双汞探针C—V法测试硅材料杂质浓度分布

鉴于单汞探针C-V法测试半导体材料杂质浓度分布还有不方便之处及不能准确测试n/p;p/n等异型多层结构外延片电阻率分布的弊病,本文提出了双汞探针C-V法。文章中阐述了这种方法的测试原理和测试可行性分析。对各种硅材料样片大量测试结果表明:这种方法即方便又准确,测试结果的重复性相当好。     

质量成本控制——减少硅外延电阻率测试频次的实验研究

质量成本包括预防成本、鉴定成本、内部损失成本和外部损失成本等内容,通过数据分析讨论减少硅外延电阻率测试频次的可行性。经分析发现,在LPE3061D外延炉批量生产硅外延片的过程中,掺杂效率稳定,产品在正常生产过程中,整批次的掺杂剂用量调节幅度相对较小,由其引起的电阻率变化不会大幅度超出控制线。以此为依据将测试频次由每24片测试1片更改为每48片测试1片,按产量统计每年可节省约4 000片硅抛光片,降低鉴定成本约40万元,并且提高了硅外延片出片率。     

真空-堆载联合预压法地表沉降测试分析

本文以湖南境内某高速公路高等级路堤试验段为依托,对采用真空-堆载联合预压法处理软土路基时的地表沉降进行了测试及分析,得出了地表沉降的变化规律,以及真空荷载、地质情况和填筑速率对软土沉降及沉降率的影响规律,以此对实际工程进行指导。     

硅罗丹明荧光探针的研究进展

近年来,罗丹明染料因其良好的荧光性能,在化学和生物化学领域倍受关注。但罗丹明染料的荧光波长通常都小于600 nm,具有较强的生物背景荧光的干扰,很大程度上限制了其在生物成像等领域的实际应用。将罗丹明母核的氧原子替换为硅原子,所发展的硅罗丹明不仅具备传统罗丹明荧光染料的优点,还可将荧光波长红移至近红外波段,很好地解决了罗丹明荧光波长较短的问题。本文主要综述了硅罗丹明荧光探针的研究进展,重点聚焦该荧光团波长红移原理、荧光波长和荧光量子产率的调控,以及硅罗丹明探针的设计机理与应用。     

减压硅外延的混合动力学分析

本文讨论了减压情况下硅外延生长过程的动力学问题,用混合动力学模型分析了压力和温度等参数对生长速率和薄膜淀积厚度均匀性的影响,以及质量输运与表面反应控制相互转变特征,理论分析与实验结果吻合得较好。     

磷压法气相外延 GaAs_(1-x)P_x

本文系采用赤磷、三氯化砷、砷化镓(或镓)为原料,在砷化镓衬底上进行GaAs_(1-x)P_x 气相外延生长的试验总结。文中分析了影响生长速度、合金组成、外延层表面形态的因素;叙述了此体系生长GaAs_(1-x)P_x(x≈0.40)外延层的操作工艺和条件。从制造发光器件的结果和投产的情况说明,此法可作为工业生产方法。     

碲镉汞外延晶膜的不稳定性

通过在不同日期，相同测试条件下霍尔测试同－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ／ＣｄＺｎＴｅ外延晶膜的电学参数，发现其电学参数随时间的不同而不同。根据Ｐｅｔｒｉｔｚ＾「１」的双层模型用计算机进行曲线模拟可知，此晶膜正由半导体向半金属转变，这一点已被扫描电镜所证实。     

双硅源选择外延及侧向过外延的生长特性

本文研究了利用双硅源进行ELO生长SOI结构的工艺条件,b值变化对多晶成核及侧向生长速率的影响,观察了ELO膜的表面形貌与温度、压力的关系,探讨了ELO膜空洞产生的原因及消除方法,获得了二氧化硅条宽为20μm的光亮、平整、连续的ELO单晶薄膜。     

磷砷化镓外延层中磷含量的光电压法测定

磷砷化镓外延片是当前电注入发光器件的主要材料。它的磷与砷克分子比,对所作发光器件的特性,特别是发光的波长与亮度,有很大的影响。由于磷砷化镓外延层中的磷是取代了砷的位置,形成置换式固溶体。因此,通常只要测出磷的百分比,即可获知磷砷的克分子比值。     

功率VDMOS用硅外延材料的制备

介绍了一种实用的VDMOS器件用硅外延片生长技术,该技术使用PE-2061S外延设备,通过特有的工艺技术,在直径0.12m重掺锑（Sb）衬底上,完成了高阻厚层N型外延片的生长。外延层厚度大于74μm,电阻率大于27Ω.cm,其厚度、电阻率及结晶质量等参数都得到了很好的控制,其中部分技术参数达到了国际先进水平。结果表明,该外延材料完全满足VDMOS器件的制作需要。     

梁氏引线开关二极管用硅外延材料

介绍了研制适合梁氏引线开关二极管用的硅外延材料的工艺过程,通过采用CVD化学气相外延生长技术,对硅源流量与掺杂剂浓度进行精确控制,解决了满足梁氏引线开关二极管用的薄层高阻硅外延材料问题。     

薄层高阻硅外延制备工艺研究

轻掺硅外延层/重掺衬底结构作为现代电力电子器件的关键基础材料,其厚度均匀性、电阻率均匀性等关键参数与所制器件的性能密切相关。通常基于重掺衬底的轻掺硅外延层,电阻率比厚度数值至少会低1个数量级,可以有足够的反应时间爬升到稳定轻掺态。但在特定的应用领域,所需外延层电阻率高于厚度数值2倍以上,并且要求电阻率、厚度参数控制精确。传统外延工艺中电阻率受自掺杂影响,爬升速率缓慢,均匀性始终不能达到预期目标。基于外延掺杂机理,通过设计低温外延生长、基座包硅等多种手段,可有效抑制系统自掺杂干扰,实现了硅外延层厚度不均匀性1.5%,电阻率不均匀性2%的研制目标。     

硅外延工艺中HCI气相腐蚀技术研究

主要对硅外延工艺中的IICI气相腐蚀原理以及HCI气庸对外延工艺的作用进行了分析.从HCI腐蚀速率、腐蚀温度和对外延层电阻率均匀性影响等方面进行了重点研究,并采用不同的工艺条件,进行了相关的对比试验,总结了HCI气腐对外延层影响的规律.     

硅外延层错立体结构的显微观察

晶体管和集成电路用的材料大多是半导体硅锗,因此要懂得晶体管的导电机理首先需要了解硅和锗的晶体结构。它们的晶体结构通常是从 x 射线衍射图象来获得,但这种图象是晶体的倒易点阵的映象,不是晶体真实结构的映象。若果能得到晶体真实结构的映象,则对于了解硅锗的晶体结构当然是有好处的,特别是从教学角度来说。本文提出的层错立体结构的显微图象,就可以作为这样一个比较直观的映象。