概念格上一类新的序同构关系

在形式背景的对象集合幂集P(G)和属性集合幂集P(M)上定义了偏序关系.证明了偏序集(P(C),≤)或(P(M),≤)与概念格U(K)之间存在序同构关系.给出了一种利用序同构关系构造U(K)中所有概念的内涵和外延的方法.所得的若干定理拓展了文献中的研究结果.     

关于循环序S-系的(E_I)-覆盖

设S是偏序幺半群,I是S的一个右理想.利用右理想I定义了条件(E_I)并给出了循环序S-系满足条件(E_I)的充分必要条件,研究了所有循环序S-系具有(E_I)-覆盖的偏序幺半群的刻画.所得结论推广了离散序下的相关结果.     

完全的伪效应代数

引入了完全的伪效应代数,给出了伪效应代数中理想、极大理想、素理想和值等概念.证明了伪效应代数中的每个值都有一个覆盖,所有的理想之集组成的集合是一个分配格;给出了伪效应代数中无限小元的概念和无限小元之集Infinit(E)等于极大理想之交Rad(E)的条件;证明了存在定向的插入偏序群范畴GI和完全的伪效应代数范畴PPEA之间的诚实的满的函子,完全的伪效应代数是整数群和定向插入偏序群的字典序乘积中的一个区间.     

顶点偏序集上的平面序（英文）

平面序是渐进平面图的边偏序的一类特殊线性扩张,平面序的定义对一般的有限偏序集都有意义,并且事实上等价于共轭序的概念。这里证明了一个渐进平面图的边偏序集上平面序可以自然诱导其顶点偏序上的一个平面序.     

关于偏序■-半群的(m,n)拟理想

引入序■-半群的(m,n)拟理想、m-左理想、n-右理想的概念,给出它们的生成的表示;证明了序■-半群上任何(m,n)拟理想可以分解为一个m-左理想和一个n-右理想的交,且任何一个极小的(m,n)拟理想可以分解为一个极小m-左理想和一个极小n-右理想的交;给出了(m,n)拟单偏序■-半群的刻画和偏序■-半群拟理想、左理想和右理想的刻画.     

广义Z-连续偏序集的几个拓扑注记

给出了Z-连续偏序集和广义Z-连续偏序集的一些拓扑性质.文章主要证明了若P是一个强的Z-交连续的广义Z-连续偏序集,则它的Lawson拓扑λZ(P)是一个T3拓扑.     

偏序集上的局部弱极大理想

文章在偏序集上引入并考察局部弱极大理想,给出偏序集上的局部弱极大理想的存在性定理和偏序集上弱理想的一个分解定理,特别地,在满足弱理想降链条件的偏序集上弱理想的一个分解定理.这些定理推广有关文献中的相关结果.     

偏序半群的半拟序扩张

定义了S的半拟序σ及模σ的半拟链,其次,通过模σ的半拟链将S的半拟序σ扩张为S的另一个偏序≤*,使得(S,·,≤*)是偏序半群,并获得了若干理想的结果.特别地,得到了SPO(S)到PO(S)的半格同态定理.     

偏序集上的局部极大理想

在偏序集上引入并考察了偏序集上的局部极大理想,证明了偏序集上的局部极大理想的存在性定理和偏序集上理想的分解定理,特别地,在满足理想降链条件的偏序集上理想的分解定理.     

偏序集上的弱滤子弱极大理想

文章在偏序集上引入偏序集上弱滤子弱极大理想,证明其存在性定理,并研究它的一些性质,得到弱理想在满足弱理想降链条件的偏序集上的一个分解定理.     

G型π桥溢流阀稳定性理论与试验研究

对以G型π桥液阻网络为先导控制回路的溢流阀稳定性进行了理论分析,指出G型π桥溢流阀稳定性与先导回路液阻参数、先导阀的受压面积及弹簧刚度有关.根据劳斯稳定判据,建立了G型π桥溢流阀稳定的判定条件.通过试验研究,说明本文的理论分析结果与试验结果有较好的一致性,其研究成果为G型π桥溢流阀的动态设计提供了理论根据.图3,参7.     

用原子-键电负性均衡方法计算镉（Ⅱ）配合物的电荷分布

在以密度泛函理论和电负性均衡原理为基础的原子-键电负性均衡方法的σ-π模型（ABEEMσ-π）中,利用最小二乘法并结合自编程序,通过大量的量子化学计算拟合确定了氢、氮、氧、硫、氯以及镉（Ⅱ）等各种类型的原子及相关化学键区域的ABEEMσ-π参数.将这些参数应用到研究镉（Ⅱ）配合物的电荷分布,结果显示由ABEEMσ-π模型计算的电荷分布与量子化学计算结果有很好的一致性,线性相关系数在0.93~0.99之间.进一步验证了ABEEMσ-π模型的合理性和可靠性,发展了该模型在第五周期过渡金属中的应用.     

