晶体电光调制实验模拟激光通信

在实验室中应用电光调制模拟激光通信,讨论了晶体电光调制理论并通过对比实验中采集的调制信号和解调信号的波形,分析晶体的电光调制特性对激光通信质量的影响,明确了调制信号静态工作点的位置以及调制信号幅度是影响激光通信质量的两个重要因素。     

调制器的偏置电压控制板中PID调节器的设计

在光通信领域目前较好的调制方式就是外调制方式,它采用的是在激光器发射的光路上加入调制器的方式,并在调制器载入要传输的有效信号(调制信号),并对激光载波信号进行调制后传输出去。但随着实验环境、器件温度的上升等因素的影响,调制器件的偏置电压(以保证传输信号不失真的电压工作点)会发生漂移,影响信号的传输质量,为此有必要在发生漂移之前检测到。此种设计方案能够很好地解决偏置电压工作点漂移的问题。     

双输出激光强度电光调制

根据激光强度电光调制原理设计了双输出激光强度电光强制器，利用自行组装的实验系统进行实验，获得了比普通激光强度电光调制器的信噪比。     

电光调制实验系统的设计

调制是光电系统中的一个重要环节，目前普遍采用的是电光调制、声光调制等调制方法。本文设计了一种基于锂酸铌电光晶体的电光调制实验系统。该电光调制实验系统主要是验证电光调制原理，并介绍了电光调制在激光通信方面的应用。通过此系统，可以了解晶体电光调制的原理和实验方法，学会在此系统中测量晶体的半波电压，电光系数和消光比等参量。     

LiNbO3晶体电光调制中半波电压测量方法研究

在基于一次电光效应的光学电压传感器中,电光晶体的半波电压是影响传感器输入输出特性的关键参数之一。通过对电光调制原理的深入分析,选用LiNbO_3晶体搭建半波电压测量平台,针对关键参数半波电压进行了测量。对试验所选用的LiNbO_3晶体的半波电压进行了理论计算,并与实际结果进行对比;分析影响LiNbO_3晶体半波电压的因素,并指出在实际工程应用中应考虑的问题。     

纳秒级脉冲电压的电光测量

为避免强电磁脉冲ＥＭＰ（ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃｐｕｌｓｅ）的瞬间电场对军用和民用设施产生很大的破坏，准确测量ＥＭＰ的高速变化的电场，从而利用铌酸锂（ＬｉＮｂＯ３）晶体的电光效应，采用横向运行方式，研制成电压、电场传感器。以理论分析和计算作定性估计，指导调整光学器件；巧妙利用机械加工的精确度保证传感器上光学器件的相对定位和准直；用实验调整进行定量研究。利用纳秒脉冲电压发生器（ＭＦＤ－１）产生的方波电压，对此传感器性能进行了测试，测试结果表明：传感器上升时间小于５ｎｓ（波形有一点过冲）和７ｎｓ（波形无过冲）；测量误差在５％左右。     

LCD偏置电压的数字建模方法

在液晶显示屏驱动电路中,偏置电压具有多个取值,而其他信号均仅用"0"、"1"两个数字量表示,通常的液晶显示屏驱动电路建模需要采用verilog-A建模方法.根据COM和SEG建模后的数字量的状态去判断液晶显示屏是否处于显示状态,把COM和SEG的偏置电压分别用数字量"0"、"1"表示,从而实现LCD偏置电压的数字建模.这种方法简单有效,不仅可用于在不同偏置、不同种类波形液晶显示屏的偏置电压建模,而且也有利于带入到数字仿真后期的图形译码.     

