应用激光椭圆仪测定Ga_(1-x)Al_xAs外延层的组份及其表面天然氧化膜的厚度

我们应用DJS-130电子计算机及其控制的绘图仪,在光波长λ_0=6328、入射角φ_0=70°的参数下,计算并绘制了适用于不同x值的Ga_(1-x)Al_xAs外延层及其表面天然氧化膜折射率的椭偏列线图。通过对图的分析,得到了椭偏参量(ψ、⊿)对体系光学参量的响应情况。在此基础上,确认了应用激光椭圆仪测定Ga_(1-x)Al_xAs外延层组份x值的方法简便。x值的测定范围为x≤0.55,不确定性⊿x≤±0.02,     

GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs超晶格中类氢杂质基态的能量和波函数

本文给出了关于由GaAs和Ga_(1-x)Al_xAs构成的人工周期量子阱中类氢杂质基态的能量和波函数的两个定理,同时用变分法对GaAs和Ga_(1-x)Al_xAs构成的三个人造量子阱和周期量子阱中类氢杂质基态的能量和波函数进行了自洽数值计算,并对计算结果进行了讨论。     

分光光度法测定Ga_(1-x)Al_xAs中x值

本文研究了在同时有镓和砷的情况下用分光光度法直接测定铝的显色条件,并应用于测定Ga_(1-x)Al_xAs外延层中的x值。     

GaAs-Ga_(1-x)AI_xAs双异质结激光器的液相外延

介绍我们采用的多次液相外延实验装置,讨论影响薄层液相外延生长的因素。采用“正交设计”的数学方法安排外延试验,找到多层连续均匀生长的条件,使GaAs—Ga_(1-x)A1_xAs双异质结激光器阈值电流密度达到1000—2000安培/平方厘米。     

GaAs-Ga_(1-x)AI_xAs双异质结激光器欧姆接触的研究

我们用正交表研究GaAs的欧姆接触工艺,实验结果表明,p—GaAs甩Au—Cr金、n—GaAs用Ag—Sn合金的欧姆接触工艺,比接触电阻率Rc<10~(-4)(欧姆)(厘米)~3应用于GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs双异质结激光器,得到良好的效果。     

低温GaAlAs/GaAs二次液相外延

本文报导了具有内电流限制掩埋新月型GaAlAs/GaAs半导体激光器的液相外延过程。解决了在暴露于空气中的Ga_(1-y)Al_yAs(111)面上的生长问题,观察到了Ga_(1-y)A1_yAs对熔体生长具有抗回熔作用。根据扩散理论,建立了在非平面衬底上液相外延生长速率模型,给出了生长厚度与生长时间的关系,其实验结果和理论值相比较,两者符合得较好。     

Ⅱ型量子阱In_(1-x)Ga_xAs/GaSb_(1-y)As_y中激子的结合能

该文提出ρ和Z相耦合的试探波函数,采用变分法计算了Ⅱ型量子阱In_(1-x)Ga_xAs/GaSb_(1-y)As_y中激子的结合能。发现随合金组分(x,y)的增加结合能增加,随阱宽b的减小,结合能单调上升。当阱宽b在10 nm附近时,材料由半导体转变为半金属。此外,还与Ⅰ型量子阱GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs中激子结合能作了比较。     

GaAs/G_(a1-x)Al_xAs量子阱中激子的结合能

提出ρ和(Ze—Z_h)耦合试探波函数,计算了 GaAs/Ga_(I-x)Al_xAs量子阱中基态激子的结合能随阱宽和阱深的变化关系,并对所得结果进行了讨论。     

GaP:N外延层特性的研究

本文研究了生长条件对GaP:N外延层的形貌、生长速率、位错密度、S坑密度、氮浓度、少子寿命的影响。实验表明,外延层中的氮浓度、少子寿命随外延生长起始温度的升高而增大。用GaN作为掺杂氮源,在1037—980℃温度范围生长的外延层中氮浓度不高于5.6×10~(17)cm~(-3);LEC GaP衬底(τ_m～5ns)上在995—900℃温度范围生长的外延层,其少子寿命可达～130ns。外延层中的位错密度和衬底中大体相同,但S坑密度降低一个数量级。     

透射式负电子亲和势光电阴极基片的无损检测

本文对用作透射式负电子亲和势光电阴极的Ⅲ—V族半导体基片的无损检测进行了研究。建立了一套带微机处理的高信噪比的激光荧光测试系统,测试了基片的发射层GaAs的掺杂浓度、过渡层Gal_(-x)Al_xAs的组分X值及沿表面X值的均匀性、高X值的测量等。实验结果表明,激光荧光检测为Ⅲ—V族半导体材料的研究提供了一种快速的非破坏性的检测方法,对研究透射式负电子亲和势光电阴极具有重要意义。     

