利用可编程序台式电子计算机进行MOS集成电路的设计

本文报导利用可编程序台式电子计算机设计MOS集成电路的一种方法,其中包括:阈电压、反相器的直流与瞬态特性以及饱和MOS负载反相器的设计程序,计算时采用了简化的模型,并把计算结果与实验数据进行了比较。     

MOS大规模集成电路阵列布局方法

在中、小规模MOS集成电路中采用的随机布局方法不再适用于MOS/LSI的布局设计.本文从布局观点出发,把MOS/LSl分为规则阵列和逻辑阵列,提出了对MOS/LSI版图设计很重要的几种布局方法。详细地介绍了组合和时序ROM逻辑阵列以及PLA逻辑阵列的布局方法及其逻辑设计依据.“ROM”法和“PLA”法是直接将其阵列逻辑图用于MOS/LSI版图布局设计的先进布局方法。这些布局方法对MOS/LSI版图设计是普遍适用的,既能解决随机布局对复杂逻辑系统版图设计难以解决的布局问题,又为版图设计带来了图形规整,便于修改,检查、测试和安排计算机程序进行辅助设计的优点。还对各种布局方法作了举例说明,对比分析了各自的优缺点,并就MOS/LSI的整体布局设计考虑作了一般原则性论述.     

CMOS集成电路中MOS管匹配特性分析

目的研究CMOS集成电路中MOS管匹配特性。方法通过分析MOS管在饱和区和线性区的工作方程,分别推导了引起MOS管电压、电流失配的因素,并分析对MOS管匹配特性的影响。结果系统地提出一些进行MOS管匹配设计的方法及应该采取的版图设计规则。结论可作为CMOS集成电路设计提供必要的理论依据。     

SM-ECL系列超高速逻辑集成电路

本文是半导体专业学员赴南京晶体管厂作毕业实践的总结。ECL超高速逻辑集成电路的研制是江苏省集成电路会战项目之一,自1975年三月中旬接到任务后,在厂各级党组织的正确领导下,和三车间工人师傅、技术人员一道投入了战斗。在学习毛主席关于无产阶级专政理论重要指示的强劲东风推动下,到同年“七一”党的生日前夕,已基本完成了SM—ECL系列七个不同品种的综合设计研制工作。经测试鉴定,直流参数全部符合设计指标,讯号传输平均延迟时间为3—5ns,性能与国内同类产品的先进水平相当,达到了设计试制的预期目的。试制成功的该系列品种为:SM41E(十输入端单或/或非门)、SM42E(四输入端双或/或非门)、SM44E(二输入端四或非门)、SM82E(二输入端双或与非门)、SM95E(讯号接收门)、SM93E(ECL参考电源)、SL41E(T—E转换电路)。本文分四部分: (一)ECL电路的特点及电路参数的计算。 (二)版面和工艺设计。 (三)工艺特点及对电路性能的影响。 (四)参数测试及结果分析.     

MOS电流模逻辑标准单元设计方法

分析了一种基于二叉判定图算法的MCML标准单元的设计方法。仿真分析采用SMIC0.18 CMOS标准工艺对电路进行晶体管级仿真。     

提高MOS中小规模集成电路管芯成品率的几点措施

本文报导了提高MOS中小规模集成电路管芯成品率的研究结果.单片管芯成品率最高达到67.9%,批量管芯成品率最高达到57.3%,平均管芯成品率稳定在37.5%～49.2%之间.     

高性能低功耗逻辑电路—MOS电流模逻辑

本文介绍了一种高速低功耗逻辑电路:MOS电流模逻辑电路(MCML),该电路以其独特的差分结构及恒流源偏置方式,在高频电路及数模混合电路中表现出了低电压低功耗及高抗噪的特性,可作为高频应用中新一代高性能低功耗集成电路芯片。     

SPICE中MOS2模型参数的提取

本文提出了SPICE自治法,用来检验提取参数的算法,并说明了自治法的合理性。报导了提取几种参数的算法,包括用CHEBYSHEV拟合法去除串联电阻的影响;由单一衬底偏置的I-V数据提取GAMMA、PHI等电学参数;以及提取饱和速度参数。所有这些算法都经过程序验证。     

用于MOS功率集成电路的VVMOS和NMOS相容技术研究

本文介绍了VVMOSFET和NMOSFET单片集成时阈值电压容差的理论估算和工艺试验结果,二者符合得较好.结果指出,即使用常规工艺制造技术把VVMOS功率晶体管相容集成到NMOS电路中去亦是可能的.     

