单片集成开关电源设计与应用技巧

单片集成开关电源简称单片开关电源，成、高效、外围电路简单、较高的性能指标等特点，关式集成稳压器的原理与使用及电路设计．它由一片开关式集成稳压器构成可调式电源，具有单片集是一种极有开发前途的开关电源．重点分析L4960单片开     

基于S2I开关电流技术的2次抽样采样混频器

讨论了由第2代开关电流拷贝器构成射频混频器的原理,分析了开关电流技术在单片集成芯片设计中的优越性与不足,阐述了采用开关电流S²I结构构成2次采样混频器的原理,给出了差分结构混频器的仿真结果.仿真结果表明基于S²I单元的2次采样混频器具有良好的线性以及动态范围.     

L4970A单片开关电源芯片应用电路设计

介绍了L4970A大功率单片集成开关电源芯片的内部结构、电路特点、工作原理、外围元器件选择,并结合实际给出了一个详细实用的应用电路.＃     

基于ADS仿真的高线性CMOS混频器设计

提出了一种提高混频器线性度的方法：采用交叉差分的结构取代原有的混频器结构．改进后,输出信号的三次谐波会被消除,混频器的三阶截止点也得到改善．混频器工作电压1．8V,射频信号5GHz,电路采用0．18μm CMOS工艺,使用Agilent公司的先进设计系统ADS（advanced design system）对电路进行仿真设计．仿真结果表明,经过改善后,混频器IP3提高3．5dB（线性度提高）,转换增益提高4．8dB．     

一种集成温度传感器电路的研究

论述了一种单片集成温度传感器电路的原理,并用 Ｐ Ｓ Ｐ Ｉ Ｃ Ｅ 对所设计的传感器电路进行了模拟分析．这种传感器以本征禁带参考电流源作为感温的核心,将感温元件与外围电路集成在同一芯片上,具有体积小、功耗低、精确度高的特点,适用于生物医学．     

TOP221P在开关电源中的应用

本文介绍了单片开关电源集成芯片 TOP Switch的特点、工作原理、以及TOP22lP在开关电源中的应用,分析了电路的工作原理.     

集成函数发生器8038的实验研究

本文通过实验了解单片集成函数发生器8038芯片工作原理,研究了用其制作多种波形的信号发生器时各个电路参数与输出信号频率之间的关系,给出了一个实用电路.     

一个单端LO输入的新型混频器电路

设计了一个基于工作在线性区的MOSFET的新型宽带混频器.此混频器以标准CMOS工艺和简单的电路实现了现代无线通讯系统高线性度、低压和低功耗的要求,工作频带宽,且只需单端本振输入,解决了本振信号的单双端变换问题.由仿真结果可知:电路工作电压为1.2 V,功耗3.8 mW,增益为13.8 dB,P-1 dB为-4 dBm,噪声为12 dB.     

高速集成电路中的功率分配网络

自从20世纪60年代初单片集成电路发明以来，半导体电子工业经历了爆炸式增长。在过去的几十年中，技术定标是改进集成电路性能的主要驱动力，在这种驱动力作用下集成电路的速度与集成密度有了显著的改进，这些性能的改进使得对单片线路的功率分配成了一个困难的任务。以高时钟速度运行的高密度电路把分配电流增加到了几十安培，而电源的噪声容限的缩减是与电源电位的减少保持一致的。这些倾向把功率分配问题直接推到了开发高性能集成电路中挑战的最前沿。     

一种高稳定高精度单片锂电池充电芯片设计

锂电池是便携式电子设备电源的首选,但是存在充电精度以及充电环路的稳定性问题。论文对一种具有高稳定性,充电电压高精度以及单片集成的锂电池充电芯片进行设计。提出了改进折叠式运放结构作为恒流充电电路和新颖的恒压充电电路,经过这些改进提高了充电环路速度和稳定性,并且利用两级运放的高增益来提高充电环路精度;提出了电流模温度热调整电路;最后基于CSMC0.5um混合CMOS工艺,得到芯片的物理版图,后仿真结果表明充电环路具备很好的稳定性,充电精度达到0.5%以下。     

一种新型立体集成电感设计

高Q值的片上集成电感是单片集成射频电路、微波电路中不可缺少的重要元件。衬底损耗、金属损耗及电感螺旋线之间磁通量的相互抵消是限制集成电感品质的主要因素。首次提出了一种利用常规硅工艺实现的新型立体集成电感设计,先在介质层上刻蚀出一个锥形柱面,然后在凹面上镀金属层,利用平面螺旋电感的制造方法,就可制造出立体电感;分析了该集成电感在金属损耗及电感螺旋线之间磁通量的相互抵消等多方面的优势;提出了该型集成电感的两种仿真模型;利用ASITIC软件近似仿真发现该型集成电感能获得较高Q值。     

基于集成锁相环的BPSK调制器设计与实现

全集成锁相环芯片目前在射频电路中应用很广泛.以集成锁相环ADF4360-8为本振,以双平衡混频器为调制器,实现了220 MHz载波的BPSK调制.在设计中以对影响本振相位噪声高低的主要因素的分析为基础进行电路的设计.为获得更低的相位噪声,在对影响本振相噪关键因素分析的基础上进行电路的设计.完成硬件工作后,使用专用仪器对相噪、BPSK调制EVM等指标进行了测试.测试数据表明采用全集成锁相环的方案达到了设计输入的要求.     

