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利用高温高压合成的立方氮化硼单晶材料,采用恒浓度高温扩散方法制备n型立方氮化硼半导体材料。通过化学气相沉积方法在n型立方氮化硼上外延生长p型金刚石薄膜。在基础上,通过欧姆接触电极的制作,制备出金刚石薄膜/立方氮化硼异质pn结,并给出pn结的伏安特性曲线。 相似文献
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在压力为4.5—6.0GPa,温度为1500—1900℃的条件下.采用六角氮化硼为原料,选用特定触媒.控制生长条件,台成出高纯片状立方氮化硼单晶.用扫描电镜研究了单晶的生长特点,通过对其振动光谱的测试分析了其内部的微观结构特征. 相似文献
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运用Baker—Venkataraman重排法,合成黄酮化合物2-苯基苯并吡喃酮.这一实验合成路线成熟,产品易于纯化,产物收率高. 相似文献
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本文合成了八种未见报道的2:18系列钼磷稀土杂多化合物,它们的通式为Ln_2[P_2Mo_(18)O_(62)]·nH_2O其中Ln为La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb和Dy。用差热——热重分析、紫外光谱、红外光谱,拉曼光谱和X——射线粉末衍射对这些化合物进行了表征,通过结构分析确认其结构。研究结果表明它们的杂多阴离子具有Dawson结沟,而稀土元素位于杂多阴离子的外界。本文还用循环伏安法对这些化合物的氧化还原性进行了初步探讨。 相似文献
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本文研究了十六个未见文献报道的四元稀土杂多化合物的合成方法。通过元素分析和差热热重分析确定了它们的化学组成。用 IR、uv 光谱和x-射线粉末衍射对这些化合物进行了表证。结果表明它们的杂多阴离子具有Keggin 结构,而稀土元素位于杂多阴离子的外界. 相似文献
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郭丽华 《哈尔滨师范大学自然科学学报》2005,21(3):68-72
本文从阶结构与化学结构两方面论述了石墨层间化合物的结构特征;按插入剂的状态论述了石墨层间化合物的合成方法;同时阐述了石墨层间化合物的应用前景. 相似文献
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综述了具有抗癌活性的铂配合物,二烃基锡衍生物,有机锗化合物,茂钛衍生物及稀土配合物近年来的研究进展,包括化合物的结构类型以及抗癌作用机制等。 相似文献
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AMPS-AA-MAn三元聚合物的合成及性能研究 总被引:4,自引:0,他引:4
本文以水为溶剂,将丙烯酸(AA),马来酸酐(MAn),2-丙烯酰氨基-2-甲基丙磺酸(AMPS)按一定的单体物质的量进行共聚,经红外光谱证实了共聚反应的有效性,同时利用静态阻垢法探讨了共聚物的阻垢性能。结果表明,AMPS-AA-MAn三元共聚物是性能良好的阻垢分散剂。 相似文献
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首次合成了β1-K4(HGly)2[SiW11Ni(H2O)O39].8H2O,这一Keggin结构镍单取代杂多钨硅酸盐甘氨酸超分子化合物,用元素分析,IR,UV,X-射线粉末衍射等方法对其进行了表征.结果表明:甘氨酸阳离子(HGly+)与杂多阴离子以静电作用形式相结合,超分子化合物中仍保持有杂多阴离子的Keggin结构以及甘氨酸的基本结构. 相似文献
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根据半经验MO计算结果,讨论了硫氮环S2N2和S3N3^-与过渡金属形成的夹心化合物的稳定构象及电子结构与稳定性的关系。S2N2环形成的Ti(S2N2)2是D2对称性的交叉式稳定,而S3N3^-环形成的Cr(S3N3^-)2是D3d对称性的反重迭式稳定。轨道相互作用分析表明,硫原子d轨道对于夹心化合物的形成起着重要作用。 相似文献
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h-BN-Cu夹层化合物的量子化学研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文用量子化学从头算方法,在6-31G^*基组水平上对h-BN-Cu进行了几何全优化,得到了与实验一致的结构参数。然后利用优化几何,在3-21G^*基组水平上对h-BN-Cu夹层化合物的结构单元作了单点计算。从层间距,原子净电荷,稳定化能,Mulliken重叠布居的角度定量分析了h-BN-Cu夹层化合物的结构特点,结果表明h-BN-Cu夹层化合物中Cu与h-BN间键很弱,在外界作用下Cu很容易离去 相似文献
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杂多阴离子柱撑水滑石类层柱状化合物的合成与表征 总被引:1,自引:0,他引:1
以硝酸根型水滑石做交换前驱体,采用离子交换法合成了过滤金属离子三元取代硅钨杂多阴离子柱撑水滑石M2Al(OH)6-SiW9Z3(H2O)3O37(M=Mg^2, Zn^2+,Ni^2+,Z=Cu^2+,Co^2+)。用元素分析,XRD,IR,UV-DRS和DTA等手段对产物的组成和结构进行了表征。结果表明,杂多阴离子引入水滑石层间后,水滑石的层间距从0.92nm增大到1.47nm;提高了支撑材料的热 相似文献