LTN单晶的生长与宏观缺陷的观测

本文介绍了提拉法生长LiTa_yNb_(1-y)O_3单晶的工艺,观测了晶体中常见的宏观缺陷。讨论了缺陷的形成及克服途径。     

LiTaO_3单晶的层向生长机制

对 LiTaO_3单晶的生长机制进行了理论分析。根据提拉法生长条件下的温度分布,预料该晶体的主要生长机制是层向生长,并得到了实验证实。讨论了晶体生长的过程和机制后指出,凡是提拉法生长条件下表面出现生长棱的晶体,均具有层向生长机制。     

熔盐法生长ZnO单晶颗粒的机制与光学性能研究

文章采用熔盐法生长ZnO颗粒,研究了颗粒生长机制以及合成条件对于颗粒晶体质量和光学性能的影响.研究发现:熔盐法生长的ZnO颗粒为单晶,具有六角纤锌矿结构,其生长机制由Ostwald熟化生长和取向联结生长2种机制组成;此外,煅烧条件对于颗粒的晶体质量和发光性能均具有很大影响;Ar气负压条件下的高温煅烧有助于提高颗粒整体的结晶质量,但同时也会在颗粒内引入氧空位缺陷,从而使其具有较强的绿光发射性能;而ZnO颗粒在空气常压条件下煅烧虽然可以减少氧空位缺陷,但是其较快的生长速率却会在颗粒内引入应力和其他缺陷,从而降低颗粒的晶体质量,造成其发光性能很弱.     

ZnTe单晶的生长方法

本文叙述了ZnTe单晶的两种生长法——布里支曼法和以Te、Zn为熔剂的熔液生长法。同时对生长的晶体进行了位错观察及霍尔系数等电学参数的测量。此外,还对杂质的偏析进行了初步探讨。     

硫酸锂大单晶生长的研究

本文报导了适应高温蒸发法要求、能自动控制蒸发量的恒温育晶设备;并对硫酸锂单晶生长中原料纯化、晶种的选取和安置、溶液状态、过饱和度的控制、晶体缺陷(主要是炸裂)的发生规律等问题进行了研究;解决了抑制杂晶生长,防止晶体炸裂等问题,找到了培养硫酸锂大单晶的最佳条件,生长出外形完整,光学均匀性好的硫酸锂大单晶,尺寸达50×110×45(mm),重三百多克,测试结果与国外文献报导相符,提供有关单位使用,效果良好。     

单晶生长过程的自适应控制

本文讨论了对象特性缓慢时变,并且有确定性扰动和随机干扰作用下的单晶生长过程的自适应控制。对采用广义最小方差控制的自校正控制器及引入前馈信号而使系统具有较好的品质指标进行分析。介绍应用DJS—131型电子计算机实现的“过程—Fortran—1V自校正控制在线软件包”应用于TDR—60型单晶炉单晶生长过程实时控制的初步结果。     

CdGeAs2多晶合成与单晶生长研究

以高纯(6N)Cd、Ge和As单质为原料,按CdGeAs2的化学计量比配料,采用机械振荡和温度振荡相结合新方法合成出CdGeAs2多晶锭,经X射线粉末衍射分析表明合成产物为高纯单相的CdGeAs2多晶．用20℃/min的升温和降温速率对合成的CdGeAs2多晶进行了DTA分析,结果显示CdGeAs2多晶的熔化温度为669.24℃、结晶温度为615.55℃．根据DTA分析结果设计CdGeAs2晶体生长温场,采用改进的Bridgman法生长出外观完整、尺寸为Φ15mm×45mm的CdGeAs2晶体,并对其进行解理实验,获得了完整、光滑的解理面,经XRD分析结果显示,连扫谱呈现{101}面的四级衍射峰,(101)面回摆谱峰尖锐、对称性好．     

MoS2单晶薄膜的制备及生长机制研究

通过研究二维MoS₂薄膜的制备工艺参数以及生长规律,为过渡金属硫化物薄膜的制备工艺提供技术经验。采用化学气相沉积法,以MoO₃和S粉为前驱体,通过调控载气流速、保温时间和MoO₃的质量,制备一系列MoS₂薄膜。利用光学显微镜、拉曼光谱仪、光致发光光谱仪、原子力显微镜等测试设备对MoS₂薄膜的层数和结构进行表征;分析了工艺参数对MoS₂薄膜的影响,探索了中心成核的生长机制。结果表明,在载气流速为110 mL/min、保温时间为10 min、MoO₃的质量为2.5 mg的条件下,得到的MoS₂薄膜最优。同一衬底上存在不同厚度的连续的MoS₂薄膜。通过控制前驱体的比例和适当的工艺参数可以制备长度为100 μm甚至更大尺寸的单层MoS₂薄膜。     

