激光退火对碲镉汞电性能的影响

利用YAG脉冲激光器 (脉宽为 1 0ns ,波长为 1 .0 6μm)对砷注入长波碲镉汞样品进行激光退火 ,分析离子注入及激光退火引起的样品电学性质的变化 ;通过对电导率 -迁移率谱的研究 ,发现激光退火能够消除辐射损伤 ,并激活注入杂质 .     

激光退火对碲镉汞电性能的影响

利用ＹＡＧ脉冲激光器（脉宽为１０ｎｓ，波长为１．０６μｍ）对砷注入长波碲镉汞样品进行激光退火，分析离子注入及激光退火引起的样品电学性质的变化；通过对电导率－迁移率谱的研究，发现激光退火能够消除辐射损伤，并激活注入杂质。     

磷离子注入硅的 CWCO_2激光退火的研究

本文应用剥层椭偏光法对硅中大剂量P~ 注入形成的非晶层在CWOO_2激光退火时的固相外延模型进行静态实验证明.获得CWCO_2激光退火的固相外延生长平均速率达到4.2×10~3(?)/sec.本文并应用隐式差分方法计算了退火样品的体内温度的径向分布T(r,t)及离子注入非晶层外延再结晶厚度的径向分布ξ(r,t)的离散值,得到选择退火条件的一些依据.     

激光退火技术对多晶硅太阳能电池薄膜处理的新进展

硅薄膜及其太阳电池研究已经成为国际光伏领域研究的热点,但硅薄膜太阳能电池在生产工艺上存在成本较高的问题,其中非晶硅薄膜的退火工艺是制约生产成本的一个重要环节。本文利用激光退火方法对高掺杂多晶硅衬底的非晶硅外延薄膜进行处理,实验结果表明,激光退火实现了非晶硅薄膜的晶化,电性能达到太阳能电池板的生产要求。     

激光退火对硅中离子注入杂质B、P、As分布影响的理论计算

一、引言离子注入半导体的激光退火问题,目前已进行过很多研究,退火机理已基本研究清楚。在脉冲或高功率激光照射下,样品表面层要发生熔化,退火是“液相外延”过程,而在连续波或低功率激光照射下,样品表面层并不熔化,退火是“固相生长”过程。因此激光退火有熔化和固相生长两种机制。     

脉冲激光退火中分凝效应对杂质分布影响的理论分析

一、引言激光退火是近几年发展起来的新技术.它不但能使离子注入时形成的无定型半导体表面层恢复为单晶,而且可使汽相淀积或溅射在单晶衬底上的非晶或多晶薄层转变为单晶.山于激光退火工艺简单.得到的晶体完整性好,杂质的激活率高,因此它越来越受到广泛重视.     

激光脉冲使硼在硅中扩散

几年前,苏联一个科研小组,提出采用激光对离子注入的样品进行退火处理,取代过去惯用的热退火处理,对晶格损伤的修复和杂质的电激活效果更好.同时发现在激光退火的过程伴随注入杂质离子的快速扩散而重新分布.其扩敞迅速程度,不能用固相扩散过程来解释,因为根据激光退火实验所得的扩散系数比一般固相热扩散的大     

均匀吸收介质层的椭圆偏振光谱方法及其应用

本工作研究了均匀吸收介质层的椭圆偏振光谱,提出一种处理数据的方法,并应用于溅射无定形硅膜层、离子注入硅及其退火效应,得到一些新的实验结果.     

12keV低能砷离子注入硅的损伤分布

测量了１２ｋｅＶ注入能量、８×１０￣（１４）～２×１０￣（１５）／ｃｍ￣２剂量砷离子注入硅的椭偏光谱，并用最优化拟合算法从椭偏光谱定出损伤分布。这种低能量离子注入的结果表明，损伤分布呈现为平台型，体内不出现峰值，损伤深度为１２．５～１６．０ｎｍ，与背散射沟道技术测定结果相符合。     

低能离子注入的应用

集成电路的发展要求制备了出超浅结或超薄有源层，以满意器件高密度和高速度的要求，低能离子注入是形成浅结的最有效手段，本文介绍了低能离子注入硅和ＧａＡｓ衬底中形成０．１μｍ以下的硅超浅结和ＧａＡｓ超薄有源层，以及其在一些器件上应用的结果。     

用TSC技术对B~+注入SiO_2-Si系统硅表面深能级的研究

本文用MOS热激电流(TSC)技术研究了B~ 注入SiO_2—Si系统硅表面的深能级。讨论分析了MOS结构硅表面深能级TSC谱的性质,提出由TSC峰值I_p与偏压V_G的依赖关系来判别硅表面深能级的TSC峰。对B~ 注入的SiO_2—Si系统的TSC实验研究表明,硅表面深能级的位置由于B~ 离子注入及随后的高温退火发生变化,这可能是杂质一缺陷互作用的结果、     

