砷化镓气相外延中不同形式的镓源对载流子浓度的影响

采用H_2/AsCl_3/Te/Ga体系,分别以被砷饱和的镓、高温合成的砷化镓锭以及低温合成的砷化镓块为源进行了掺杂外延试验,测定了用这三种源时气相中的As/Ga比;采用H_2/AsCl_3/Ga体系,用被砷饱和的镓和用低温合成的砷化镓块为源进行了不摻杂外延试验,指出以砷化镓为源具有不“吃”碲、“放”碲和气相中As/Ga比较为稳定的优点,从而可提高外延片载流子浓度的稳定性;而且As/Ga比较高,这有利于提高外延片的电子迁栘率?臀潞铣傻纳榛乜赏哂薪细叩拇慷?故用之作源较为适当。     

地物的毫米波段介电常数之测量

研究地物物质的辐射率和反射率,物质的介电常数是必要的参数。根据地物的特点及对各种测量方法的分析,决定采用终端短路线法,但在毫米波段,由于波导截面小,其样品长度的测量精度差,因而影响测量结果的精确性。故而对终端短路线法进行改进。本文用渐变波导的原理,将样品波导段的截面加大为毫米波段波导截面的九倍,从而提高了测量的精度。用此方法对于地物的毫米波段介电常数进行测量。测量结果与微波辐射率仪测出的结果进行比较,两者是符合的。     

毫米波段地物微波反射率的研究

微波反射率特性的研究有助于微波遥感及雷达探测的实践。地物微波反射率反映地物的性质,例如它是地物介电常数的函数。为了研究毫米波段地物微波反射率特性。除了进行理论分析外,研制了毫米波微波反射率仪,测量一些地物目标,如土壤、水和水面油污等,得到了理论与实验相符合的结果。毫米波段微波反射率和厘米波段微波反射率有相似之处,亦有各自的特点。     

氧离子注入砷化镓的理论问题——载流子补偿机理探讨(EHMO法)

一、引言氧离子注入n型或p型GaAs半导体材料中能形成具有热稳定性的半绝缘层。在前一篇报告中,已报导了关于它的物理特性的研究并对载流子补偿的机制作了初步讨论。我们认为,氧离子注入GaAs能引入双深能级:既能引入深施主能级,又同时引入深受主能级。深施主能级估计是由氧置砷(O_(As))引起的,深受主能级则可能是在砷位上的氧O_(As)与As的空位(V_(As))所组成的络合物(O_(As)—V_(As))所引起的。为了进一步探讨我们的推测是否合理,本文用原子簇模拟晶体,用推广的休克尔法(EHMO)计算了GaAs、O_(As)(氧置     

砷化镓光导开关中的有效电流丝段

分析了高增益砷化镓光导开关中电流丝(即流注)顶端1ps的光生载流子密度分布.提出了"有效电流丝段"的概念,导出了有效电流丝段的光致电离效应公式,揭示了电流丝顶部前面最大光生载流子密度只随着电流丝半径变化的规律.     

砷化镓材料

文章介绍了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料——砷化镓。从砷化镓材料的基本性质、参数出发,深入浅出地讨论了其相关性质形成的机理,以及与这些性质、参数相对应的有关半导体器件方面的应用情况,同时指出了为了适应器件的需求,如何在制造过程中得到性能参数较为理想的晶体材料而应采取的有关工艺措施。     

基于三角波调制的毫米波光学倍频发生器

提出一种使用双极马赫-曾德尔调制器(De-MZM)作为外部调制器,利用三角波调制得到各阶边带组成的调制信号的毫米波光学倍频(OFM)发生器.使用中心波长可调节的均匀光纤光栅(UFBG)滤出其中两个边带拍频得到毫米波信号,提高了生成毫米波信号信噪比,并实现了毫米波频率的可调谐.与传统的OFM发生器相比较,该发生器可以在较低的调制深度下得到较大的倍频因子,避免高频本地振荡器的使用,减少了系统成本并增加了系统稳定性,实现了倍频因子的可调谐.当倍频因子为10时,仍能获得信噪比较高毫米波信号.为了验证此发生器的可行性,仿真生成了60 GHz、80 GHz和100 GHz的毫米波信号,且60 GHz毫米波信号的信噪比达到了35 dB.并且基于60 GHz毫米波分析了光载无线电系统(Radio Over Fiber,ROF)下行链路的传输性能,当传输距离达到60 km时,眼图仍能保持较好的张开度,证明了本发生器在实际应用中的可行性.     

