高压大功率VDMOSFET终端技术的研究

对实现ＶＤＭＯＳＦＥＴ高耐压水平的场限环结合场板的结终端技术进行了研究．分析了表面电荷密度对耐压水平和优化环间距的影响．计算结果与文献中的数值模拟结果相符合     

加州鲈鱼食性驯化技术要点

加州鲈鱼食性驯化技术要点徐如卫，江锦坡（浙江水产学院水产养殖系，宁波３１５０１０）ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＩＣＡＬＫＥＹＳＴＯＤＯＭＥＳＴＩＣＡＴＩＯＮＯＦＦＯＯＤＨＡＢＩＴＯＦＬＡＲＧＥ－ＭＯＵＴＨＢＬＡＣＫＢＡＳＳＭＩＣＲＯＰＴＥＨＵＳＳＡＬＭＯＩＤＥ...     

夏大豆苗期摘心诱导双茎栽培研究初报Ⅰ．不同叶位摘心诱导双茎栽培试验分析

夏大豆苗期摘心诱导双茎栽培研究初报Ⅰ．不同叶位摘心诱导双茎栽培试验分析卢思慧，王茹芳，刘秀英（河北省沧州市农林科学院沧州，０６１００１）ＰＲＩＭＡＲＹＳＴＵＤＹＯＮＴＨＥＣＵＬＴＩＶＡＴＩＯＮＯＦＤＵＡＬＳＴＥＭＳＳＵＭＭＥＲＳＯＹＢＥＡＮＤＥＲＩＶ...     

草鱼同工酶的组织分布及遗传结构分析

采用聚丙烯酰胺垂直板状连续电泳的方法，对草鱼（Ｃｔｅｎｏｐｏｈａｒｙｎｇｏｄｏｎｉｄｅｌｕｓ）的脑（Ｂ）、晶体（Ｅ）、心脏（Ｈ）、肾脏（Ｋ）、肝脏（Ｌ）、肌肉（Ｍ）等六种组织进行了十一种同工酶（α－ＡＭＹ，ＥＳＴ，ＧＯＴ，Ｇ３ＰＤ，Ｇ６ＰＤ，ＩＤＨ，ＬＤＨ，ＭＤＨ，ＭＥ，ＰＯＸ，ＳＯＤ）的电泳研究，并对各种酶的同工酶位点及酶谱表型进行了分析，其中α－ＡＭＹ和ＰＯＸ还未见报道。结果表明α－ＡＭＹ，ＥＳＴ，Ｇ３ＰＤ，ＬＤＨ，ＭＤＨ，ＭＥ，ＰＯＸ，ＳＯＤ存在不同程度的组织特异性，ＧＯＴ和Ｇ６ＰＤ则无明显组织差异。对草鱼的α－ＡＭＹ，Ｇ３ＰＤＹ和ＰＯＸ的遗传基础、亚基组成及ＬＤＨ特殊的酶谱表达模式等问题进行了讨论。     

弓斑东方鱼屯同工酶生化表现型的初步研究

利用聚丙烯酰胺凝胶垂直平板电泳方法，对弓斑东方（ｆｕｇｕｏｃｅｌａｔｕｓ）的５种同工酶ＥＳＴ、ＬＤＨ、ＳＯＤ、ＰＯＤ、α－ＡＭＹ进行了研究，分析了其组织特异性，讨论了各同工酶的基因表达谱式，观察到ＥＳＴ同工酶谱复杂，可分成三个区域；ｓ－ＭＤＨ同工酶有二个基因座位，ｍ－ＭＤＨ同工酶不稳定；ＳＯＤ同工酶有三个基因位点，本文还对需进一步研究的问题和各同工酶的应用前景进行了讨论．     

POLYCYCLE－COMPOUNDING STRUCTURES AND REGIONAL LAYERSLIP－DIPSLIP SYSTEMS：IMPLICATIONS FOR THE TARIM BASIN，XINJIAN

ＰＯＬＹＣＹＣＬＥ－ＣＯＭＰＯＵＮＤＩＮＧＳＴＲＵＣＴＵＲＥＳＡＮＤＲＥＧＩＯＮＡＬＬＡＹＥＲＳＬＩＰ－ＤＩＰＳＬＩＰＳＹＳＴＥＭＳ：ＩＭＰＬＩＣＡＴＩＯＮＳＦＯＲＴＨＥＴＡＲＩＭＢＡＳＩＮ，ＸＩＮＪＩＡＮ￥ＳｕｎＹａｎ；ＪｉａＣｈｅｎｇｚａｏ（Ｄｅ...     