低半波电压铌酸锂薄膜电光调制器仿真与分析

针对铌酸锂薄膜Mach-Zehnder电光调制器存在半波电压较大的问题,采用有限元法对方向耦合器耦合模理论进行分析,并对电光调制器的关键结构参数进行优化设计。结果表明：两干涉臂光功率差与波导耦合长度呈正弦函数分布,最小波导耦合长度随耦合间距的增大而增大。在调制臂长度为2 cm,光波长为1550 nm时,仿真计算的半波电压值V_π为0.9 V,半波电压长度积为1.8 V·cm,消光比达到26 dB。通过调制臂截面分析,得到静电场分量E_x,电位移矢量D_x,以及光模分布,并计算出电光重叠积分因子Γ为0.586。基于上述仿真结果,与以往现有的电光调制器的半波电压（1.4～10.2 V）相比,经优化后的电光调制器的半波电压更低,进而使器件的功耗更低,有利于大规模光电集成。     

立方氮化硼横向电光调制半波电压的测量

宽禁带半导体材料立方氮化硼(cBN)具有闪锌矿结构和43m点群对称性,因此cBN晶体也是电光晶体。用cBN晶体进行了横向电光调制,首次观察到cBN的电光效应,并且测得了样品的半波电压．     

偏置电压对离子电流信号影响的试验研究

研究了在用火花塞作传感器直接测量发动机缸内燃烧状态时检测占所加的偏置电压对检测信号的影响,提出可获得所需离子电流信号的适当的偏置电压为200－600V,研究中发现：当偏置电压不同时,不仅离子电流的幅值和持续时间不同,而且其波形也有较大差异,在燃烧过程中会出现单峰,双峰和三峰现象,当偏置电压增至5KV时,驻燃烧过程中有离子电流信号,而且在进,排气冲程中,离子电流信号也异常突出,给出了不同偏置电压下离子电流的波形特征,获得了较为理想的离子电流信号的曲线,为用火花塞作为检测传感器实现汽油机缸内燃烧信号的检测奠定了试验研究基础。     

非制冷热成像系统偏置电压的数值分析

在微测辐射热计理论分析的基础上,利用数值计算的方法讨论了偏置电压与噪声、噪声等效温差(NETD)及探测率D*性能参数的关系,确定了微测辐射热计最佳偏置电压范围在1.0~4.0 V,在该范围内可以获取67.7~41.1 mK的NETD,6.1×109~1.15×1010cmHz1/2/W的探测率,品质因子达到2.6~1.4。在1.0~4.0 V的偏置电压范围内,探测器的性能可达到最优化。     

雪崩光电二极管数控偏压源的设计

为保证雪崩光电二极管(APD)在温度变化的情况下始终处于最佳工作状态,人们研究了多种偏压控制方案。针对传统的偏压控制存在的缺陷,文章从APD的倍增机理出发,分析了温度对雪崩增益的影响,得到偏压与温度的特性曲线。基于偏压的虚警控制原理,利用单片机便于数据处理和存储的特点,设计了一个自动跟踪雪崩管击穿电压的数控偏压电路。该电路能在温度大幅度变化的情况下保证APD正常工作,适合于高频连续信号检测的光电系统。     

反向偏压下的异质结聚合物电致发光机理分析

成功制备了结构为ITO/PDDOPV/PPQ/Al的异质结聚合物发光二极管 ,其中PDDOPV是一种空穴型聚合物材料而PPQ是一种电子型聚合物材料 .该器件在正反向偏压下均可发光 .在正向偏压下的光发射主要来自PDDOPV ,但在反向偏压下的光发射则包括来自PPQ的蓝光发射和PDDOPV的黄光发射 .蓝光强度与黄光强度的比值随着反向偏压的增加而增加 .提出了加速电场的概念 ,并在此基础上从理论上分析了蓝光强度与黄光强度的比值随反向偏压的增加而增加的发光机理 ,指出了决定这一比值的主要因素 .     

