吹塑薄膜厚度检测与厚度控制系统设计

采用电容式厚度传感器对吹塑薄膜厚度进行无接触不问断测量,并通过对挤出机和挤出机头的温度、牵引速度和挤出速度的在线测量和微机PID闭环控制,实现薄膜厚度均匀．     

磁控溅射薄膜的厚度均匀性理论研究

建立了一个磁控溅射模型，在几种特殊情况下，给出了计算机模拟的薄膜厚度三维分布和二维分布，提出了制备大面积薄膜的条件，结果表明：计算机模拟的结果与实验结果和有关 结果一致。     

铁电薄膜电容率与厚度的关系研究

从热力学理论出发，计算了铁电薄膜电容率与厚度的关系，并对所得结果进行了讨论。     

确定薄膜折射率和厚度的波长法

提出一种只需测量垂直入射和斜入射的两条光谱曲线,就能分别确定薄膜的折射率 n(λ)和厚度的方法.该方法在薄膜的消光系数 k~2n~2时适用,精度优于1%.     

薄膜干涉中的半波损失与薄膜厚度

阐述了薄膜干涉中增透膜的增透过程,指出了学生在知识整理中因忽视半波损失而对皂液薄膜厚度产生的错误认识,分析了学生容易出现错误的原因,以引起教学中重视。     

磁控溅射薄膜的厚度均匀性理论研究

建立了一个磁控溅射模型，在几种特殊情况下，给出了计算机模拟的薄膜厚度三维分布和二维分布，提出了制备大面积薄膜的条件．结果表明：计算机模拟的结果与实验结果和有关文献的结果一致．     

用调制光反射方法测量薄膜的厚度

利用调制光反射技术对一系列不同厚度的二氧化硅薄膜进行了测量,在不同调制频率下检测样品的调制光反射相位信号。同时针对实验条件建立了三维理论模型,通过对实验曲线的最小方差拟合,推算出二氧化硅薄膜的厚度。     

测定薄膜厚度的基片X射线衍射法

基于X射线衍射与吸收理论，建立了一种薄膜厚度测量方法，即基片多级衍射法．利用X射线衍射仪测量高速钢表面的TiN薄膜厚度，由于膜下基片的衍射强度较高及衍射峰形良好，可以确保薄膜厚度的测量精度．本法克服了非晶薄膜材料中薄膜衍射信息较差以及存在织构等不利因素所导致测量结果不可靠等问题．     

光纤表面薄膜厚度的测量

表面镀膜的长周期光纤光栅传感器的灵敏度与膜层厚度有很大关系,膜层厚度的控制与测量成为制作高灵敏度镀膜长周期光纤光栅传感器的关键一环,本文讨论了几种镀膜方式及相应的薄膜厚度测量方法。     

椭圆偏振仪测量薄膜厚度和折射率

文章通过对椭偏仪测量原理的分析给出了四区平均消光状态下的计算公式,利用该公式计算在一个周期内的薄膜厚度和折射率结果较好;同时给出了膜厚大于一个周期时的计算方法。     

基于MCGS和MATLAB的薄膜厚度控制系统仿真

以MCGS组态软件和MATLAB为平台,设计和仿真了一个薄膜厚度控制系统。MCGS完成硬件接口的设置、数据的实时采集、人机对话、以动画的方式显示控制系统的运行情况,MATLAB完成PID参数的自动整定,并利用动态数据交换(DDE)技术建立两者间的通讯。仿真结果表明,本控制系统超调量小、响应速度快、自适应能力强,而且操作方便、显示直观,具有较大的应用价值。     

氮化硼薄膜的厚度对场发射特性的影响

利用射频磁控溅射方法, 在n型（100）Si基底上沉积了不同厚度（54~124 nm）的纳米氮化硼（BN）薄膜. 红外光谱分析表明, BN薄膜结构为六角BN（h-BN）相(1 380 cm^-1和780 cm^-1)结构. 在超高真空系统中测量了不 同膜厚的场发射特性, 发现阈值电压随着厚度的增加而增大. 厚度为54 nm的BN薄膜样品阈 值电场为10 V/μm, 当外加电场为23 V/μm时, 最高发射电流为240 μA/cm². BN薄膜场发射F-N曲线表明, 在外加电场作用下, 电子隧穿了BN薄膜表面势垒发射到真空.     

采用EPMA确定微粒表面薄膜厚度的方法研究

本文探讨了一种采用电子微探针（EPMA）技术无损确定微粒表面薄膜厚度的方法.EPMA实验采用蒙特卡洛方法模拟,研究的样品为镀有Ni薄膜的空心玻璃微球和厚的Ni平板.采用蒙特卡洛方法获得了在不同入射电子能量和薄膜厚度情况下的k比例因子,空心玻璃微球上的Ni薄膜厚度可由k比例因子曲线得到,并讨论了误差等问题.     

几种常用光学方法测量薄膜厚度设计

随着科技的进步和精密仪器的应用,薄膜厚度的测量方法层出不穷,准确测量薄膜的厚度和光学常数在薄膜的制备和应用中起着关键的作用,直接关系到该薄膜材料能否正常工作。本文通过对薄膜的光学测量方法进行归类,列举其中一些测量方法在教学中的应用。     

利用牛顿环干涉条纹测定薄膜厚度

牛顿环实验是大学物理实验中的一个基本实验,目前的实验只是用于测透镜曲率半径。本文对牛顿环实验进行拓展,根据实验原理推导出两个用于测定薄膜厚度的理论公式,并对公式进行了理论分析。     

几种常用光学方法测量薄膜厚度设计

随着科技的进步和精密仪器的应用,薄膜厚度的测量方法层出不穷,准确测量薄膜的厚度和光学常数在薄膜的制备和应用中起着关键的作用,直接关系到该薄膜材料能否正常工作。本文通过对薄膜的光学测量方法进行归类,列举其中一些测量方法在教学中的应用。     

用干涉显微镜测量薄膜厚度的分析

分析了国产６ＪＡ型干涉显微镜测量薄膜厚度所产生的误差，给出了修正系数及实验结果     

聚苯胺薄膜厚度的表征及原位生长

以石英基片为衬底,分别在常压0.1MPa和500MPa高压条件下采用原位聚合法制备聚苯胺(PANI)薄膜.通过对PANI薄膜的厚度进行原子力显微镜的直接测量和光谱的间接表征,建立了薄膜厚度df (nm) 与薄膜UV-Vis吸收光谱中400 nm处吸收强度A400间的关系: df = 548A400(0.1MPa)及df=341A400(500MPa).根据这一关系进一步测量了薄膜的生长曲线,并通过扫描电镜(SEM)形貌观测和电导率测试,研究了原位聚合PANI薄膜在不同合成压力下的生长及导电特性.     

基于反射光谱的InxGa1-xN半导体薄膜厚度测量

氮化镓薄膜是制造蓝紫光光电子器件的理想半导体材料之一。三元合金InGaN薄膜是优良的全光谱材料而且不同In组分的InGaN薄膜叠层可用于研制高效率薄膜太阳电池。精确测量InGaN薄膜的厚度有利于研制高效率的光伏器件。本文利用分光光度计实验研究了蓝宝石衬底金属有机物化学气相沉积（MOCVD）技术生长的铟镓氮（InGaN）半导体薄膜的反射光谱。基于薄膜干涉原理,计算分析了InxGa1-xN薄膜的厚度;结果发现利用反射光谱中不同波峰、波谷确定的薄膜厚度相对偏差度的平均值为4．42％。结果表明用反射光谱的方法测量InxGa1-xN薄膜的厚度是可行的。