和漂移区掺杂与器件热载流子效应关系,提出了N-LDNMOS中区域掺杂的优化策略。     

硅栅MOS结构Poly—Si／SiO2界面研究

利用俄歇电子能谱，二次离子质谱等表面分析手段，对硅栅ＭＯＳ结构Ｐｏｌｙ－Ｓｉ／ＳｉＯ２界面进行分析，发现该界面不是突变的，存在着成份过渡区，根据多晶硅薄膜的成核理论，确定该过渡区形成的物理起源，利用Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ隧道发射和“幸运电子”模型，定量分析过渡区对氧化层电导和器件热电子注入效应的影响。     

一种采用全MOS器件补偿温度和沟调效应的电流控制振荡器

本文提出一种全MOS器件补偿温度和沟调效应电流控制振荡器补偿方法,以减小医疗导联系统通信时钟恢复电路的振荡器的震荡频率偏移。与传统的振荡器相比,该振荡器采用全MOS器件设计温度和偏置电流补偿电路,在增强可靠性的情况下降低了温度和沟调效应引起的频率偏移。电路采用.35um标准MOS工艺设计,通过与传统的振荡器性能进行仿真比较,该方法的震荡频率的偏移量得到明显改善。     

MOS表面反型层少子时变效应研究

为深入研究半导体表面过程，主要针对Ｚerbst方程，用数值拟合法，给出脉冲电压作用下ＭＯＳ器件半导体表面耗尽层宽度随时间变化近似解析解，进而得出与实验结果符合较好的表面少子时变关系解析式；分子表面少子时变过程，为表面电荷转移器件的模拟分析提供了有力的工具。     

热水锅炉炉排速度的控制装置与控制系统

本文设计的电磁调速控制装置和直接采用烟气含氧量信号为校正信号的自动控制系统，成功地应用在６Ｔ／ｈ热水锅炉炉排速度的控制上，达到提高锅炉燃烧的经济性和热效率的目的。     

X射线透视对MOS电容性能的影响

MOS电容在计算机电路中有着广泛的应用,受X射线辐射后的平带电压和阀电压的飘移,对计算机性能的稳定有着很大的影响.作者利用SOFRON-1505C型X光机,对3种MOS电容CD130,CE28,CG28受X射线后的平带电压和阀电压的飘移量进行测试和分析,从而分析X射线辐射对MOS电容的影响.     

热锻模表层热影响与磨损形式

本文研究了汽车转向节热锻模型腔表层因热影响所引起的显微组织变化与磨损形式.通过金相观察、扫描电镜分析及显微硬度测定,结果表明模具在高温、巨烈摩擦力及冷热应力的循环作用下,型腔表层出现了两种与原始显微组织不同的白亮层,且在不同的白亮层区域内出现了不同形式的磨损.     

双栅MOS场效应晶体管的短沟道效应

一引言早在1965年就由Ditrick,Mitchell和Dawson等人研制出世界上第一批具有实际应用价值的双栅MOS四极管,也称双栅MOS场效应晶体管,它具有频率高、噪声低、增益可控和工作稳定等特点。关于DG—MOSFET′S在我国正处于开发和研制阶段,笔者虽早已做出管芯并已发了有关文章。但对它的特性和应用还有待进一步深入研究,特别是对它的阈电压和击穿电压等随沟道长度的缩短而降低。这种现象和本质,即所谓短沟道效应,要进行深入研讨,以进一步扩大其应用领域。二短沟道效应 DG—MOSFET′S同SG-MOSFET′S一样,为了提高频率和开关特性,除增大g_(ms)/c_(gs)的比值、减小寄生电容c_(ps)等外,最有效的办法就是减小沟道长度L_1和L_2.当L_1和L_2减小到可以同它的源漏耗尽层厚度相比拟时,也会出现所谓短沟道效应(SCE),即阈电压V_(th)和击穿电压BV随L_1和     

MOS反型层量子化效应的解析计算

根据三角形势场近似，给出了ＭＯＳ反型层波函数的解析表达式，计算了量子化效应作用下反型层电子的空间分布，并与经典理论进行了比较。     

偏振光器件作用效果的Poincare球表示

为更加形象直观地描述全偏光通过偏振光器件后的变换规律,以表示全偏光的Stokes矢量和表示偏振光器件的Mueller矩阵为基础,推导出了入射全偏光分别通过线偏器、旋光器和延迟器（波片）后的Stokes矢量,通过比较入射光偏振态和出射光偏振态在Poincare球上的位置关系,分析了前后偏振态的变换规律,结合数学表示和几何表示在Poincare球上清晰明确地表示出了偏振光器件的作用效果.     

电流加速方法评价SiGe HBT的热载流子效应

利用电流加速方法（FCSAM;E－B结反偏、C－B结正偏应力）对0.35um BiCMOS工艺SiGe HBT的热载流子效应可靠性进行了评价研究。研究结果表明,随应力时间的增加,SiGe HBT电流放大系数逐步退化,相比传统的电压加速退化方法（OCSAM：E－B结反偏）试验,FCSAM显著缩短了实验时间。     

大花细辛叶提取物对小鼠热板致痛的镇痛作用

目的：研究大花细辛叶乙醇提取物的镇痛活性及其镇痛活性组分。方法：通过小鼠热板法,研究大花细辛叶的乙醇提取物以及采用系统溶剂法分离得到的5个组分的镇痛活性。结果：大花细辛叶95％乙醇提取物(500 mg/kg)能提高小鼠痛阈值,正丁醇萃取部分(500 mg/kg)能显著提高痛阈值且优于对照组阿司匹林(200 mg/kg)...