五磷酸钕大单晶的生长

一、引言五磷酸钕晶体(分子式NdP_5O_(14),简写Ndpp)是一种光学增益高的激光材料。Nd~(3 )不是作为掺质进入基质,而是按一定化学计量比的化合物中的组份,即Nd~(3 )既是激活离子又是基质。Ndpp晶体中Nd~(3 )浓度(4×10~(21)厘米~(-3))约为掺钕1%的钇铝榴石(Nd:YAG)中Nd~(3 )浓度的30倍。尽管Ndpp中Nd~(3 )浓度很高,但由于Nd~(3 )之间被—O—P—O—基团隔离,减弱了Nd~(3 )与Nd~(3 )之间的偶极作用,从而降低了荧光猝灭。同时,Ndpp晶体的发射截面和线宽同Nd—YAG相似,而光学增益比Nd:YAG约高30倍。这样可以用较小样品在很小体积内获得较高的光激     

熔体生长CdTe单晶性质的研究

本文叙述了从熔体生长CdTe单晶的方法,并对生长的单晶中存在的主要结构缺陷进行了显微观察。用霍尔系数及电导率测量的方法研究了单晶的电学性质。由光电导光谱得到的室温本征吸收峰为1.46 eV,低温本征吸收峰为1.51eV.     

朊蛋白构象变化机制的初步探讨

PrP^c的二级结构发生变化导致部分α－螺旋转变为β－折叠而产生PrP^sc,是导致神经退行性疾病的主要原因。蛋白质多肽链被氧化损伤为自由基,其二级结构发生变化,我们通过量子化学方法b3lyp/6-3lg^**计算出抽氢反应的焓变,以此确定氧化损伤的位点和构象的变化。计算发现,Cα-H键的断裂焓（BDE）较小,易抽氢,且形成的Cα－H自由基导致二面角Φ和Ψ发生明显的变化。这对于解释朊病毒的致病机理和错误折叠很有意义。     

多层复合单晶薄膜的外延生长

本文探讨以GGG(钆镓石榴石)为基外延生长GGG薄膜以及以YIG(钇铁石榴石)为基外延生长GGG薄膜的生长规律。给出了复合层状(介质—磁性膜—介质—磁性膜)单晶薄膜的设计方法和实验结果。文中还对多层膜的膜厚测量、X射线双晶衍射实验以及扫描电镜的表面象和剖面象进行了分析。     

提拉法生长大直径白宝石单晶

探讨了电阻炉提拉法生长白宝石单晶过程中,固体和液体中温度梯度与生长速率和晶体应力的关系．对生长系统和工艺作出相应的调整、改进．实验中摸索出了生长Φ＞４０ｍｍ的白宝石单晶的工艺     

有机低维单晶生长炉的设计

对区域熔融法生长有机低维单晶的炉体结构做了新的设计和实验,同时成功地生长出有机材料ＡＢＰ纤维和薄膜两种形态的低维单晶。     

厘米线度C60单晶生长

控制气相法晶体生长的成核过程可使成核数目较少,在此基础上,通过设法使这少量晶核中只有一个能在随后的生长过程中不断长大,成功制备出厘米线度的C60单晶,X射线衍射谱和Laue像表明单晶具有较好的品质,作为大尺寸C60单晶的应用之一,测量了这种样品上的同步辐射角分辨光电子谱以深入研究C60晶体的价带结构和能量色散。     

熔盐法生长ZnO单晶颗粒的微结构与形貌研究

文章采用熔盐法生长ZnO颗粒,研究了制备条件对颗粒的成分、尺寸、形貌以及晶体结构的影响。结果表明,熔盐生长过程没有在ZnO颗粒中引入杂质。所制备的颗粒虽然具有多种形貌,但均为单晶,具有典型的六角纤锌矿结构。熔盐生长的温度、气氛以及气压等条件对于ZnO颗粒的晶体结构没有明显影响,但是会显著影响到颗粒的尺寸。高温和空气常压条件下,可以制得尺寸分布较窄的ZnO大颗粒。