应变层超晶格（ZnSe）n／（ZnS）m的亚带结构

本文讨论了应变对越晶格（ＺｎＳｅ）＿ｎ／（ＺｎＳ）＿ｍ在Ｔ点带边结构的影响，计算了带偏移：并在双量子阱近似下，用有效质量近似方法计算了应变层超晶格（ＺｎＳｅ）＿ｎ／（ＺｎＳ）＿ｍ的亚带结构。     

应变层超晶格（CdTe）n／（ZnTe）m的带偏移与亚带结构

本文由形变势理论研究了应变对超晶格（ＣｄＴｅ）ｎ／（ＺｎＴｅ）ｍГ点带边的影响计算了带偏移。在有效质量近似下，计算了对称的双量子阱中的亚带结构随阱宽与垒宽的变化规律及电子和空穴的几率密度分布。     

半导体应变超晶格及其应用

介绍了力学平衡模型和能量平衡模型，分析了半导体应变超晶格的临界厚度，及半导体超昌格在光电学中的应用。     

Te掺杂ZnSe/[(CdSe)_l(ZnSe)_3]_m超晶格荧光光谱

对垒区Ｔｅ掺杂浓度不同的ＺｎＳｅ／［（ＣｄＳｅ）１（ＺｎＳｅ）３］ｍ短周期超晶格量子阱的稳态和瞬态荧光进行了实验研究，通过不同激发强度下逐级饱和过程测得ＺｎＳｅ垒区自由激子寿命为３５ｐｓ，［（ＣｄＳｅ）１（ＺｎＳｅ）３］７阱区自由激子寿命为１７７ｐｓ，束缚在不同ｎ值的Ｔｅｎ束缚激子的复合寿命为０．５～１０ｎｓ．揭示了Ｔｅ掺杂浓度对能量传递、荧光波长和荧光寿命的灵敏的影响及其规律．     

应变层超晶格界面AlSb—GaSb,AlSb—InSb和GaSb—InSb的…

采用平均键能理论结合形变势方法对由ＡｌＳｂ，ＧａＳｂ和ＩｎＳｂ所构成的应变超晶格界面在任意应变状态下的价带偏移值进行了确定，并分析了阳离子浅ｄ轨道对价带偏移值的影响。     

应变超晶格(InxGa1-xAs)n/(GaAs)n(001)的电子结构和光学性质

用半经验的紧束缚方法ｓｐ３ｓ＊计算了薄层应变超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ（００１）的电子结构．给出了组份Ｘ为０．５３的超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ的带隙值随层厚ｎ的变化关系,以及超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）１２／（ＧａＡｓ）１２的带隙值随组份Ｘ的变化关系．在得到超晶格能量本征值和本征函数的基础上,计算了该超晶格系统的光学介电函数虚部,并与体材料ＧａＡｓ和体合金ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ的光学性质作了比较．计算结果表明,应变超晶格在较宽的能量范围有较好的光谱响应．     

不同应变状态下超晶格InAs／GaAs的电子结构

采用内部求和空ｄ轨道处理下的线性丸盒轨道方法，对以ＩｎＡｓ为衬底和以ＧａＡｓ为衬底以及ＩｎＡｓ层和ＧａＡｓ层自由形变三种不同的应变状态下的超晶格（ＩｎＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ（００ｌ），（ｎ＝１，２，３，４，５）的电子结构进行了全面的第一性原理计算，得出了其能带结构、带隙值及态密度分布，考察了各能隙随层厚的变化规律以及带隙的应变效应，所得结果与光致发光实验数据以及从头计算赝势方法对以ＧａＡｓ为衬底的单层超晶格（ＩｎＡ）１／（ＧａＡｓ）１的计算结果相一致．     

应变层超晶格界面AISb－GaSb，AISb－InSb和GaSb－InSb的价带偏移

采用平均键能理论结合形变势方法对由ＡＩＳｂ，ＧａＳｂ和ＩｎＳｂ所构成的应变超晶格界面在任意应变状态下的价带偏移值进行了确定，并分析了阳离子浅ｄ轨道对价带偏移值的影响．结果表明，它们的价带偏移值具有显著的应变效应，此一显著的应变效应来源于应变的单轴分量及其与自旋－轨道分裂能量的耦合．这一效应导致了ＡＩＳｂ－ｌｎＳｂ和ＧａＳｂ－ＩｎＳｂ系统中最高价带排列的Ⅰ－Ⅱ型超晶格的转变．     