EXPERIMENTSTUDYONTHERELATIONSHIPBETWEENKINKANDMYLONITE

ＥＸＰＥＲＩＭＥＮＴＳＴＵＤＹＯＮＴＨＥＲＥＬＡＴＩＯＮＳＨＩＰＢＥＴＷＥＥＮＫＩＮＫＡＮＤＭＹＬＯＮＩＴＥＬｕｈｕａｆｕ１）ＳｈｉＨｕｏｓｈｅｎｇ１）Ｃ．Ｊ．Ｌ．ＷＩＬＳＯＮ２）（１）ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＥａｒｔｈＳｃｉｅｎｃｅｓ，Ｎａｎｊｉ...     

LARGETIMEBEHAVIOROFSOLUTIONSTOACHEMICALREACTION┐DIFFUSIONSYSTEM

ＬＡＲＧＥＴＩＭＥＢＥＨＡＶＩＯＲＯＦＳＯＬＵＴＩＯＮＳＴＯＡＣＨＥＭＩＣＡＬＲＥＡＣＴＩＯＮ┐ＤＩＦＦＵＳＩＯＮＳＹＳＴＥＭＪｉａｎｇＣｈｅｎｇｓｈｕｎＸｉｅＣｈｕｎｈｏｎｇ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＭａｔｈｅｍａｔｉｃｓ，ＮａｎｊｉｎｇＵｎｉｖ...     

A COMPARATIVE STUDY OF THE TWO TRANSLATIONS OF MOONLIGHT ON THE LOTUS POND

ＡＣＯＭＰＡＲＡＴＩＶＥＳＴＵＤＹＯＦＴＨＥＴＷＯＴＲＡＮＳＬＡＴＩＯＮＳＯＦＭＯＯＮＬＩＧＨＴＯＮＴＨＥＬＯＴＵＳＰＯＮＤ①ＬｉｕＸｉａｏｈｕａⅠ．ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＴｈｉｓｐａｐｅｒｉｓｉｎｔｅｎｄｅｄｔｏｍａｋｅａｃｏｍｍｐａｒａｔｉｖｅ...     

MIXED BOUNDARY VALUE PROBLEM FOR SECOND ORDER SYSTEM OF DIFFERENTIAL EQUATIONS OF THE ELLIPTIC TYPE

ＭＩＸＥＤＢＯＵＮＤＡＲＹＶＡＬＵＥＰＲＯＢＬＥＭＦＯＲＳＥＣＯＮＤＯＲＤＥＲＳＹＳＴＥＭＯＦＤＩＦＦＥＲＥＮＴＩＡＬＥＱＵＡＴＩＯＮＳＯＦＴＨＥＥＬＬＩＰＴＩＣＴＹＰＥＣｈｅｎＱｉｎｇｘｉａｎｇ（陈庆祥）（ＺｈｏｎｇｓｈａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｇ...     

