新颖的毫米波频段鳍线O—II移相器

作者通过网络反射参数的推导，得出实现移相器的条件。通过反向按装二极管得到带宽大于５ＧＨｚ，插损小于２．５ｄＢ的移相器。     

基于差动电路结构的多级串联式数控移相器实现研究

移相器是无线通信系统和相控阵雷达接收机中的关键组件，用来实现信号相位的改变与均衡。提出了一种基于差动电路结构和RC元件的数控移相单元，该移相单元通过扫描脉冲控制差分对管轮流导通获取输出信号的相位差，改变RC元件参数可以调整移相数值。利用提出的数控移相单元构建了八级串联模型，实现了一种360°串联式数控移相器。Multisim软件仿真验证了数控移相单元设计的有效性，硬件实现测试结果表明：设计的多级串联式数控移相器工作良好，移相精度高，可达1.4°，实现了全周期范围内的相移控制。该数控移相器的实现为适时、灵活校准接收系统相位误差提供了重要的技术支撑。     

基于光纤的矢量和微波光子移相器研究

针对相控阵天线中几种微波光子移相器的实现方法进行了分析比较,重点对基于光纤的微波光子移相器原理进行研究,并在此基础上设计了实现方案,通过引入光可调定向耦合器和保偏光纤,降低了移相器的复杂性和相干干涉损耗,增强了移相器的可控性。并对光纤精度控制进行了分析,最后给出了基于4路保偏光纤的0°-360°移相器方案。该方案易于实现且有一定的新颖性。     

相控阵雷达波控系统移相器位数的选取

使用微分求导法,得出相控阵雷达波束跃度,并通过其与相控阵雷达移相器的阵内移相量和半功率点波束宽度之间的关系,提出了一种移相器位数选取的标准,通过取不同的移相器位数对相控阵雷达波束覆盖程度的影响和仿真其雷达波束扫描方向图进行比较,验证了其合理性和适用性。     

微波移相器主体类型分析与铁电移相器电路设计研究进展

移相器作为一种可调控导引波输出信号相位的功能性器件,被广泛应用于波束形成网络、相位调制器、相控阵天线等电子、雷达、通信系统并对相关系统性能的优劣有着最直接的影响。因此设计出满足未来发展需求的,兼具高性能、稳定性、小型化、低成本的实用化微波移相器对于微波技术的发展至关重要。为解决当前技术所面临的发展瓶颈,实现相关技术革新,需从整体上分析各类移相器的技术概况、优劣势与发展现状,精确梳理移相器未来发展趋势,更好地将相关领域学术研究的最新进展融入移相器的设计。基于以上目标,对移相器的发展进行了较为系统的总结,分别介绍了铁氧体移相器、PIN二极管移相器、MEMS移相器、铁电移相器的移相原理与性能指标,重点分析了基于BST铁电材料移相器的微波电路设计,并结合相关技术趋势对BST铁电移相器的发展做出了一定的展望。     

基于缺陷地慢波传输线结构的液晶移相器设计

为了实现低插损、大相位覆盖范围的加载缺陷地结构(DGS)的微带线液晶移相器,利用 HFSS仿真软件对 DGS微带线液晶移相器进行建模和仿真,通过改变DGS的形状来改变单个移相单元的色散特性,提升单个单元的移相能力,从而减少移相单元的使用数量,降低移相器传输线整体插损。以哑铃型DGS的液晶微带线移相器作为参考标准,比较了5种形状的DGS(哑铃型、减少DGS面积、一阶分形、三角形、交叉型)的移相能力和插损差异。仿真结果表明:下一阶分形和交叉型DGS微带线液晶移相器移相能力较好,最后对不同介电常数的移相器进行仿具观察其S 参数和移相能力,进一步验证了这一结果。     

射频分布式MEMS移相器Bragg频率的研究

详细讨论了Bragg频率产生的原因及其分析方法，并依据微波网络理论对不同结构参数MEMS移相器的Bragg频率进行了分析比较.计算结果表明Bragg频率随共平面波导信号线宽度增大、随微桥周期间距增大而降低.对特征阻抗50 Ω、周期间距300 μm、中心信号线宽度分别为50 μm和100 μm的MEMS移相器，Bragg频率相应为38.1 GHz和27.6 GHz；对中心信号线宽度为100 μm的移相器，当周期间距增加为567 μm时，Bragg频率进一步下降到19.6 GHz.对Bragg频率的研究为分布式MEMS移相器优化设计提供了重要依据.     

