DKDP晶体的固-固生长

本文描述 DKDP 晶体的固一回生长现象。它可以在四方母体上发生,也可以在单斜母体上发生。固一固生长过程与母相晶体的对称性有关,与周围的介质无关。测量了不同温度下的生长速度,对固一固生长的机制进行了讨论。     

一种固相中生长尿素晶体的新方法

尿素晶体的生长方法种类较多,多是在溶液中进行.本文介绍了一种固相中生长尿素晶体的新方法,以固体化肥颗粒作为载体,腐植酸、蘑菇渣提供生长环境,在溶剂辅助的作用下,室温生长得到针状尿素晶体.在晶体生长过程中,环境通过提供微通道、化学吸附与物理吸附等作用,促进了尿素晶体的形成,溶剂的挥发为晶体生长提供了伸展向颗粒表面的牵引力,最终晶体在固相中沿着孔径生长.得到的晶体最长约为1.5 cm,平均长度在2 mm~3 mm之间.     

籽晶法生长五磷酸镧钕大晶体

本文报导籽晶法生长五磷酸镧钕大晶体的过程。测定了生长过程中的出水量——焦磷酸浓度曲线,设计的生长装置能有效地控制溶液中水的蒸发速率,从稀土氧化物与磷酸溶液中生长出外形完整、光学均匀性好的五磷酸镧钕大晶体,其尺寸为36.6×27.2×15.2mm。通过大量实验,获得了用籽晶法生长大晶体的良好条件。在室温下用不同泵浦方式均能使晶体实现激光运转,其结果与文献报导数据相符。     

富勒烯晶体的液相生长和形貌

进行了不同条件下富勒烯晶体的液相生长，探讨了它的生长过程，分析了生长富质量晶体的条件，获得了宏观量级的单晶；用扫描电镜研究了所出现的各种形貌，并用透射电镜分析了晶体的结构，有完整无缺陷的单晶生成。     

球状晶核生长控制方程及边界生长速度分析

近些年来,许多学者都在研究晶体花样如何形成及其生长速度的理论,由于控制这一动力学过程的数学模型的复杂性使得定量研究这一自然现象非常困难,本文建立了描述这一过程的拟稳数学模型,得出与前人相同的结果。并对晶体存在拟稳生长解进行分析从而有助于从本质上认识这一现象。     

金红石(TiO2)单晶体的生长研究

通过对比晶体在不同气氛中生长与退火的结果,研究了焰熔法生长金红石单晶体的工艺条件·结果表明:炉膛气氛是决定晶体能否形成的关键因素,在合适的气氛条件下,晶体易于生长,生长速度范围较宽,可以长成较大尺寸的单晶体,否则,依赖调整(增加或降低)生长速度,不能形成完整的晶体·炉膛气氛中的氧分压大于液固界面(即生长界面)处熔体的氧离解压是生长完整晶体的前提条件;晶体在退火过程中消除热应力,但更重要的是氧化反应,消除氧空位,在氧气氛中退火,可明显缩短退火时间,并能获得呈透明状,微有浅黄色(金红石本色)的金红石单晶体·     

X射线分光晶体TAP生长动力学

采用静态体现显微法测量在饱和点为３２２．１５Ｋ下水溶液中ＴＡＰ晶体各显露面的生长速率Ｒ，然后将实验数据用电子计算机归纳出Ｒ与σ的关系。用ＢＣＦ面扩散模型对生长机理进行了探讨，认为ＴＡＰ晶体的水溶液生长机制是面扩散起主导作用。     

LiTaO_3单晶的层向生长机制

对 LiTaO_3单晶的生长机制进行了理论分析。根据提拉法生长条件下的温度分布,预料该晶体的主要生长机制是层向生长,并得到了实验证实。讨论了晶体生长的过程和机制后指出,凡是提拉法生长条件下表面出现生长棱的晶体,均具有层向生长机制。     

大直径钽酸锂单晶生长研究

本文研究并确定了从铂坩埚中生长大直径钽酸锂单晶的工艺及其单疇化条件;介绍了晶体与器件的性能;讨论了晶体提高质量、降低成本的途径。     

硬脂酸单分子膜诱导下草酸钙晶体的生长

采用扫描电子显微镜(SEM),对比研究了硬脂酸(SA)单分子膜存在下的膜/液界面,无膜时的气/液界面以及在本体溶液中草酸钙晶体的生长规律.发现在没有单分子膜的气/液界面,草酸钙晶体呈无序生长,且与本体溶液中生长的草酸钙晶体具有相同的叉生晶型;而在有SA单分子膜存在下的膜/液界面,草酸钙晶体变为有序的孪生晶型;尿大分子硫酸软骨素A(C4S)抑制膜/液界面草酸钙晶体(101)晶面的二维生长,促使草酸钙形成薄片状晶体.     