半导体光放大器对超短光脉冲放大过程中载流子寿命的变化

修正了人们在研究半导体光放大器对光脉冲的放大这一动态过程中把载流子寿命取为常数这一处理方法。通过考虑放大器中载流子的复合机制，提出了一个可研究载流子寿命变化的模型。数值计算的结果表明，在半导体光放大器对超短光脉冲进行放大这一动态吕，载流子寿命变化明显，且与输入脉冲的形状有关。     

一种用于ECG信号获取的低噪声斩波放大器

基于0.18 μm CMOS工艺设计了一种应用于ECG信号采集的低噪声电容耦合斩波仪表放大器.该放大器采用斩波技术与晶体管噪声优化技术,减小了1/f噪声和热噪声,并提出一种基于占空比电阻的改进型前馈电极失调消除回路,抑制了电极直流失调电压.仿真结果表明,电路的静态电流为1.2 μA,带宽为0.17 Hz～4.3 kHz...     

毫米波段多波束偏置抛物反射面天线平面接收阵列研究

对毫米波段90°偏置抛物反射面天线的多波束接收特性做了研究分析,尝试用平面接收阵列来代替传统的曲面接收阵列,采用射线追迹与Stratton-Chu矢量衍射积分相结合的方法,计算分析了不同角度的入射波束在接收平面上的衍射斑.数值分析结果表明:毫米波段90°偏置抛物反射面天线对一定入射角范围内的波束,用平面接收阵列来代替曲面接收阵列是可行的.     

对半导体光放大器内四波混频波长变换的研究

介绍了半导体光放大器内四波混频的特点,研究了波长转换过程中的一些特性,通过实验记录给出了波长转换时提高转换效率和增强信噪比的方法.     

HgS高压载流子行为研究

利用金刚石对顶砧装置测量了高压下β-HgS的电导率和霍尔效应,并对其压力作用下的载流子行为进行系统研究.实验结果显示,β-HgS在经历每个相变的同时都伴随着电导率和载流子行为的突变.闪锌矿结构相的β-Hg S电导率随压力增加而减小是由载流子浓度和迁移率共同作用的结果,而盐岩矿相的β-HgS的电导率随压力的增加而增加主要是由载流子浓度增加所导致的,并发现在14.6~25.0 GPa范围内是朱砂相和盐岩矿相的两相共存区间.     

砷化镓场效应管的潜在性失效

为提高ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ静是放是失效阈值，通过ＥＳＤ实验前、后直流参数和热分布变化获取不足１０％的器件表面为永久性失效，而９０％以上的器件表现为潜在性失效的结果。潜在性失效机理类强电场、大电流及ｎｓ级瞬时冲击下，辅之以电热迁移和扩散，致使ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ肖特基势垒受到不同程度损伤，Ｇ－Ｓ、Ｇ－Ｄ间的界面离化或击穿。研究其潜在性失效机理，找出在设计、工艺和材料上的缺陷，以提高器件抗静电能力。     

MOSFET低温热载流子效应

与常温下相比，低温工作ＭＯＳ器件具有许多优点，但低温热载流子引起的器件蜕变却明显增强，本文简要研究了这种效应，包括低温热载流子的行为和界面态的产生及其对器件特性蜕变的影响，最后，从器件结构和工作条件等方面提出了抑制低温热载流子效应的设计考虑。     

毫米波自差频CW系统发射漏波信号对接收灵敏度的影响

针对Ka波段自差频式连续波(CW)多普勒雷达系统中发射漏波信号对接收灵敏度的影响问题,通过计算机建模仿真和实验测试,对存在发射功率泄漏干扰情况下一个接收系统前端(包括低噪声放大器和混频器)的工作性能进行了深入研究.结果表明,在收发隔离度为26 dB时,系统所允许的最大发射漏波信号功率电平为-11 dBm,接收系统前端增益恶化小于2.5 dB.根据这些参数,通过合理设计发射功率电平和收发隔离度,可以保证接收系统的探测灵敏度指标的实现.     

一种低功耗低噪声高共模抑制斩波稳定放大器

功耗、噪声、共模抑制比(Common Mode Rejection Ratio,CMRR)是生物医学传感器模拟前端(Analog front-end,AFE)电路设计最重要的3个指标.传统模拟前端常采用三运放仪表放大,电路功耗过大,同时其增益与共模抑制比都依赖输入电阻的匹配,CMOS工艺下20％的电阻误差往往导致CMR...