等静压力及偏置电压下锆钛锡酸铅基反铁电体的介电行为

采用固态烧结工艺制备了位于反铁电（AFE）／铁电（FE）相界附近的PbLa（Zr，Sn，Ti）O3（PLZST）反铁电陶瓷样品．通过测定样品的相对介电常数及损耗与各种参量的关系，得到了等静压力及偏置电压对反铁电体铁电／反铁电相变及反铁电／顺电（PE）相变温度影响的规律．研究发现：极化了的PLZST反铁电材料在一定等静压力的作用下，随着偏置电压的增加其峰值相对介电常数增大，相对介电常数最大值对应的温度降低，FE／AFE转变温度上升，AFE／PE转变温度下降；当等静压力为0．1MPa时，单位偏置电压引起的居里点变化率为-1℃／kV，单位偏置电压引起的FE／AFE相变温度变化率为5．2℃／kV，当等静压力为60MPa时，分别为-2．2℃／kV和3℃／kV。     

偏压自激微波自差机

根据体效应振荡器的变负载检波特性,提出了一种新体制的微波自差机——偏压自激微波脉冲自差机.其特点是振荡器为脉冲微波振荡,其偏压处于自激振荡状态,整机探测距离较大,且具有良好的抗干扰性能。文章较详细地分析了利用体效应振荡器的静态负微分电导产生偏压自激的过程,并讨论了该体制中的多卜勒信号的检测问题。     

负偏压对电弧离子镀CrAlN涂层组织和性能的影响

采用电弧离子镀技术在高速钢基底上沉积CrAlN涂层.对CrAlN涂层的表面形貌、微观组织、显微硬度、结合强度、摩擦学性能进行了分析,研究了负偏压对CrAlN涂层组织和性能的影响.结果表明:在一定范围内随着负偏压的增加,涂层表面大颗粒数量逐渐减少,涂层变得更加致密;但过大的负偏压导致离子轰击作用过强,使涂层表面再次出现缺陷.当负偏压为 -200V时,涂层的晶粒尺寸最小,并具有良好的结晶度.涂层的显微硬度和结合强度均随负偏压的增加呈现出先增加后减小的趋势. 当负偏压为 -200V时,显微硬度达到最大值,为28.6GPa,同时具有最好的摩擦学性能.     

模拟掺杂和偏压对超晶格纵向输运的影响

结合宏观和微观模型,超晶格的纵向输运模型可以表达为以时间丁为独立变量的微分方程组．运用MATLAB软件进行模拟计算和优化,深入研究掺杂浓度和外加偏压的变化,对GaAs／AlAs掺杂弱耦合超晶格自维持振荡频率和振幅的影响．结果表明,电流振荡频率随偏置电压的增加而单调减小,振幅相对偏置电压也有大体上单调的变化．随着掺杂浓度的增加,振荡频率有非单调的变化,而振幅则单调地逐渐减小．电流振荡频率随偏置电压的变化趋势与已有的实验数据基本一致,其他模拟计算结果还有待进一步实验的验证．     

用于高速摄影的触发信号源

触发信号源采用半导体激光器,扇形光幕和原向反射器构成,可为高速摄影系统提供启动信号,成对使用可进行运动物体速度的测量.文中对微珠玻璃原向反射器的工作原理进行了理论分析,提出了剩余发散角的概念,并对商品微珠玻璃原向反射器的反射率和剩余发散角进行了测试,为设计触发信号源的光学结构提供了依据.同时给出了利用狭缝相机拍摄到的56式7.62mm枪弹运动姿态.实验结果表明触发信号源无框架装置有效作用区大,抗干扰能力强,不受环境照明条件的影响,具有非接触、可全天候工作、性能稳定可靠、使用灵活方便等特点.     

基于自由通讯口下的焊条生产线自动控制

应用S7-216的自由通信接口技术实现焊条生产线的自动控制．采用简单的控制方法实现在严格意义下的多回路调节控制，避免了多回路调节控制增加系统的复杂性和硬件成本等问题．介绍S7-200系列自由通讯口的编程和实现PLC对多台变频器的控制方法，讨论系统的硬件结构并且给出了部分实现控制的应用程序．