VDMOS结构击穿电压的设计与分析

本文引用了附加有浮动电位保护环和场板的ＶＤＭＯＳ结构击穿电压的解析表达式,描述了浮动电位保护环和场板效应的对穿通击穿电压的改进,经比较,理论结果与测量数据有较好的一致性。     

场限环耐压的准三维优化分析

分析和讨论了圆弧形掩膜的曲率半径对平面结终端耐压特点的影响．首次通过解析的方法，推导出了在计及平面结横向曲率效应，即准三维效应的条件下，优化单场限环结构击穿电压的归一化表达式，以及场限环间距的优化公式．本方法简便直观，可以直接用于场限环结构的优化设计．     

三层圆环摩擦弹簧的静力性能分析

在圆环摩擦弹簧（Ring Friction Spring,简称RFS）的基础上,提出了一种新型三层圆环摩擦弹簧（Three-layer Ring Friction Spring,简称TRFS）。首先,介绍其基本构造形式,分析其工作机理,推导其滞回行为的理论公式。其次,采用ABAQUS软件建立多组弹簧精细化有限元分析模型,并与理论计算结果进行对比,验证模型的准确性。进而分析不同参数对弹簧的滞回行为和截面应力分布状态的影响。结果表明,TRFS的滞回行为表现为“三角形”滞回模型,其加卸载阶段刚度和耗能能力受内外环倾角和摩擦系数的影响较大,而截面应力分布状态则主要受到内外环倾角的影响,且与相同规格的RFS相比,在产生相同轴向往复位移前提下,TRFS具备更大的承载能力、自复位能力及绝对耗能,内部空间的利用率更高。     

基于衬底偏压电场调制的高压器件新结构及耐压模型

提出一种基于衬底偏压电场调制的薄层硅基LDMOS高压器件新结构,称为SB LDMOS.通过在高阻P型衬底背面注入N~+薄层,衬底反偏电压的电场调制作用重新分配体内电场,纵向漏端电压由源端和漏端下两个衬底PN结分担,器件的击穿特性显著改善.求解漂移区电势的二维Poisson方程,获得表面电场和击穿电压的解析式,研究器件结构参数对表面电场和击穿电压的影响.仿真结果表明,与埋层LDMOS相比,SB LDMOS击穿电压提高63%.     

一种永磁轴承的设计和磁场分布的解析计算

从永磁体的分子电流观点出发,应用矢量磁位法,对轴向均匀充磁的永磁环,建立用完全椭圆积分表示的永磁环外部空间磁势和磁场分布的解析计算表达式.根据矢量迭加原理,应用该公式可计算1块至多块永磁环并列放置时其外部空间的磁场分布.通过对单块永磁环磁场分布的仿真计算和实验测试数据比较,磁感应强度计算误差不超过8%,验证了计算公式的正确性.     

三极管与场效应管的对照分析

用对照的方法对三极管与场效应管及其放大电路进行了分析,尤其是将三极管也视为电压控制器件来与场效应管对比,以说明两种管子及其放大电路的工作原理、分析方法的实质是相同的。     

非对称Halo的异质栅SOI MOSFET阈值电压解析模型

为了改善MOSFET的短沟道效应和驱动电流，首次提出了非对称Halo掺杂的异质栅SOIMOSFET结构，这种结构在沟道源端一侧注入浓度较高的杂质，再由具有不同功函数的两种材料拼接形成栅极．通过求解二维电势Poisson方程，建立了全耗尽器件表面势和阈值电压的解析模型．研究表明，该结构能有效抑制漏致势垒降低和热载流子效应，且在沟道长度小于100nm条件下，阈值电压表现出明显的反短沟道特征，在Halo和栅材料界面附近的电场峰值使通过沟道的载流子的传输速度显著提高，解析模型与二维数值模拟软件MEDICI所得结果吻合度较高．     

一种新的HEMT器件I－V特性解析模型

提出一种考虑速度过冲效应的ＨＥＭＴ器件Ｉ－Ｖ特性解析模型．在非线性电荷控制模型的基础上，对栅极下面沟道中靠近源端附近的电场采用弱强阶梯场近似，提出了一个半经验的速度过冲模型．经实际计算结果表明，本模型具有比较高的精度     

VDMOS器件击穿特性研究

本文给出了具有场环和场板的穿通型ＶＤＭＯＳ结构的击穿电压的解析表达式。产通过与在ｎ／ｎ＾＋外延衬底上制造的带有场环的二级管结构的ＶＤＭＯＳ器件的实验结果，进行比较，二者吻合的很好。