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《小哥白尼(趣味科学画报)》2010,(8)
<正>1.毛竹是一种奇特的植物,它的奇特之处便在于它的生长速度。虽然它在种植后的前几年几乎不怎么生长,然而一旦它开始生长,长成20米的竹子,仅仅需要50多天!这速度简直就是植物界的长高速度冠军!你相信吗? 相似文献
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本文报导了一种新的激光工作物质五磷酸铒的生长、形态和缺陷。采用晶种法生长了12×7×6mm高质量的晶体,测定了晶体外形和光性,并研究了它的表面特征和腐蚀缺陷。 相似文献
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沙棘是一种野生灌木或小乔木,它耐干旱、耐贫瘠,生命力极强,即使在极为恶劣的生态环境下也能生长。它根系发达,水平根可达10米以上,能从土壤中充分吸收水份和养份;它虽不是豆科植物,但根系有根瘤,可固定空气中的氮素,并依靠固氮作用保持旺盛生长,成林速度快。沙棘独特的生理结构使得它还耐干热风、耐盐碱,可以在PH6.5~9.5的环境中生长良好。沙棘具有保持水土、涵养水源、防风固沙、改良土壤肥力的作用,而且,沙棘的嫩芽、叶、花、果被各种野生动物所喜食,从而对自然界的生态平衡发挥 相似文献
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味精生产排出的废液对白菜生长的影响 总被引:7,自引:1,他引:6
味精废液是一个污染源,但它又含有植物生长所需的营养物质,研究结果表明,味业认可促进白菜生长,增加叶的长度和宽度,增加白菜地上部分的鲜重和干重;提高叶片可溶性蛋白质含量、叶绿素含量和硝酸还原酶活性,但单位鲜重的可溶性糖含量低于对照;施用味精废液的白菜生产比不上施用复合肥的。 相似文献
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采用平板菌落计数法测定了共生生金菌的生长曲线,查明了这种微生物的世代时间和比生长率,并就环境pH值对共生生金菌生长情况的影响进行了研究·结果表明,共生生金菌的生长速率是它催化锰氧化反应的关键制约因素,加快共生生金菌的生长速率,是强化碳酸锰矿石微生物氧化过程的有效途径· 相似文献
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学过中医的人都知道,在浙江、安徽、云南和贵州等地的崇山峻岭中,曾生长着一种十分珍稀的药用植物,在<本草纲目>等历代医药专著中它名列九大"仙草"之首,干品在国内市场售价高达每千克1万元.它的药名叫"石斛". 相似文献
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<正> 近年来,随着人们环保意识的提高,政府加大了对城镇绿化项目的重视。各式各样、五彩缤纷的城镇园林广场、社区园林出现在广大市民面前,但是,如何因地制宜建设好、管理好这些绿化广场和社区园林呢?笔者多年的从业经验供广大同仁们借鉴参考。一、充分了解植物的生长特性植物无论是树木,还是草坪花卉,都有它最佳生长的气候, 相似文献
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硅热氧化层错的生长动力学关系式 总被引:2,自引:0,他引:2
谢茂浓 《四川大学学报(自然科学版)》1981,(1)
一、引言硅热氧化层错是在硅器件热氧化工艺中产生的一种二次缺陷,它是由1/3[111]Frank不全位错环围绕的非本征填隙型层错。由于它对硅器件质量有显著影响,因而引起了器件工作者和材料工作者的普遍重视。已用各种技术对硅热氧化层错的结构形貌进行了研究,先后提出了各式各样的层错核化,生长模型,积累了许多层错生长动力学数据。但是,迄今还没有一个模型能成功地定量描写硅的热氧化层错的生长规律。1974年S·M·Hu给出了层错生长长度与氧化时间的解析式,预示了层错长度的抛物 相似文献
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<正>腰果是一种让人又爱又恨的神秘坚果。爱的是它香脆的口感和怡人的坚果香味,恨的是它高昂的售价以及不时带来的过敏反应,说它神秘则是因为很少有人见过生长状态的腰果。那么这种植物究竟来自何处?过敏又是因何而起? 相似文献
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郭爱莲 《陕西师范大学学报(自然科学版)》1996,(2)
从污物中分离出一株兼性厌氧芽孢杆菌,它可产生大量的果胶酶.该菌株生长pH范围广,生长最高温度为50℃左右,它适应性强,生长快.在实验室中根据它的菌落形态、个体形态、生理特性和生化反应、生态环境、生活史等作为分类依据,定名为地衣芽孢杆菌(Baciluslicheniformis) 相似文献
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采用室温恒电流电化学技术,在含Sr2 的碱性溶液中制备出了结晶良好的、形貌可控的Sr WO4多晶膜,研究了电流密度、电极间距和衬底的处理方式,对Sr WO4多晶膜的团簇生长的影响及产生的原因.SEM分析表明,在不同的条件下,多晶膜的团簇生长行为也会有所不同.实验结果表明电流密度是影响沉积膜形貌的最主要因素,当它降到0.05mA/cm2时团簇会消失,Sr WO4多晶膜呈现层状或近层状生长;电极间距也是影响沉积膜形貌的主要因素,当它达到4.5cm时团簇已经基本消失;衬底的粗糙程度也会影响沉积膜形貌,但相对于电流密度和电极间距来说,影响的程度要小得多.作者认为,生长团簇的出现是由于材料的结构特性、晶体生长的物理化学条件等综合因素的影响而产生的. 相似文献
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蒋维栋 《复旦学报(自然科学版)》1987,(4)
在用分子束外延技术制备半导体异质结时,选择晶格常数相匹配的材料是获得高质量外延膜的关键因素之一.Si和GaP这两种材料的晶格失配仅为0.37%,而且它们的热膨胀系数和弹性常数也非常接近,因此Si/GaP系统是一种非常适用于分子束外延生长的结构.本文对这一体系的外延生长特性作了初步的研究. 外延生长是在一台超高真空电子束蒸发装置中进行的,它由相互间可以隔离的生长室、分析室和进样室三部分组成.生长室中配有8kW的电子束蒸发器、石英晶体厚度监视器、高能电子衍射仪(RHEED)、液氮冷屏罩和一个可使样品自转的样品架.生长室的极限真空度可达8×10~(-9)Pa,工作时压强保持在1×10~(-7)Pa.Si的蒸发速率为0.4A/S, 相似文献
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