一种新型X波段5bit本振移相器设计

设计了一种应用于X波段本振移相的新型矢量合成移相器,该新型矢量合成移相器主要由4个3bit的子移相器组成,可以实现5bit的移相精度.该移相器降低了对可变增益放大器(Variable Gain Amplifier,VGA)的精度要求.可变增益放大器的可变增益通过一组开关控制增益单元来实现,从而避免了传统正交矢量合成移相器中VGA偏置电流改变造成的线性度波动和漏源波动问题,故应用于本振移相时可以实现较小的移相增益误差和相位误差.为了验证该移相器的本振移相性能,设计了一个混频器作为测试电路.本设计采用0.13μm CMOS工艺实现,电源电压为1.2V.测试结果表明,在9~12GHz内,混频器在本振移相器驱动下的平均转换增益为-0.5~7dB,移相器的移相精度为5bit,均方根增益误差最大值为0.8dB,均方根相位误差最大值为4°.直流功耗为40mW.     

C波段程控移相器的研制

程控移相器广泛应用于微波系统中,在导弹仿真系统中应用尤为广泛,它的准确性、延迟性直接关系到整个导弹仿真系统的仿真结果,C波段程控移相器就是为此目的而设计的。程控移相器用程序控制移相器的偏置电路,运行程序可迅速地得到所需的相度数。移相器设计时注意了线性度的补偿。测试结果表明,该移相器比普通电控移相器延迟小,准确度高,线性良好。     

一种用于TD-LTE电调智能天线的宽频移相器

针对TD-LTE系统中对电调智能天线的性能受移相器制约的问题,提出一种用于TD-LTE电调智能天线的宽频移相器。该移相器通过介质滑动来改变相位,通过局部阻抗匹配保证介质滑动过程中各支路阻抗的小幅波动,实现稳定的功率分配。仿真和实测结果表明,该移相器可同时工作在F（1880 MHz-1920 MHz）, A（2010 MHz-2025 MHz）,D（2555 MHz-2635 MHz）3个频段,电压驻波比（voltage standing wave ratio, VSWR）小于1.2,传输系数波动不超过±1dB,在最大相移时,相位离散性小于10%。     

180度反射式电控移相器的设计与仿真

本文介绍了反射式电控移相器的基本原理及优化设计方法，并对180度反射式模拟电控移相器进行了设计和仿真。仿真结果表明此设计的电控线性度较好，插入损耗最大波动仅为0．39dB。     

基于RF MEMS开关的移相器设计

传统电子移相器由于损耗问题难以向更高频率发展,射频微机电系统(RF MEMS)技术的出现使其得以替代半导体开关来设计更高频率的移相器.利用具有优异RF性能的串联电阻式RFMEMS开关来进行开关线式移相器设计,通过开关切换不同的信号延迟通路,以实现从0°-180°步进22.5°的相移功能.仿真结果表明,该移相器在5.8 GHz时,插入损耗在-0.3--0.7 dB变化,输入回损低于-20 dB,相移功能正确.     

某型微波着陆设备移相器故障诊断方法研究

针对某型微波着陆设备测试性校准时间较长,影响移相器故障诊断效率的问题,基于相控阵天线相位校准原理,通过对扫描天线阵列参数获取方法以及移相器故障诊断流程的分析,采用相位控制赋形算法计算出了扫描天线固定指向时各阵元支路的最优相移值。由于相位控制赋型算法通过测量辐射功率来调整闭合等式的权值,并且在进行每次相位寻优时都将前一次量化引入的误差计算其中,因此经过少量迭代就可得到移相器的阵列参数,缩短了测试性校准时间,进而用测试性校准所得的阵列参数与工作性校准后存入天线控制器RAM中的阵列参数相比较,快速对移相器进行故障诊断。最后通过仿真验证了该方法的可行性。     