Ga_(1-x)Al_xAs禁带宽度的计算

用分区变分法研究Ga_(1-x)Al_xAs的直接、间接禁带宽度随组分x的变化关系。计算中,假设合金中的各个原子的原子球球内势场为球对称;球面上用径向波函数对数微商的平均值;球外区用虚晶势近似。计算结果与实验结果符合较好。     

半绝缘GaAs台阶衬底上GaAs/GaAlAs液相外延生长

本文介绍了在半绝缘GaAs台阶衬底上用SiO_2作为生长掩蔽膜所进行的多层GaAs/GaAlAs液相外延生长(LPE),讨论了SiO_2膜的厚度对外延层几何形貌的影响。并对GaAs台阶衬底上GaAs外延层的生长速率作了理论分析,给出了在底角对角线方向的生长厚度与生长时间的关系式。     

在四量子阱结构中浅施主的束缚能

本文提出氢杂质在中间Ga_(1-x)Al_xAs垒中的四量子阱模型,计算了束缚能与阱和垒的宽度、势垒的高度和杂质在垒中的位置的依赖关系。结果表明,与双量子阱模型比较,规律性是相符合的,在单阱极限的计算结果与前人的一致。     

磷压法气相外延 GaAs_(1-x)P_x

本文系采用赤磷、三氯化砷、砷化镓(或镓)为原料,在砷化镓衬底上进行GaAs_(1-x)P_x 气相外延生长的试验总结。文中分析了影响生长速度、合金组成、外延层表面形态的因素;叙述了此体系生长GaAs_(1-x)P_x(x≈0.40)外延层的操作工艺和条件。从制造发光器件的结果和投产的情况说明,此法可作为工业生产方法。     

关于指定波矢和频谱的一维和晶Ga_(1-x)Al_xAs体系的材料组成

在计算物理的研究中,提出这样的问题:给定n个特征值λ_1,λ_2,…,λ_n,要确定n阶方阵,使其具有给定的特征值λ_i(i=1、2,…,n)。这类问题称为代数逆特征值问题。我们给出了一维和晶Ga_(1-x)Al_xAs体系的结构型式和振动动力学方程     

分解GaP源固态分子束外延生长InGaP/GaAs的结构和性能

采用分解GaP这一新型固态P源分子束外延在GaAs衬底成功制备了InGaP外延薄膜.3μm厚的InGaP外延层低温荧光峰位是1.998 eV,半峰宽为5.26 meV.双晶摇摆曲线的线宽同GaAs衬底相近.霍尔测量非故意掺杂InGaP外延层的室温迁移率同其他源或其他方法生长的外延层结果类似.     

GaAlAs/GaAs异质结构的低温LPE生长

本文利用常规液相外延(LPE)设备,研究了700—750℃之间的GaAlAs/GaAs的LPE生长特性。对外延层的表面形貌,生长速率,外延层的纯度和晶体完整性进行了分析和讨论。并将此低温技术应用于电极条形双异质结构(DH)激光器的制备,得到了较低阈值的激光器。     

砷化镓结型激光器研制过程中的观察和测量

一、用红外反射光谱测量砷化镓外延层的自由载流子浓度。 高掺杂GaAs单晶的红外反射率R表现出一反常色散,如图1:     

Ga_(1-x)Al_xAs半导体的T0声子形变势引起共振喇曼散射

研究了Ga_(1-x)、Al_xAs 半导体的TO_1和TO_2声子的共振喇曼散射。利用半导体带隙随温度变化,使它与固定激光线调谐,曲此完成共振散射实验。按准静态近似计算共振散射曲线,并从微观散射机制讨论共振曲线最大值偏移,较好地解释实验结果。从实验中求出x=0.71和x=0.61 两种样品的直接带隙E_0 分别为2.44 eV和2.31 eV。     

In_(1-x)Ga_xAs材料的LP-MOVPE生长

本文研究了用低压金属有机化学气相外延(LP-MOVPE)技术,以三甲基镓(TMG)、三乙基铟(TEIn)和AsH_3为原,在(100)InP衬底上生长In_(1-x)Ga_xAs外延层的生长条件,并用X射线单晶衍射仪和光电子能谱(XPS)仪给出了不同TEIn与TMG摩尔流量比下外延层的测量结果.