集成门极换流晶闸管驱动电路的研究

根据集成门极换流晶闸管驱动电路基本逻辑功能的要求，提出应用电子设计自动化技术和复杂可编程逻辑器件芯片实现高可靠性、单片化、灵活设计的方案，设计出一种采用了硬驱动和集成门极技术的集成门极换流晶闸管门极驱动电路．该电路具有结构简单，开关速度快，可靠性高，增加保护电路和测试电路方便等优点．电路仿真结果表明，开通时门极电流可在2μs内迅速达到200A左右，关断时电流门极电流可在4μs内抽取400A左右，符合集成门极换流晶闸管开通和关断时的特性要求．     

单片集成低静态电流低压差线性稳压器设计

设计了一款静态电流小、驱动能力大、环路响应快的单片集成低压差线性稳压器,重点介绍了误差放大器、补偿电路和瞬态响应增强电路的设计方法.误差放大器的输入管采用共源共栅结构,输出级采用推挽电路,可提高放大器的驱动能力;补偿电路使用共源共栅补偿方法,补偿电容约1pF,环路相位裕度大于60°;瞬态响应增强电路采用动态偏置结构,使稳压器输出电压的上过冲有明显改善,提高了瞬态响应性能.稳压器的输出不用接片外电容,在片内集成50-100pF的电容即可稳定工作.     

人工细胞神经网络(CNN)的硬件实现

本文主要研究用集成运放实现人工细胞神经网络(CNN)的问题,改进了由L.O.Chua(蔡少棠)提出的单细胞人工CNN电路。从巳实现的4×4CNN电路及CNN连通片检测电路看,其性能达到了预期要求。     

一种双正交零中频接收机的设计和电路实现

零中频接收机以其低功耗和易于单片集成等优点,已经成为射频接收机发展的重要方向,但它也存在固有的缺陷,如相位偏移导致的IQ不平衡和直流漂移.双正交零中频接收机采用交叉混频的双正交结构降低IQ不平衡对相位偏移的敏感度,并采用差分放大的形式消除直流漂移问题.通过对一种双正交零中频接收机进行改进、仿真和电路实现,电路测试结果和仿真结果相符.     

用于MOS功率集成电路的VVMOS和NMOS相容技术研究

本文介绍了VVMOSFET和NMOSFET单片集成时阈值电压容差的理论估算和工艺试验结果,二者符合得较好.结果指出,即使用常规工艺制造技术把VVMOS功率晶体管相容集成到NMOS电路中去亦是可能的.     

单片接收机射频前端电路设计与仿真

无线通信对射频接收机的低功率、低成本、小型化要求较高。本文提出了基于 IEEE 802．16协议的低电压接收前端系统和模块的设计方案,给出了三级级联的低噪声放大器和双正交下变频混频器的设计电路。仿真结果显示该放大器在增益、噪声、线性度等指标上均达到要求,双正交下变频混频器镜像抑制度达52 dB以上,对低噪声放大器和混频器级联电路的仿真结果表明,该级联电路能够达到接收机RF前端电路的设计要求。     

一款工作于2.4 GHz频段的带有源负载的高性能双平衡有源混频器

对带有源负载的CMOS双平衡Gilbert有源混频器的1/f噪声、线性度与转换增益进行深入分析。这款采用PMOSFETs做负载的混频器工作于2.4 GHz频段。为降低混频器的1/f噪声, 利用双阱工艺中的寄生垂直NPN晶体管作为开关, 同时在PMOSFETs处并联最低噪声的分流电路作为负载。运用在PMOSFETs处的高性能运算放大器, 不仅为零中频输出提供了合适的直流偏置电压, 以避免下级电路的饱和, 并能够为混频器提供足够高的转换增益。同时, 在输入跨导(G_m)级电路中采用电容交叉耦合电路能够将转换增益进一步提高。为了增加混频器的线性度, 采用共栅放大器作为输入跨导级电路。这款混频器采用TSMC 0.18m 1-Poly 6-Metal RF CMOS工艺, 在1.5 V电源电压、3 mA的电流消耗下获得了17.78 dB的转换增益、13.24 dB的噪声因子和4.45 dBm输入三阶交调点的高性能。     

一种高性能单片汽车电压调节器芯片

介绍了一种高性能单片汽车电压调节器,在一块集成电路芯片上集成全部的控制电路和大功率场效应调整管,具有过流、过压及热关闭保护功能,采用双极型工艺设计。给出了电路的集成化设计方法。