K波段CMOS反射负载型无源移相器

研究应用于K波段相控阵收发系统的差分反射负载型无源移相器的设计方法.基于TSMC 90 nm CMOS工艺实现了一个5 bit移相器,其反射负载由电感和变容二极管并联组成.测试结果表明,该移相器的移相误差在23~25 GHz频带内小于6°,在22~26 GHz频带内小于15°.又基于相同工艺提出了一个改进的6 bit移相器,采用品质因数相对较高的叉指电容阵列替代传统的变容二极管,通过开关控制实现电容值的改变.仿真结果表明,改进版移相器的移相误差在23~25 GHz频带内小于4°,在22~26 GHz频带内小于8°.      

移相器在暂态稳定中的应用与动模实验研究

介绍了移相器用于电力系统暂态稳定控制的基本原理，提出了相应的安全综合控制方法，针对现有动模实验条件，设计了相应的动态模拟实验。理论分析和实验表明，当电力系统遭受大扰动时，采用正确的方法控制移相器的行为，不仅可以大大提高电力系统暂态过程中初摆的稳定性，而且可以对后续的振荡提供很好的阻尼。     

精密OTA—C有源移相器的设计

本提出了一种由跨导运算放大器和电容实现的精密移相器。它能使正弦信号在中心频率Ｆ０处，产生－９０°相移，增益为１／２。在ｆ０±１０％范围内，最大相移偏差为±０．１３°，增益最大偏差为±０．００８。移相器的中心频率ｆ０可由ＯＴＡ外控电流调节。由于电路中无电元件，特别适合于单片集成。本详细地分析了ＯＴＡ性能参数对移相器性能的影响，电路的计算机模拟结果与理论分析完全相符。     

BST铁电薄膜移相器应用于天线阵的研究

采用共面波导型钛酸锶钡(BST)铁电薄膜移相器作为工作于16 GHz的1×4微带贴片天线阵的移相单元,利用全波电磁仿真软件,对加载BST铁电薄膜移相器的天线阵进行建模、仿真和优化.研究结果表明: 加载BST铁电薄膜移相器的天线阵辐射方向可随铁电薄膜介电常数的变化而发生显著的改变,通过改变BST铁电薄膜的介电常数,实现了天线阵辐射方向性±10°转向及相控天线阵的移相特性.     

移相器在暂态稳定中的应用与动模实验研究

介绍了移相器用于电力系统暂态稳定控制的基本原理，提出了相应的安全综合控制方法，针对现有动模实验条件，设计了相应的动态模拟实验．理论分析和实验表明，当电力系统遭受大扰动时，采用正确的方法控制移相器的行为，不仅可以大大提高电力系统暂态过程中初摆的稳定性，而且可以对后续的振荡提供很好的阻尼     

卫通的数字移相电路设计与建模

相控阵天线利用移相器改变波束指向使其对准卫星,同时完成信息交换。每个天线阵列都要使用移相器来完成波束扫描,因此移相器的参数指标,对整个相控阵系统至关重要。设计了一款适用于大S相控阵天线的六位数字移相电路,此电路由六个相移单元级联得到,小相位与大相位分别采用加载线单元与开关线单元实现。通过ADS对移相单元建模与优化,最后得出:在1.995GHz-2.185GHz频段里,中心频点处相移差低于0.6°,插损低于1.35dB,驻波比优于1.45,仿真数据显示,此研究达到大S天线进行波束扫描的移相器的要求。     

精密OTA－C有源移相器的设计

本文提出了一种由跨导运算放大器（ＯＴＡ）和电容（Ｃ）实现的精密移相器。它能使正弦信号在中心频率ｆ０处，产生－９０°相移，增益为１／２。在ｆ０±１０％范围内，最大相移偏差为±０．１３°，增益最大偏差为±０．００８。移相器的中心频率ｆ０可由ＯＴＡ外控电流调节。由于电路中无电阻元件，特别适合于单片集成。本文详细地分析了ＯＴＡ性能参数对移相器性能的影响，电路的计算机模拟结果与理论分析完全相符。