离子注入改善人造多晶金刚石耐磨性的研究

关于金刚石离子注入改性研究,早已引起人们的重视,并相继发表了一些研究成果.而有关离子注入改善人造多晶金刚石耐磨性的研究,迄今未见报导.我们从1982年初开始进行离子注入改善人造多品金刚石耐磨性的研究.选用的试样是工业上用于修磨砂轮的人造多品金刚石修整笔(下简称修整笔),离子注入后和未注入的试样均在碳化硅砂轮上进行干磨损试验.试验结果表明,离子注入可以显著     

砷在硅中的氧化增强扩散

本文研究了在低浓度条件下,砷在硅中的氧化增强扩散。砷是利用离子注入枝术在<100>方向注入到P型硅片中,离子注入后的硅片在氧化和非氧化的条件下进行热处理,使砷的分布产生再扩散。用两种不同的方法对砷的扩散分布进行了测量,一种是SIMS(二次离子质谱);另一种测量方法是Van der Pauw Hall效应。两种测量方法得到的结果是一致的。扩散系数是利用ICECREM模拟程序语言计算的。实验结果证实,砷在硅中存在着氧化增强扩散,而且氧化增强扩散的大小与氧化速率有关,氧化速率愈高氧化增强扩散愈大。根据实验结果得到了氧化增强系数与氧化速率之间的数学关系式。     

用DLTS研究硅中注磷缺陷的退火行为

用DLTS确定N型硅中注磷产生的电学缺陷,测量了从200℃到700℃热退火和不同辐照时间的CW-CO_2激光退火后电子陷阱的能级,浓度剖面分布和俘获截面,根据缺陷的退火行为并和已报道的数据进行了比较,分析了缺陷的可能构造。     

退火的非晶硅薄膜的Raman光谱研究

用Raman谱方法研究了非晶态硅薄膜退火后的一些特性,进一步证明了超短脉冲激光退火的样品是层状的结晶结构。用Stokes线强度与反Stokes线强度之比测定了晶格的内部温度,与用热偶直接读数相符合。同时,还使用这个方法研究了Raman谱仪激光束对退火样品的加热作用。     

微生物诱变育种技术-离子注入法

20世纪80年代初期,离子注入技术被应用用于农作物品种的改良,发现离子注入水稻生物效应,通过离子注入诱变获得了损伤低、突变率高、突变谱广的统计结果。现在这一研究已发展成为离子生物学的一个新阶段,孕育着新的边缘学科、交叉学科和新技术,引起国内外的关注。     

激光在半导体工艺中的应用

本文给出了离子注入片和热扩散片的激光退火,激光诱导扩散和用激光照射制造肖脱基势垒二极管的实验结果。用cwCO_2激光器从硅片背面照射退火,不仅可以消除注入损伤,使注入杂质百分之百电激活,还可以得到注入结深不变的退火效果。激光诱导扩散可以实现“剪裁”掺杂剖面,掺杂层具有小的面电阻,高掺杂浓度和百度之百电激活,还可以形成突变PN结。掺杂结深只有几百埃。用激光照射制造SBD,具有势垒度高,整流特性好等特点。     

Mev^28Si^＋注入GaAs的退火行为

报导 MeV 硅离子注入半绝缘 GaAs 的快退火行为,根据缺陷作用原理分析了硅的不均匀激活和载流子分布特征.指出应按载流子浓度、迁移率、埋层电阻和击穿等特性综合评价深埋层和近表面层的品质,优化注入和退火参数.     

椭偏光法研究离子注入层(二) 椭偏光法研究硅中离子注入层的损伤分布、增强腐蚀效应和热退火过程

本文包括三个方面:(一)比较了用剥层椭偏光法和背散射法测得的注P~ 硅中的损伤分布.实验结果表明,当注入剂量为5×10~(14)/厘米~2、10~(15)/厘米~2及10~(10)/厘米~2时,注入区形成了不同厚度的非晶层,且由椭偏光法测得的非晶层厚度及分布区域与由背散射沟道分析法测得的符合很好;在注入剂量为2×10~(14)/厘米~2的较低剂量时,未形成非晶层,从椭偏光法测得的损伤峰位置亦与背散射法所得结果一致.(二)用椭偏光法研究了注As~ 硅表面层的离子注入增强腐蚀效应.文中提出了一种较精确地测量注入层腐蚀厚度的方法,并测得注As~ (剂量为10~(15)/厘米~2)的硅注入层在温度为43℃到45℃的23%稀释HF酸中增强腐蚀速率为6.5埃/分到22埃/分.(三)用椭偏光法研究了注入10~(15)/厘米~2As~ 的硅在500℃下的热退火过程.实验证实了离子注入引起的非晶层在热退火时发生固相外延.用剥层椭偏光法测量经过热退火后的注入区,发现△和ψ值都较正常硅的低,ψ最低可达9.2°,其原因还有待进一步研究.     

离子辐照与发光多孔硅

报道了离子辐射损伤地多孔硅的形成及其发光性质的影响，硅自注入后电化学腐蚀形成多孔硅，注入剂量增加，光荧光谱强度减弱，谱峰红移，半高宽减小，如果样品被非晶化将不发光，因此，为离子注入控制多孔硅发光图形的形成提供了物理依据，制成的图形分辨率达２μｍ。