多层陶瓷电容器端电极附着力研究

结合生产实际,从多层陶瓷电容器（ＭＬＣ）端电极的附着机理入手,对所用材料及制作工艺进行多方面的实验研究,制作出符合ＭＬＣ产品要求的端电极,并使小尺寸ＭＬＣ适用ＳＭＴ技术水平．     

Cu表面氧化规律及其对铜—陶瓷材料键合强度的影响

在用于电力半导体模块的新型封装材料ＣｕＡｌ２Ｏ３陶瓷直接键合基板中,Ｃｕ与Ａｌ２Ｏ３间形成的键合,是通过ＣｕＡｌＯ化学键,以Ｃｕ２Ｏ为中介形成的,其键合强度主要受ＣｕＣｕ２Ｏ之间的结合力限制．从而可以认为,铜箔表面的氧化层对键合强度起着极为重要的作用．为此,文中对Ｃｕ表面的氧化规律、氧化层厚度与时间和温度间的关系及其对ＤＣＢ板界面键合强度的影响进行了仔细的研究,获得了较理想的结果．     

Si/Si低温键合界面的XPS研究

利用金属过渡层的方法实现了Si/Si低温键合.拉力测试表明,温度越高,键合强度越大.采用X射线光电子能谱对Si/Si键合界面进行了研究,结果表明,退火样品的界面主要为Au-Si共晶合金;Si-Au含量比随着退火温度的升高和刻蚀深度的增加而增大.     

基于键合图的多个设计方案的研究

本文根据键合图理论,通过键合图的扩展的三种方法开辟了一系列的设计方案,探讨概念设计的键合图方法。键合图方法既为计算机辅助概念设计提供工具,也为创新设计提供思路。     

用于三维封装的多层芯片键合对准技术

采用离心力使硅片直角边与模具凹槽直角边贴紧对准的思想,提出了一种用于三维系统封装的多芯片对准技术.基于该技术原理制作了对准装置,并实现了多芯片一次性对准键合(6层芯片).具体过程包括:加工带方形凹槽的模具;将芯片切割为形状一致的方形,并保证边缘整齐;将芯片置入凹槽并旋转模具,对准后停止旋转并夹紧固定堆叠芯片;将固定后的芯片转移至键合腔内实现键合,试验测试键合后对准误差为4μm.具体分析了影响多层芯片对准精度的因素,并提出了优化方案,论证了离心对准技术的可行性.     

多层陶瓷电容器端电附着力研究

结合生产实际，从多层陶瓷电容器（ＭＬＣ）端电极的附着机理入手，对所用材料及制作工艺进行多方面的实验研究，制作出符合ＭＬＣ产品要求的端电极，并使小尺寸ＭＬＣ适用ＳＭＴ技术水平。     

汽车系统分析的键合图法

文中介绍了键合图方法的基本原理及国内外发展状况 ,指出它是对工程系统进行动态分析的一种新方法 ,这种方法特别适合于研究多种能量范畴耦合的复合系统 文中将其应用于汽车系统分析 ,着重以汽车二自由度振动系统为例 ,叙述了利用键合图来建立各种不同模型 (比如系统方块图、状态方程以及传递函数等等 )的方法     

基于UV光照射在硅片表面活化的阳极键合工艺研究

为了减少阳极键合试验时Si片和Pyrex玻璃片的键合困难,提高硅片表面活性和键合质量,在阳极键合的表面预处理工艺中引进UV光对硅片的活化并对其工艺参数和效果进行评估。基于阳极键合实验的基本流程,采用对比实验,探究UV光对硅片的照射与否,以及对硅片照射的时间长短对硅片表面的影响,并利用大恒图像系列数字摄像机、单轴拉伸测试仪分别对UV光照射前后硅片的活化效果和键合强度进行了测试与表征。结果表明经过该UV光源适当4 min时间照射的硅片,其表面的亲水键合活化能得到很大提高,可以显著地改善键合片的表面状况。验证了该工艺在阳极键合的预处理方法上的可行性和有效性。     

离子选择电极法测定蔗糖中Cu^2＋含量的研究

采用离子选择电极法测定蔗糖中铜的含量。方法简便、快速准确。标准曲线线性范围１．００×１０＾－６￣１．００×１０＾－４ｍｏｌ／Ｌ，平均回收率１０１．５％，ＲＳＤ＝２．４％（Ｎ＝４）。     