集成电路触发器及其逻辑功能的转换

数字系统中使用的触发器通常是具有两个稳定状态的逻辑单元电路。它具有以下特点: 1、两个互相对立的稳定状态用Q和Q来表示,并且用二进制数“1”和“0”与之对应。当Q=1时,我们说触发器处于“1”态;当Q=O时,我们说触发器处于“O”态。     

半导体逻辑集成电路的计算机辅助测试

本文是一篇关于计算机辅助测试逻辑集成电路的综述性文章。文中分析了测试逻辑集成电路的要求,提出了测试中存在的问题及解决的途径。对于半导体存贮的测试图形,也进行了一些分析,列举了常用的一些测试图形。对国外目前采用的测试微处理器CPU芯片的几种方法和国外测试系统的发展所经历的三代,也作了介绍。     

达林頓互补逻辑集成电路的研究

本文对两种达林顿组合管的特性进行了分析,给出了实验结果。并对达林顿互补倒相器的直流特性和瞬态特性与常规CMOS倒相器作了比较,说明这种倒相器除了具有CMOS电路的功耗低、电源电压范围宽和抗干扰能力强等特点外,还具有驱动能力强和瞬态特性优异的特长。这种电路的工艺实施并不复杂,对由这种电路组成的15级环行振荡器作了初步研究,给出了实验结果。预计这种电路随着集成电路的发展,将会有越来越广泛的应用。     

一个小型MOS串联存贮器的初步实践

前言 近年来,金属——氧化物——半导体集成电路(简称MOS集成电路)有了很大的发展,由于它具有制造工艺简单,集成度高,功耗小,可靠性强等优点,因此正日益广泛地被应用到计算机里。在毕业实践中,我组十一名工农兵学员承担了用MOS动态移位寄存器做小型串联存贮器以取代DJS——11机的磁芯宽行存贮器的研究任务,在三个     

一个小型MOS串联存贮器的初步实践

前言 近年来,金属──氧化物──半导体集成电路(简称MOS集成电路)有了很大的发展,由于它具有制造工艺简单,集成度高,功耗小,可靠性强等优点,因此正日益广泛地被应用到计算机里。在毕业实践中,我组十一名工农兵学员承担了用MOS动态移位寄存器做小型串联存贮器以取代DJS-11机的磁芯宽行存贮器的研究任务,在三个多月的时间内,我们完成了以下几项工作: 1.MOS动态移位寄存器集成电路性能的测试; 2.外围电路的设计与定型; 3.宽行打印机的逻辑设计; 4.模型实验及稳定性的初步考验。 一、MOS动态移位寄存器集成电路性能的测试 1.DVJ-D40集…     

MOS场效应管直流模型参数的计算机自动提取

研制成一种由计算机自动提取MOS场效应管直流模型参数的系统。该系统可以精确地提取SPICE电路分析程序所需的全部MOS场效应管直流模型参数,并且将提取出的模型参数所作出的模拟输出特性曲线与实测曲线进行比较。     

MOS晶体管模型参数提取的实验方法探讨

基于CMOS（互补金属氧化物半导体）的集成电路设计在当今集成电路设计中占有很大的比重,MOS晶体管作为CMOS集成电路中最基本的元件之一,其参数的提取在计算机辅助分析中是不可缺少的关键环节之一。文章详细讨论了MOS晶体管众多参数提取的理论基础和实验方法,通过该实验方法的学习和应用,可以使学生对MOS晶体管有更深的认识,同时也对CMOS集成电路设计打下扎实的基础。     

用于SPICEⅡ程序的耗尽型MOS器件模型

分析了SPICEⅡ程序模拟耗尽型MOS器件所遇到的限制及其原因,用线性区阈电压和饱区阈电压描述耗尽型器件线性区和饱和区特性,讨论了饱和区阈电压与线性区阈电压之差随衬偏电压变化的关系,建立了耗尽型MOS器件模型及其参数提取的新方法。模拟结果与实验基本吻合。     

K式结构大规模组合逻辑集成电路

本文提出一种面向计算机的组合逻辑电路构构K——式结构和一种G-K式变换法理论,並以例子说明:(1)它能对既定功能的逻辑电路进行分析並在此基础上开发出新的功能; (2)采用K式结构的电路,在设计其主功能时也能同时设计其他希望得到的附加功能; (3)能使用微计算机实现K结构电路拉辑功能切换等等。     

四值电压型转换逻辑集成电路

本文介绍了用于四值逻辑与二值逻辑相互转换的两种电压型集成电路BQTL和QBTL。其中QBTL设计成可单独作为四值“阀”门使用,用于构成其他四值组合逻辑。设计中采用了PNP晶体管恒流源,提高了电路的逻辑摆幅、转换速度和集成度。