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Ser/Thr蛋白激酶(STK)是生物体信号转导系统的重要组成部分.实验以钝顶螺旋藻(Spirulina platensis)为材料,经过本地BLAST搜索、SMART结构域预测排除假阳性结果得到钝顶螺旋藻Ser/Thr蛋白激酶的基因序列.测定不同温度下的生长曲线确定该藻的最适生长温度为30℃,经低温15,20,25℃和高温37,43℃分别诱导60 min,利用半定量RTPCR方法,分析4个具有跨膜结构域的Ser/Thr蛋白激酶基因在正常生长温度下和经低温、高温诱导后表达量的变化情况.发现stk1850在所有温度下都不表达;stk1993,stk2111的表达量在不同温度下没有显著差异;stk2103在低温诱导后的表达量降低,高温诱导后的表达量升高,提示该基因的表达可能参与了钝顶螺旋藻对温度的适应. 相似文献
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Cu~(2+)对钝顶螺旋藻(Spirulinaplatensis)的毒性影响 总被引:1,自引:0,他引:1
利用CuSO4 溶液研究了Cu2 + 对钝顶螺旋藻 (Spirulinaplatensis)的毒性影响。Cu2 + 在24和48h时对钝顶螺旋藻的半数有效浓度 (EC50)分别为46.84和23.91μmol/L,对钝顶螺旋藻的安全浓度为1.869μmol/L。与其他藻类相比 ,钝顶螺旋藻对Cu2 + 耐受性较强 相似文献
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Se(Ⅳ)对钝顶和极大螺旋藻生长的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用藻类生长动力学函数和藻类测试化学品毒性的标准方法,分别研究了高、低质量浓度Se(Ⅳ)对钝顶(S.platensis)和极大(S.maxima)螺旋藻生长的影响,结果表明:低质量浓度组中,Se(Ⅳ)的质量浓度低于16mg/L时对钝顶螺旋藻前4d的生长影响差异无显著性意义,但当质量浓度为32mg/L时出现明显的抑制作用;而低质量浓度范围内,即质量浓度低于32mg/L的Se(Ⅳ)在前4d对极大螺旋藻的生长的影响不明显.高质量浓度组中,当质量浓度高于560mg/L时,钝顶螺旋藻的生长被完全抑制;硒对极大螺旋藻的最低完全抑制质量浓度为600mg/L. 相似文献
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目的:比较研究和评价富硒螺旋藻(Se SP)生物转化产生的主要富硒活性形式在体外清除自由基的活性.方法:利用富硒培养技术制备Se SP,从Se SP中分级提取纯化硒总蛋白(Se SP-TP)、硒藻胆蛋白复合体(Se SPPB)、硒藻蓝蛋白(Se SP-PC)、硒多糖(Se SP-PS)和纳米红硒(Nano-Se);电感耦合等离子质谱仪(ICP-MS)测定硒含量;超氧阴离子(·O2)和羟基自由基(·OH)化学发光体系检测自由基清除率,Reed-Muench算法计算半数有效浓度(EC50).结果:Se SP-TP、Se SP-PB和Se SP-PC与不含硒相同形态对自由基的清除作用均显著提高(P0.05),对·O2和·OH清除作用的EC50明显降低(P0.05),Se SP中Se SP-PB在体外对自由基的清除活性最高,其中Se SP-PC可能起主要作用;Se SP-PS硒的质量分数低,其中硒对自由基清除的增强效应尚不明确;微藻转化的NanoSe也具有较强的自由基清除活性.结论:Se SP生物转化富硒活性形式对自由基清除的增强效应与活性硒元素的掺入有关,藻体转化生成的富硒蛋白质产生了协同增效作用明显,生物转化纳米硒作为一种新型活性硒形态值得深入研究. 相似文献
6.
在60l扁平箱式光生物反应器中,采用Zarouk合成培养基、日光灯30klx连续照射及不同的混合系统,对钝顶螺旋藻进行了分批培养。当采用气-水循环系统(WRAS)和气升搅拌系统(AS)时,培养过程中的溶解氧都有所降低,分别从6.7mg/l降低到5.4mg/l和从8.6mg/l降低到2.0mg/l。采用AS在第7d时获得了钝顶螺旋藻生物量的最大浓度为1.85g/l。仅在采用AS的培养过程中未发现有明显的有如断裂和下沉的菌丝形态学变化。结果表明,与水循环系统(WRS)和WRAS相比,AS应用于扁平箱式光生物反应器中钝顶螺旋藻的培养更有效、更成功。 相似文献
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以钝顶螺旋藻和磁性纳米粒子四氧化三铁为材料,采用海藻酸钙进行包埋制备出钝顶螺旋藻磁性生物吸附剂,从pH、温度、吸附动力学等方面研究钝顶螺旋藻磁性生物吸附剂对Cr(Ⅵ)的吸附性能。研究结果表明:当pH为1.5,温度为40℃时,吸附效果最好,时间在120 min时吸附容量达到饱和吸附量的96.5%;随Cr(Ⅵ)离子初始浓度的增加,吸附量增加,吸附效率减小。且与海藻酸钙吸附行为显著不同,说明主要是由钝顶螺旋藻对Cr(Ⅵ)离子吸附作用;钝顶螺旋藻磁性生物吸附剂对Cr(Ⅵ)的吸附过程可用Langmuir和Freundlich等温模型进行描述;同时,磁性生物吸附剂具有较强的磁性,在加有外界磁场的情况下,能快速地实现固液分离和回收,可简化重金属离子吸附的后续处理。 相似文献
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衬底温度对溅射硅基铜膜(Cu/Si)应力的影响研究 总被引:3,自引:0,他引:3
薄膜应力的存在是薄膜制备过程中需要认真考虑的普遍问题。本文对溅射硅基铜膜应力受衬底温度的影响进行了讨论。实验中衬底温度分别设定为室温,50℃,100℃,150℃,200℃,250℃。实验表明:衬底温度在50~200℃之间时,铜膜平均应力变化较小,为-3.920×108Pa,应力差变化也较小。 相似文献
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采用一步碳热还原法,以一种有机碳源为碳前驱体合成了单斜晶系的Li3V2(PO4)3/C复合材料. 主要研究了合成温度对材料性能的影响. 结果表明: 750~850 ℃时可以获得纯相的正极材料Li3V2(PO4)3;同时首次放电容量达到161 mAh/g;经过50次循环后,750 ℃下的容量保持率仍为83%,表明材料具有良好的循环稳定性能. 相似文献
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采用传统固相法制备铋层状(Na0.5Bi0.5)1-xCaxBi4Ti4O15(NCBT)压电陶瓷,其中x=0.1、0.2、0.3和0.4。利用X线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、同步热分析仪(STA)、阻抗分析仪等对陶瓷的结构和性能进行表征,分析不同Ca2+含量对NCBT压电陶瓷的居里温度和压电性能的影响。结果表明:在x=0.3条件下制备的NCBT陶瓷性能最佳,压电常数(d33)为17.7 pC/N,介电常数(εr)和介电损耗(tanδ)分别为163.8和0.28%(频率1 kHz),居里温度(Tc)为647.6℃。 相似文献