铜在8－羟基喹啉修饰铅笔芯电极上的伏安特性

本文用８－羟基喹啉修饰的铅笔芯电极研究了铜的阶梯阳极溶出伏安特性，并将此法用于人发中微量铜的测定。实验指出，在此修饰电极上，铜的阶梯溶出峰有两个，１＃峰电位在－０．０３Ｖ，２＃峰电位在０．２７Ｖ处。同样的试液和条件下，１＃峰总比２＃峰的峰电流大。实验研究了测定铜的最佳条件，并测得铜的浓度在４．０×１０－８～１．６×１０－６ｍｏｌ·Ｌ－１范围内，１＃峰的峰高与浓度呈良好的线性关系，最低检测限为２×１０－８ｍｏｌ·Ｌ－１。２＃峰高与铜的浓度在６．０×１０－８～１．６×１０－６ｍｏｌ·Ｌ－１范围内也有较好的线性关系，也可用于测定铜。本文还分析了铜在修饰电极上的反应机理     

多壁碳纳米管石墨糊修饰电极阳极溶出伏安法测定铜

制备了MWNT-石墨糊修饰电极,研究了以该电极为工作电极,用阳极溶出伏安法测定Cu2 的最佳实验条件.在0.6mol/L硫酸溶液中,于-0.6V(vs.SCE)处富集420s后进行阳极溶出伏安扫描.Cu2 浓度在1×10-6-2×10-5mo/L范围内与峰电流成线性关系;在5×10-7-4×10-6mo/L范围内与峰电流二次导数呈线性关系.检出限为1.25×10-7mol/L.     

共沉淀法制备ZnO压敏陶瓷的烧结缺陷研究

本文研究了共沉淀法制备ＺｎＯ压敏陶瓷材料烧结缺陷的特点及其对压敏特性的影响．结果表明,晶粒表面所形成的微空洞主要由ＺｎＯ的分解挥发产生,晶界的微空洞则主要是由富集于晶界处的Ｂｉ２Ｏ３分解挥发产生．并对这两类烧结缺陷的形成进行了初步讨论．     

溅射金膜对氧化铝陶瓷纳秒脉冲真空沿面闪络的影响

研究了溅射金膜对氧化铝陶瓷在真空环境中、纳秒脉冲高电压作用下沿面闪络特性的影响规律.通过对氧化铝陶瓷表面粗糙度、电极接触形式的研究,并结合表面态陷阱、界面能带结构、电荷注入过程的分析,探究了影响氧化铝陶瓷溅射金膜后沿面闪络电压的主要原因.在50 ns/1.2μs脉冲下、电极间距10 mm时,测量各试样的闪络电压60次,取后30次平均值作为稳定的闪络电压.研究结果发现,氧化铝陶瓷在溅射金膜电极试样的闪络电压比直接压接电极试样的闪络电压低,这是因为在不同电极接触方式下,氧化铝陶瓷材料的表面态对真空中的电子发射和材料表层的电荷注入的影响不同所致.     

铜／钢液固相复合界面冶金行为的研究

以液固相复合法生产的铜包钢线为研究对象,利用光学显微镜和扫描电镜的能谱等手段分析了铜／钢界面区的组织形态和成分组成。结果表明：在界面区发生了互扩散,形成了Fe、Cu固溶体,无脆性的金属间化合物产生,这使得该复合材料具有较好的微观结合力。     

用小型IO_4~-选择性电极催化电位法则定血清和头发中痕量铜

本文用自制小型PVC膜IO_4~-电极(膜有效直径1.5mm)作为指示反应中IO_4~-浓度的监测器,建立了催化电位法测定血清和头发中痕量铜的方法,单次测定结果与原子吸收法比较,相对误差小于3.5%。同时对反应的表观活化能和机理进行了初步的探讨。     

ZnO压敏陶瓷的研究现状

ZnO压敏陶瓷是一类电阻随加于其上的电压而灵敏变化的电阻材料.本文阐述了它的非线性伏安特性及非线性伏安特性的微观解析,并概述了它的主要应用及发展趋势.     

铜／钢液固相复合工艺的实验研究

用液-固相复合法制备铜包钢线，并研究了预热温度、铜液温度和复合时间等工艺参数对铜包钢线的包覆比的影响．结果表明，在接触初期，随着接触时间的增加，铜层厚度和包覆比增加，当热流达到平衡时，包覆比达到最大，最大可达77％，之后包覆比逐渐减小．钢芯线预热温度和铜液温度的升高使包覆比下降，重熔时间缩短．