ZnSe/SiO2复合材料光学吸收特性的研究

采用溶胶-凝胶原位析晶法和高温还原热处理工艺制备了ZnSe/SiO2纳米复合材料.通过吸收光谱和Z-Scan技术对材料的光学吸收特性进行了表征.在吸收光谱中,不同ZnSe摩尔分数的样品的吸收边相对于ZnSe体材料发生了不同程度的蓝移,蓝移量与复合材料中ZnSe纳米晶粒的尺寸有关,根据量子尺寸效应估算了复合材料中ZnSe纳米晶粒的平均尺寸大约为3~4 nm.利用Z-Scan技术测定了ZnSe摩尔分数为0.01和0.03的ZnSe/SiO2纳米复合材料的双光子吸收系数.ZnSe/SiO2纳米复合材料在不同强度的入射光的激发下其出射光强度与入射光强度之间的关系呈现光学限幅特征,ZnSe摩尔分数为0.01的样品的限幅阈值为5 962 GW/m2,嵌位输出值约为4 800 GW/m2,限幅的破坏阈值为12 400 GW/m2.     

（ZnS）n／（Si2）n（110）超晶格的电子结构和光学性质

用线性Ｍｕｆｆｉｎ－ｔｉｎ轨道（ＬＭＴＯ）能带计算方法对晶格匹配的超晶格系统（ＺｎＳ）ｎ／（Ｓｉ２）ｎ（１１０）（ｎ＝２～５）进行超原胞自洽计算．在此基础上，用冻结势方法计算了该超晶格系统的价带带阶；用四面体方法计算了该系统的联合态密度．结果表明，该超晶格系统的价带带阶约１．５ｅＶ．还讨论了（ＺｎＳ）ｎ／（Ｓｉ２）ｎ（１１０）超晶格系统的光学性质．     

Polar Optical Vibration Modes in Semiconductor Superlattices

ＰｏｌａｒＯｐｔｉｃａｌＶｉｂｒａｔｉｏｎＭｏｄｅｓｉｎＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＳｕｐｅｒｌａｔｉｃｅｓＫｕｎＨｕａｎｇ,Ｂａｎｇ－ｆｅｎＺｈｕＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ,ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓＰ．...     

表面超晶格在电场下的子带结构和带间光跃迁

本文着重研究了表面超晶格，即二维调制电子气在外加电场下的子能带结构．计算结果表明，对于本文研究的一种特殊构型的表面超晶格，由外加调制结构引起的子能带带隙，态密度和与子能带带间光跃迁相联系的光学吸收峰都会随着电场的变化而发生显著的变化．     

光声技术测量液体吸收系数的数据仿真及实验验证

提出了用脉冲光声技术测量样品吸收系数的方法.首先假设光在某些样品中传播其强度是沿一指数曲线衰减.则探测器探测到的光声信号可看作是指数衰减曲线与探测器脉冲响应卷积的结果,通过衰减系数的值反映出光吸收系数的大小.用数据仿真及实验验证的方法对文中提出的理论做了论证,所获得的结果与用其他方法所获得的测量结果有一定的吻合性,这为光声技术的无损检测提供了一种参考方法.     

光杠杆法测定液体表面张力系数

把浸润在液体中的物体拉起,它的底边会带起一层液膜。液膜张力对物体具有向下的作用,而且液体表面张力是一个微小的量值。文章根据光杠杆放大原理,测量出弹簧在液体表面张力作用下的微小伸长量,从而求出液体表面张力系数,得出理想的效果。     

GaAs／Ga_（1－x）Al_xAs超晶格结构中量子磁隧穿传输系数的计算

该文特厄密函数作为包络波函数，利用传递矩阵方法计算了电子隧穿ＧａＡｓ／Ｇａ（１－ｘ）ＡｌｘＡｓ双量子阱超晶格在外加电磁场作用下的传输系数，并对计算结果作了讨论．