用凝胶法生长KClO4晶体

凝胶法是生长KClO4晶体最合适的方法．实验研究了反应物浓度、凝胶密度、温度、凝胶pH值对KClO4晶体成核数目、大小、形状及质量的影响，得出了生长较大尺寸、完整性好、高质量的KClO4晶体的最佳条件和参数．第一次对KClO4晶体形态、各晶面的显露程度进行定量分析，实验与理论分析相符合．证实了Hartman和Perdok的PBC理论．研究结果为下一步进行晶体生长机理研究打下了基础．     

锂掺杂TGS晶体的生长及性质之研究

本文对锂掺杂TGS晶体——LTGS的生长及其介电与热释电性质进行了研究.晶体在含锂的TGS溶液中用缓慢降温法进行生长.文中报导了具有不同锂含量的LTGS晶体的生长形状及电畴结构;报导了在很宽的温度及频率范围内对介电系数、损耗角正切、热释电系数及极化强度的测量.最后,由电滞回线上观察到自偏置场效应.     

酸碱度对蒸发法生长氯化钠晶体的影响

透明氯化钠晶体具有环保、稳定、易获取、易加工、易消除等特点,在现代工业、激光、医疗等方面有非常重要的应用基础.文章研究了酸碱度对蒸发法生长氯化钠晶体的影响,结果表明:NaCl晶体的生长不仅依赖于蒸发温度,同时对酸碱度也非常敏感.通过对获得最佳晶体的实验条件总结发现,碱性环境更有利于NaCl晶体的生长,同时蒸发温度越高,要求的pH值也越高.现阶段实验所生长出的晶体中最大尺寸能达到长约12.50mm,体积360mm~3.     

对接籽晶法生长鄰苯二甲酸氢铊单晶体

本文介绍了一种按晶体点阵匹配的原则将两块邻笨二甲酸氢铊单晶体对接起来作为生长籽晶的方法．并对用这种对接籽晶培养出来的晶体进行了质量检测．包括：是否单晶的鉴别、（００１）面位错密度的观察和晶体在电子探针谱仪上应用参数的测量，检测结果表明对接籽晶生长的邻苯二甲酸氢铊晶体和用完整籽晶生长的邻苯二甲酸氢铊晶体在质量上无明显差别．     

提拉法生长大直径白宝石单晶

探讨了电阻炉提拉法生长白宝石单晶过程中，固体和液体中温度梯度与生长速率和晶体应力的关系．对生长系统和工艺作出相应的调整、改进．实验中摸索出了生长Φ＞４０ｍｍ的白宝石单晶的工艺     

五磷酸铒晶体的生长与缺陷

本文报导了一种新的激光工作物质五磷酸铒的生长、形态和缺陷。采用晶种法生长了12×7×6mm高质量的晶体,测定了晶体外形和光性,并研究了它的表面特征和腐蚀缺陷。     

磷酸铝(AlPO_4)单晶的水热生长

我们采用重复升温法生长了大块的磷酸铝单晶,研究了不同切型的晶体生长速度,分析和观察了晶体的部分缺陷,讨论了影响晶体透明度的因素及提高晶体质量的途径。     

高温化学气相沉积法生长碳化硅晶体(HTCVD)

研究了SiC晶体高温化学气相沉积生长机理,从Sic晶体高温化学气相沉积生长过程的化学原理、反应条件、反应过程、一般工艺等方面进行探讨,并分析了沉积温度、气体压力、本底真空及各反应气体分压(配比)对SiC单晶生长及其缺陷形成的影响,基于以上分析,得出高温化学气相沉积法生长碳化硅晶体最佳的工艺条件.     

ZrAl_3晶体的附着能与生长形态

本文应用n-m势能参数,对金属间化合物ZrAl_3晶体各晶面的附着能进行了计算。计算结果表明,由于ZrAl_3晶体的结构特点──四个伪晶胞沿纵向排列形成长条形的生长基元,某些台阶面的附着能甚至比某些平坦面还要低些。根据计算结果所得出的ZrAl_3晶体的理论生长形态为{001}片状习性加上由 {101}及{112}所组成的侧面。然而,由于 <110> 周期键链的锯齿形特征,{112}不可能与{101}共存且不稳定,故理论生长形态应仅由大平面{001} 与小棱面{101}所组成,与实验观测结果相符。     

掺钽LN单晶生长及其含钽量测定

本文研究并确定了掺钽LN单晶的生长条件。介绍了“此重法”的原理和操作,并首次用这种不损坏晶体样品的方法测定了生长出的一系列掺钽LN 晶体中的含钽量。