化学表面处理对热生长氧化形成的SiO2驻极体电荷寿命的影响

以实验结果为依据研究了化学表面处理对ＳｉＯ＿２薄膜驻极体内电荷储存稳定性的影响。得知用ＨＭＤＳ或ＤＣＤＭＳ等有机试剂进行的化学表面处理将在ＳｉＯ＿２驻极体表面形成一个疏水的保护层。通常情况下，它将起到防止外界环境中的水吸附而形成的表面导电结构，对改善这一驻极体薄膜的电荷储存稳定性起到显著的作用；伴随着驻极体内长久电荷的捕获储存，在驻极体内发生的电化学反应将有水分子生成，而用化学表面处理后形成的疏水保护层有时也会阻止驻极体内部过剩的水分子向外扩散，造成用化学表面处理后驻极体内的电荷较快衰减这一反常现象的发生。     

两种FEP驻极体商品膜脱阱正电荷输运特性的比较

该文利用Ｔｅｆｌｏｎ ＥＥＰ Ａ型（美国杜邦公司）膜和国产ＦＥＰ商品膜，借助于ＴＳＤ电流谱测量和热脉冲技术研究了热活化过程中的正电荷平均电荷重心向体内的迁移规律，建立了脱阱电荷在体内的输运模式。文中还对正电晕充电的Ｔｅｆｌｏｎ ＦＥＰ Ａ型和国产Ｆ４，６薄膜驻极体的电荷贮存寿命和电荷在材料内的迁移等驻极体性能作了比较研究。     

PTFE多孔膜驻极体电荷储存稳定性的机理研究

借助于等温表面电位衰减,开路热刺激放电电流测量等方法较系统地研究了充电气的聚四氟乙烯多孔材料的空间电荷稳定性了比较。通过热刺激放电电流谱分析和组合热脉冲技术探索了ＰＴＥＥ驻极体多孔膜内电荷重心的迁移规律,研究了多孔ＰＴＥＥ薄膜驻极体内脱阱电荷的输运规律。     

退火对杂化膜驻极体PVDF／SiO2电荷贮存的影响

该文通过表面电位衰减实验和ＴＳＤ电流谱、研究了退火处理工艺对杂化膜驻极体ＰＶＤＦ／ＳｉＯ２电荷贮丰及稳定性的影响。用红外光谱实验对样品退火前，后驻极体性能改变的起因进行了初步探索，得出注极前样品的高温退火处理可明显改善杂化膜驻极体ＰＶＤＦ／ＳｉＯ２的电荷贮存及稳定性。     

聚四氟乙烯驻极体的电荷贮存与输运

通过在常温和高温下对聚四氟乙烯(PTFE)薄膜的恒压电晕充电,讨论了热处理对PTFE驻极体电荷贮存性能的影响和该材料在高温下突出的电荷贮存能力.利用热脉冲技术^[1]和激光感应压力脉冲法(Laser Induced Pressure Pulse Method,LIPP)^[2]组合TSD(Thermally Stimulated Discharge)实验研究了PTFE脱阱电荷在电荷层自身场作用下的输运模型.     

硅基多层无机驻极体薄膜中平均电荷重心和密度的确定

报道通过表面电位测量和C-V分析来确定硅基多层无机驻极体薄膜中平均电荷重心及电荷密度的方法。它包括两个非破坏性的测量;首先,通过补偿法测量驻体薄膜自由面的表面电位,然后在样品表面蒸镀金属电极,形成MIS结构,进行电容--电压（C-V）测试,由此得到驻极体薄膜和硅界面的电位。电荷重心和电荷密度可通过计算得出。同时利用这一方法确定了硅基Si3N4/SiO2双层驻极体薄膜中的平均电荷重点,发现电荷重心强烈地依赖于电晕充电以后的老化温度,经过400℃下老化20min,常温正电晕充电驻极体的电荷重心已从近自由面迁移至Si3N4,和SiO2界面附近。     

硅基多层无机驻极体薄膜中平均电荷重心和密度的确定

报道通过表面电位测量和C V分析来确定硅基多层无机驻极体薄膜中平均电荷重心及电荷密度的方法.它包括两个非破坏性的测量首先,通过补偿法测量驻极体薄膜自由面的表面电位,然后在样品表面蒸镀金属电极,形成MIS结构,进行电容电压(C V)测试,由此得到驻极体薄膜和硅界面的电位.电荷重心和电荷密度可通过计算得出.同时利用这一方法确定了硅基Si3N4/SiO2双层驻极体薄膜中的平均电荷重心,发现电荷重心强烈地依赖于电晕充电以后的老化温度,经过400℃下老化20min,常温正电晕充电驻极体的电荷重心已从近自由面迁移至Si3N4和SiO2界面附近.     

