L—B单分子膜制备的MIS结构和电容电压特性

利用Ｌ－Ｂ单分子功能膜的绝缘性制作ＭＩＳ器件，通过对它的结构和电容－电压特性曲线的研究，发现ＬＢ膜可以改善ＭＯＳ器件的性能和消除ＭＯＳ器件的“异常”Ｃ－Ｕ特性现象，利用ＣＵ特性曲线可以检测Ｌ－Ｂ膜成膜质量，利用零偏压时的电容值可以计算各成膜材料的介电常数。     

金属—铁电薄膜—半导体结构的电容—电压特性理论分析

用半导体理论讨论了金属－铁电薄膜－半导体（ＭＦＳ）结构的电容－电压（Ｃ－Ｖ）特性，其结果表明：在ｎ型Ｓｉ基片上，理想ＭＦＳ的Ｃ－Ｖ曲线为逆时针回滞，有载流子注入的ＭＦＳ结构的Ｃ－Ｖ曲线为顺时针回滞，这与实验结果是一致的。     

用L-B膜实现MIS结构的C-V特性研究

测定了多种具有金属／L－B膜绝缘层／半导体（Si）结构的纳米厚度有机功能膜的C－V特性．研究发现C－V特性受到L－B膜的分子组分和氧化膜厚度的影响．     

研究MIS结构电荷特性的光Ⅰ～Ⅴ法

介绍以高能紫外激光为光源的、研究 MIS 结构电荷特性的光Ⅰ-Ⅴ法。简述了该法实验原理、实验装置和测试方法;给出了由传统热氧化的 SiO_2介质膜和新型快速热氮化的 SiOxNy 膜(缩写为 RTNF)组成的 MIS 结构的光Ⅰ-Ⅴ实验数据、体电荷密度和平均分布中心的实验结果。并就该法优缺点、应用前景及改进途径作了讨论.     

An／C_（60）－Polymer／P－Si结构C－V特性

报道了利用ＰＥＣＶＤ技术在Ｐ－Ｓｉ衬底抛光面上淀积含Ｃ６０聚合物薄膜及在薄膜表面蒸金形成Ａｎ／Ｃ６０－Ｐｏｌｙｍｅｒ／Ｐ－Ｓｉ结构．通过常温及温偏处理后的不同Ｃ－Ｖ特性，推算了聚合物薄膜中的几种电荷密度和介电常数，并对经过温偏处理后Ｃ－Ｖ曲线的畸变做了讨论．     

溶胶—凝胶法制备（Ba0.5Sr0.5）TiO3铁电薄膜及电性能研究

了一种以水为溶剂的（Ba0.5Sr0.5)TiO3(BST)源溶液,用Sol-Cel技术制备出BST薄膜,并研究了薄膜的结构和电性能,结果表明,厚度为160nm,700度保温1h的（Ba0.5Sr0.5)iO3薄膜呈现纯钙钛矿结构,在室温下,介电常数为220,介电损耗为0．047,漏电流密度为8.0*10^-8A/cm2,进一步研究发现,随着烧结温度的升高,薄膜的介电常数增高,介电损耗降低。     

聚（ε-己内酯）／纳米CaCO3复合材料结构与性能的研究

用熔融共混法制备了聚己内酯(PCL)／纳米CaCO3复合材料，考察了纳米CaCO3对PCL结晶性能和CaCO3含量对PCL／CaCO3复合材料力学及形状记忆性能的影响。DSC结果显示纳米CaCO3对PCL的成核结晶有一定的促进作用，辐照交联使PCL的结晶熔融温度和开始结晶温度提高5℃以上；DMA结果显示复合材料的模量随纳米CaCO3含量增加而增大，但高于40％后基本无变化。纳米CaCO3含量在5％～15％范围内能明显提高PCL的拉伸强度、弯曲强度和杨氏模量；辐照交联也起到增强各组分复合材料力学性能的作用，其变化的规律与交联前一致。复合材料经辐照交联后具有形状记忆特性，随着纳米CaCO3含量的增加，形变后的材料在熔融温度下开始回复所需时间缩短，回复速率加快，所有组成的样品在所测试的实验条件下最终回复率达97％以上。扫描电子显微镜观察表明纳米CaCO3粒子在PCL基质中无明显团聚现象。     

PU与PVAc互穿网络聚合物的研究

研究了蓖麻油聚氨酯（ＰＵ）与聚醋酸乙烯酯（ＰＶＡｃ）在室温下生成的互穿网络聚合物（ＩＰＮ）。通过ＦＴ－ＩＲ和凝胶含量的测定,说明此种ＩＰＮ是接枝型ＩＰＮ。考察了该ＩＰＮ的各种组成对带锈铁板的附着力、柔韧性、冲击强度以及搭接剪切强度的影响。结果表明,当ＰＵ／ＰＶＡｃ＝５０／５０（ｗ／ｗ,质量比）时,ＩＰＮ的剪切强度最大,在此条件下合成的ＩＰＮ涂料是带锈铁板的良好涂料。     

聚氨酯/苯并(口恶)嗪互穿聚合物网络的合成及表征

采用二步法 ,以部分交联的聚氨酯 (PU)为聚合物 ,以双酚 A型苯并嗪 (BA)为聚合物 合成了聚氨酯 /苯并嗪互穿聚合物网络 (PU/BA IPN) ,对产物的性能进行了研究 ,同时应用升温红外对 PU/BA IPN的聚合进行动态跟踪 .结果表明 ,材料的热力学性能受体系结构形态的影响较大 .而形态主要由聚合物 (即 PU)的交联密度控制 ,体系的组成对形态影响呈非线性 .体系中存在的活性官能团——氨基团对苯并嗪的开环聚合有催化作用 .     