超短激光双脉冲在硝基苯胺分子介质中传播的动力学过程

通过数值求解麦克斯韦-布洛赫方程，研究了2个相干超短激光脉冲在硝基苯胺分子（pNA分子）介质中的非线性传播过程．量化计算表明该分子在低能级区域内只有1个电荷转移态，因此可把该分子看作二能级体系．当3竹共振脉冲与4π非共振脉冲先后入射到硝基苯胺分子介质中进行传播时，3π脉冲的能量将转移给后面的4竹脉冲，前者面积逐渐变为2π，激发分子能级占有率发生一次完整的拉比振荡；后者在介质中仍保持非共振传播，只能激发分子能级占有率发生不完整的拉比振荡．脉冲的频谱发生展宽，并在共振频率附近振荡剧烈．通过引入固有偶极矩为零的赝分子作为比较对象，发现硝基苯胺分子的固有偶极矩导致非线性传播过程更为复杂．     

稠杂环化合物ABEEM参数的拟合及简单应用

应用以密度泛函理论和电负性均衡原理为基础的原子-键电负性均衡方法中的σ-π模型（ABEEMσ-π）,通过大量的量子化学计算,利用最小二乘法,并结合我们自编的程序,拟合确定了稠杂环化合物的ABEEMσ-π各参数.进而,将这些参数应用到研究叶酸及维生素B2等稠杂环药物分子体系的电荷分布,结果显示由ABEEMσ-π模型获得的电荷分布与量子化学方法的计算结果有很好的一致性,线性相关系数均达到0.98以上.这说明我们拟合的参数是正确的,也进一步验证了ABEEMσ-π模型的合理性和可靠性.     

三个磷酰化香豆素的合成及单晶结构

以二烷基亚磷酸酯和香豆素为原料,通过Atherton-Todd反应合成了3个新型含有磷酰基的香豆素类化合物,7-磷酰二乙基香豆素(2a)、4-甲基-7-乙酰氧基-6-磷酰二乙基香豆素(2b1)和7-羟基-4-甲基-6-磷酰二异丙基香豆素(2b2).单晶结构显示:化合物2a、2b1均为三斜晶系,P-1空间群,分子间有弱的π-π堆积,分子间主要靠范德华力紧密结合在一起.化合物2b2为单斜晶系,空间群为P2(1)/n,P=O的O原子和羟基氢原子之间存在分子间氢键,每一个分子分别与另外两个分子相连形成链状结构,由堆积图可以看到分子间有弱的π-π堆积,分子间主要靠范德华力紧密结合在一起.     

NO在Rh(100)与(111)表面上吸附理论研究

基于slab模型,采用密度泛函理论研究了NO在Rh(100)和(111)表面上吸附的几何与电子结构.结果表明,在开放的(100)面和密堆积的(111)面上,优势吸附位分别是桥位和hcp位.在两表面上的优势吸附结构中,NO的吸附主要是其1π和5σ轨道分别与Rh的5s和4d态混合的结果.NO分子吸附后,均存在两种相同的电荷迁移过程:即NO的1π和5σ电子向金属表面的转移以及金属表面电子向NO的2π轨道上的反馈.这两种电子迁移均使得N-O键被活化,N-O键被消弱,N-O键长增加.     

三维超分子化合物[Mn（dpp）2（H2O）4]（ada）（H2O）的合成、晶体结构和热重分析

在水热条件下合成了结构新颖的三维超分子化合物[Mn(dpp)2(H2O)4](ada)(H2O)(dpp=1,3-Di(4-pyridyl)propane,Na2ada=anthraquinone-2,6-disulfonic acid disodium salt),通过元素分析、红外光谱、X射线单晶衍射仪、热重等方法对超分子化合物的结构和性质进行了表征和测定。测定结果显示配合物晶体属三斜晶系,P-1空间群,晶包参数a=0.9790(6)nm,b=0.9892(6)nm,c=1.2728(8)nm,α=90.150(11)°,β=112.106(10)°,γ=98.997(11)°。结构分析表明配合物晶体结构中存在丰富的氢键、边和面之间C—H…π键和芳香分子面面之间的π…π堆积作用,通过这些弱相互作用使其具有三维无限网络结构,氢键、C—H…π键和π…π堆积在超分子结构构筑中起了非常重要的作用。     

关于核子-核子散射相移的计算

计算了核子- 核子散射的总相移, 包括夸克- 胶子交换的总的相移、夸克- 胶子瞬时势的贡献以及单, 双交换提供的总的相移. 相移的计算值与实验结果的比较曲线表明它们是一致的, 同时表明夸克- 胶子交换作用在核子相互作用中起重要作用, 尤其在近程范围内.     

关于1/π的一些新级数与相关同余式（英文）

本文证明了一些关于1/π的新级数与相关同余式.我们也猜测了几类关于1/π的新级数与涉及素数二次型表示的相关同余式.     

Tuning charge transport in solution-sheared organic semiconductors using lattice strain

Circuits based on organic semiconductors are being actively explored for flexible, transparent and low-cost electronic applications. But to realize such applications, the charge carrier mobilities of solution-processed organic semiconductors must be improved. For inorganic semiconductors, a general method of increasing charge carrier mobility is to introduce strain within the crystal lattice. Here we describe a solution-processing technique for organic semiconductors in which lattice strain is used to increase charge carrier mobilities by introducing greater electron orbital overlap between the component molecules. For organic semiconductors, the spacing between cofacially stacked, conjugated backbones (the π-π stacking distance) greatly influences electron orbital overlap and therefore mobility. Using our method to incrementally introduce lattice strain, we alter the π-π stacking distance of 6,13-bis(triisopropylsilylethynyl) pentacene (TIPS-pentacene) from 3.33?? to 3.08??. We believe that 3.08?? is the shortest π-π stacking distance that has been achieved in an organic semiconductor crystal lattice (although a π-π distance of 3.04?? has been achieved through intramolecular bonding). The positive charge carrier (hole) mobility in TIPS-pentacene transistors increased from 0.8?cm(2)?V(-1)?s(-1) for unstrained films to a high mobility of 4.6?cm(2)?V(-1)?s(-1) for a strained film. Using solution processing to modify molecular packing through lattice strain should aid the development of high-performance, low-cost organic semiconducting devices.