含Teflon—AF层的NLO聚合物驻极体双层膜系统的电荷衰减动态特性

采用开路热刺激放电法研究了恒压电晕充电极化的含Ｔｅｆｌｏｎ－ＡＦ层的非线性光学聚合物驻极体双层膜系统的电荷动态特性,结合电光效应和表面电位衰减测量结果分析表明：双层膜系统中偶极分子有序取向稳定性明显优于单层非线性光学聚合驻极体,其原因在于Ｔｅｆｌｏｎ－ＡＦ层中高储存稳定性的空间电荷有效地抑制了分子偶极驻极体层中偶极分子有序向的松驰。     

生物驻极体极化弛豫特性的热刺激电流分析

采用热刺激电流的方法,以猪的肩胛骨为例,对生物体的驻极效应进行了研究,并由此对生物驻极体的极化弛豫特性作了分析．实验表明,复杂的有机生命体中存在着显著的电荷储存效应,产生这一效应的基本原因在于生物体胶原纤维和基质细胞中的结合水及生物体内少量可动载流子,从单一频率弛豫进行计算所得的ＴＳＤＣ谱图与测量结果基本一致,说明其弛豫过程主要对应于单一频率的水分子的极化弛豫．     

透明型白碳黑粉体比表面积的测定和计算

本文系统的讨论了用ST-03型表面与孔径测定仪测定透明型白碳黑比表面积．基于白碳黑粉体在低温和气体饱和蒸气压范围内的多分子吸附平衡,依据BET多层吸附原理,采用流动色谱法测定白碳黑对氮气的吸附量．利用图解法确定工作曲线的斜率和截距,测定其样品的比表面积．由BET吸附公式计算出透明型白碳黑的比表面积为315．64 m2／g．     

聚丙烯驻极体电荷内衰减过程分析

该文对电晕极化的聚丙烯（ＰＰ）薄膜驻极体高温下电荷衰减实验的微观过程进行了分析。结果表明，由驻极体内部的电场推动的固有载流子的跃迁是造成表面电位衰减的主要原因。根据电荷衰减实验得出的数据进行计算，电荷跃迁的平均步距具有１０￣（－８）ｍ左右的大小，Ｘ射线衍射实验对此进行了验证。     

硅钼蓝分光光度法测定硅黄铜中的硅量

本文提出以硅钼蓝分光光度法测定硅黄铜中（含硅：1.00%-4.50%)硅的含量；硅黄铜试样以硝酸－氢氧酸溶解，硅与钼酸铵形成硅钼络离子，然后用硫酸亚铁铵作还原剂使硅钼络离子还原为硅钼蓝，借此进行分光光度法测定；实验表明：本方法操作简便，分析快速，测定准确度高。     

碳化硅的测定与研究

介绍了碳化硅中不同含量的测定方法 ,灼烧时间的关系及产品中 Fe含量与Si C含量之间的关系 ,从而确定测定方法中的灼烧时间。     

氧化钇稳定的氧化锆上外延硅生长的研究

绝缘衬底上高质量亚微米厚硅单晶膜的获得对于制成高速度、高集成度、低功能和抗辐射的集成电路十分重要.蓝宝石上外延硅膜的生长和其CMOS/SOS集成电路的研究已为国内外学者所重视.     

半导体表面层势、场和电荷分布的一种简明解析表达

半导体表面层偏离平带的状况有三种主要类型:积累层、耗尽层和反型层。关于表面层中场和势的分布,除了对耗尽层或弱反型层有熟知的"耗尽近似"简明解析表达外^[1,2],对表面层其他类型.     

硅光伏测量电池的设计原理

讨论了硅光伏测量电池的设计原理.还讨论了掺杂浓度、结深和表面复合速度对光伏电池主要参数(如开路电压、短路电流、反向暗电流和光谱响应)的影响.为了应用的需要,分析了串联电阻和傍漏电阻对线性的影响.最后给出了温度效应的数学模型和典型电路设计与R_(sA)的关系.     

原子力显微镜研究多晶硅和铝硅合金表面形貌

利用原子力显微镜研究了不同淀积温度条件下低压化学气相淀积多晶硅薄膜的表面形貌。发现淀积时间一定时，随着淀积温度的升高，多晶硅薄膜的晶粒尺寸和表面粗糙度均非线性地增大。