MIM与MIS隧道结的结构特点及其发光效应

对ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ－Ｍｅｔａ）及ＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ－Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）隧道结的结构特点作了简单介绍，着重分析了其发光效应及发光光谱特性，并由此对隧道结的发光机理进行了讨论。     

Thermoreversible Thickening and Self-assembly Behaviors of pH/Temperature Dually Responsive Microgels with Interpenetrating Polymer Network Structure

The pH /temperature dually responsive microgels of interpenetrating polymer network（ IPN） structure composed of poly（ N-isopropylacrylamide）（ PNIPAM） network and poly（ acrylic acid）（ PAA） network（ PNIPAM /PAA IPN microgels） were synthesized by seed emulsion polymerization. The results obtained by dynamic laser light scattering（ DLLS） show that the microgels have good pH /temperature dual sensitivities. The temperature sensitive component and the pH sensitive component inside the microgels have little interference with each other. The rheological properties of the concentrated PNIPAM /PAA IPN microgel dispersions as a function of temperature at pH 4. 0 or 7. 0 were investigated by viscometer,and the results displayed that only at pH 7. 0 the dispersions presented thermoreversible thickening behavior. Then the PNIPAM /PAA fibers were prepared by self-assembly of the PNIPAM /PAA IPN microgels in the ice-crystal templates formed by unidirectional liquid nitrogen freezing method. Field emission scanning electron microscopy（ FESEM） images indicate that the PNIPAM /PAA fibers are rounded,randomly orientated and interweaved.     

聚2-乙烯基吡啶/聚苯乙烯互穿聚合物网络双电荷膜的合成

通过分步光聚合法制备聚2-乙烯基吡啶/聚苯乙烯(P(2-VP)/PS)IPN膜,采用苯环磺化和吡啶环季胺化分别引入正负双电荷,经过电镜、动态力学性能及交换容量的测试表明,所合成的双电荷IPN膜是双相连续并对Na~+及Cl~-有一定交换容量。     

聚丙烯酸丁酯／聚甲基丙烯酸甲酯ＬＩＰＮ的合成研究

采用乳液聚合合成的聚丙烯酸丁酯 (PBA) /聚甲基丙烯酸甲酯 (PMMA)乳胶型互穿网络聚合物 (LIPN) ,其乳胶粒子分布均匀属于核 /壳结构 ,其乳胶膜具有较好的强度和柔韧性 .运用IR、TEM对其结构进行了表征 .     

一种双层介质及MIS结构微带传输线传输常数的全波分析方法

推导了双层介质微带传输线的电场积分方程,用电场积分方程法计算了单层、双层无耗或有耗介质以及MIS结构的微带线的复传输常数,并与其他方法、实验结果作了比较。     

（1-x）Pb（Sc1／2Ta1／2）O3-xPbTiO3陶瓷的结晶特性与介电性能研究

在钽钪酸铅中加入钛酸铅,形成具有复合钙钛矿结构的钽钪酸铅 钛酸铅固溶体(1-x)Pb(Sc1/2Ta1/2)O3 xPbTiO3(简称PSTT(x)),可有效提高钽钪酸铅材料体系的居里点、降低其制备温度,从而扩大PST体系的应用范围.用常规氧化物合成电子陶瓷方法制备了钽钪酸铅 钛酸铅弛豫铁电陶瓷,采用XRD,SEM等分析技术,研究了PSTT(x)陶瓷的结晶特性和微观形貌,测试了PSTT(x)陶瓷的介电性能.实验结果表明,利用常规氧化物合成电子陶瓷方法可以合成钙钛矿结构的PSTT(x)陶瓷,其钙钛矿相的含量可达到90%以上,最高达100%.SEM分析表明,PSTT(x)陶瓷的晶粒饱满、晶界清晰.PSTT(x)陶瓷的热滞温度随x的不同,大致在6～12℃之间变化;PSTT(x)陶瓷的居里常数C 为3.7～8.3×106K2.     

空间波法测介质板介电常数的实验研究

从光学原理出发,分析了空间波法测介质板介电常数时的表面反射问题,指出它对测量结果的影响与介质材料的特点及不同的测量方法有关,并结合几种低耗介质材料的测量结果,对上述分析进行了实验验证,最后还对影响测量的准确度与重复性的几个具体问题进行了讨论。     

L－B单分子膜制备的MIS结构和电容电压特性

利用Ｌ－Ｂ单分子功能膜的绝缘性制作ＭＩＳ器件．通过对它的结构和电容－电压（Ｃ－Ｕ）特性曲线的研究，发现Ｌ－Ｂ膜可以改善ＭＯＳ器件的性能和消除ＭＯＳ器件的“异常”Ｃ－Ｕ特性现象，利用Ｃ－Ｕ特性曲线可以检测Ｌ－Ｂ膜成膜质量，利用零偏压时的电容值可以计算各成膜材料的介电常数．