Nb掺杂Ba—Sn—W—O系半导瓷材料特性的研究

研究了Ｎｂ掺杂Ｂａ－Ｓｎ－Ｗ－Ｏ系复合陶瓷材料的显微结构及电导特性。研究表明，该系列材料是主导电相为Ｂａ（Ｓｎ，Ｎｂ）Ｏ３的低Ｂ值ＮＴＣ热敏电阻材料，Ｎｂ２Ｏ５的引入，在烧结过程中可能在两主晶相晶粒的表层分别产生ＶＢａ和Ｖｏ，影响烧结过程中的扩散机制。当Ｎｂ２Ｏ５的引入量约为１．０ｍｏｌ％时，可促进该系列材料烧结成致密瓷。     

弛豫铁电体中激活能的讨论

从德拜弛豫理论出发,通过介电温度谱得到弛豫时间温度谱,由此计算弛豫铁电体的弛豫激活能Ｑ和指数前因子τ０。计算得Ｐｂ（Ｓｃ０．５Ｔａ０．５）Ｏ３（ＰＳＴ）单晶（有序度Ｓ＝０．３５）,ＰＳＴ陶瓷（Ｓ＝０．４０）,０．８５Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－０．１５ＢａＴｉＯ３（ＢＺＮ－ＢＴ）陶瓷,０．９３Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－０．０７ＰｂＴｉＯ３（ＰＭＮ－ＰＴ）陶瓷４种典型弛豫铁电体激活能Ｑ     

低电阻率PTCR热敏陶瓷材料的研制

采用草酸盐和铵盐溶液法制备ＰＴＣＲ热敏陶瓷的前驱体（Ｂａ＿ｘＳｒ＿（１－ｘ））ＴｉＯ＿３和（Ｂａ＿ｙＰｂ＿（１－ｙ））ＴｉＯ＿３，加入半导化剂Ｓｂ＿２Ｏ＿３、或Ｎｂ＿２Ｏ＿５，以及ＡＳＴ剂（Ａｌ＿２Ｏ＿３、ＳｉＯ＿２和ＴｉＯ＿２）等，研制成功低电阻率（ρ≈１０Ω．ｃｍ）　的ＰＴＣＲ热敏陶瓷产品。     

碱土云母可切削玻璃陶瓷的研究

基于Ｂａ０．５Ｍｇ３（Ｓｉ３ＡｌＯ１０）Ｆ２－Ｍｇ２Ａｌ４Ｓｉ５Ｏ１８－Ｃａ３（ＰＯ４）２系统，制备出了含Ｂａ碱土云母为主晶相的可切削玻璃陶瓷，弯曲强度σｂ＝２２９ＭＰａ，断裂韧性ＫＩＣ＝２．４８ＭＰａ．ｍ＾１／２，钻孔速度大于７ｍｍ／ｍｉｎ。优良性能的获得借助于Ｂａ云母玻璃陶瓷可控的微观组织，即相互交错的云母晶体和“卷心菜”的组织特征。     

烧结温度对PSBN铁电陶瓷介电性能的影响

用普通的电子陶瓷工艺制备了ＰｂＯ－ＳｒＯ－ＢａＯ－Ｎｂ２Ｏ５（ＰＳＢＮ）系统民陶瓷，研究了ＰＳＢＮ系统铁电陶瓷的介电性能与烧结温度的关系，ＸＲＤ分析表明：ＰＳＢＮ系统铁电陶瓷的主晶相是Ｐｂ０．７Ｂａ０．３Ｎｂ２Ｏ６（ＰＢＮ）、Ｓｒ０．５Ｂａ０．５Ｎｂ２Ｏ６（ＳＢＮ）和Ｂａ０．２７Ｓｒ０．７５Ｎｂ２Ｏ５．７８（ＢＳＮ），将这一复杂的化学系统看作三元系固熔体，其中ＰＢＮ、ＳＢＮ和ＢＳＮ各相比例随烧结温     

细晶氧化铝瓷研究

实验研究ＣａＯ－ＭｇＯ－ＳｉＯ２熔块对Ａｌ２Ｏ３瓷烧结的作用结果表明：在２０％ｗｔ％ＣａＯ，３０ｗｔ％ＭｇＯ，５０ｗｔ％ＳｉＯ２区域附近的熔块能很好地促进Ａｌ２Ｏ３瓷的低温烧结；除了第２相对晶界的钉扎作用以及固溶作用外，ＭｇＯ在烧结中的作用能维持ＣａＯ／ＳｉＯ２比，即维持烧结系统中的液相量；Ｌａ２Ｏ３，Ｓｍ２Ｏ３能使Ａｌ２Ｏ３瓷的烧结温度下降大约３０℃，其表面显微结构也有所改善。     

复合钙钛矿结构高温压电陶瓷材料的研究

研究了Ｐｈ（Ｃｄ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３，Ｂｉ２／３（Ｃｄ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３以及Ｂｉ（Ｃｄ１／２Ｔｉ１／２）Ｏ３改性的ＰｂＴＩＯ３陶瓷的高温压电性能．结果表明，对ＡＢＯ３型钙钛矿结构的ＰｂＴＩＯ３进行Ａ和Ｂ位复合取代可得到压电性能优良、适合于高温应用的压电陶瓷材料．其优良的压电性能及较好的温度稳定性与Ｂｉ３＋的半径、Ｂｉ３＋在Ａ位取代所产生的铅缺位以及Ｂ位复合取代的钙钛矿结构化合物较高的居里温度有关．     

一种四元系压电陶瓷材料的研究

通过对Ｐｈ（Ｓｎ１／３Ｎｂ２／３）Ａ（Ｌｉ１／４Ｎｂ３／４）ＢＴｉｃＺｒＤＯ３（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ＝１）四元系压电陶瓷材料的组分、添加物，取代物的研究，找到了这一四元系压电陶瓷材料的最佳组成，其性能满足了发射型换能器件对压电陶瓷材料的性能要求。     

PZN—PT—BT陶瓷的铁电弛豫现象

研究了Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ２－ＰｂＴｉＯ３－ＢａＴｉＯ３（ＰＺＮ－ＰＴ－ＢＴ）系陶瓷的介电弛豫、热释电等现象与ＰｂＴｉＯ３含量的关系。探讨了热处理工艺对０．７５ＰＺＮ－０．２０ＰＴ－０．０５ＢＴ陶瓷的结构和性能的影响。运用宏畴－微畴理论对所得的实验现象进行了解释。     

一种压电陶瓷降压变压器材料的制备

一种新型添加ＣａＣＯ３、Ｂｉ（Ｃｄ１／２Ｔｉ１／２）Ｏ３、ＭｎＯ２的改性ＰｂＴｉＯ３是压电陶瓷降压变压器的较佳材料、在采用传统的陶瓷制备工艺的基础上,通过实验研究了预烧合成、烧成及人工极化等主要工艺条件对材料性能的影响,得到了这种材料的优化制备工艺。