基于压控单元的单电子晶体管宏模型

在对纳米遂穿结(SETJ)及单电子晶体管(SET)的特性进行分析的基础上,笔者采用等效电路的方法,提出了基于压控单元的SET宏模型,仿真得到单电子晶体管的特性曲线.通过器件仿真的输出特性曲线与理想特性曲线的对比,得出曲线的走势与理想曲线基本一致,偏差不大.并且通过计算表明,数值的精度在合理范围内,验证了模型的合理性.     

功率晶体管制造工艺的研究

本文提出了一种新的大功率晶体管制造工艺,这一工艺与传统工艺比较,特点是简单、没有黑胶污染、高效率和低成本.由这一工艺得到的产品比传统工艺得到的产品性能好.     

美国科学家制成新型生物纳米电子晶体管

三磷酸腺苷（ATP）可以作为细胞内能量传递的“分子通货”,储存和传递化学能,为人体新陈代谢提供所需能量,其在核酸合成中亦具有重要作用。最近美国科学家建造了可由三磷酸腺苷驱动和控制的新型生物纳米电子混合晶体管。     

单电子晶体管(SET)及其应用

当电子器件的尺寸接近纳米尺度时，量子效应对器件工作的影响变得格外重要，就需要采用具有新机理的晶体管结构，单电子晶体管（SET）就是其中一个典型的结构，文中对比传统晶体管（MOSFET）的工作原理，分析了单电子晶体管SET的工作机理，简要概述了SET的一些应用。     

澳大利亚 世界最小潜艇问世

近日，世界上体积最小的潜艇在澳大利亚问世。这艘被命名为“塞拉菲娜”的潜艇仅有40厘米长，甚至还没有一只潜艇模型的体积大，是世界上可自我控制的最小潜艇。     

VMOS功率场效应晶体管的制造工艺

VMOS功率场效应晶体管有两种结构,一种是VVMOS功率场效应晶体管,另一种是VDMOS功率场效应晶体管。VVMOS结构是美国雷达半导体公司在1975年首先提出的。这种结构是在n＋衬底上的n-外延层上,先后进行P型区和n＋型区两次选择扩散,然后利用硅的各向异性刻硅技术,刻注出v型槽。槽的深度由槽的开口宽度决定,槽壁与硅片平面成54．70角。沟道长度由扩散的深度差决定,在1～2um之间。漏极从芯片的背面引出。由于这种结构是利用V形槽实现垂直导电的,故称为VVMOS结构。     

量子输运——从原子到晶体管

本书详细阐述了基于物质的微观的或原子结构理论的量子输运过程的概念框架,重点介绍了原子尺度下的电流的性质及规律。它是当前材料科学许多不同领域都感兴趣的研究课题,特别是对纳米晶体管的研究有重要的意义。本书对于这一课题的基础给出了一种统一的描述,内容涉及非平衡态统计的很多高等概念。     

石墨烯场效应晶体管电子识别葡萄糖

以铜箔为衬底,采用化学气相沉积的方法制备大面积单层石墨烯薄膜并制备相应的石墨烯场效应晶体管,过氧化氢电子识别研究表明,石墨烯场效应晶体管的电性能对由过氧化氢产生的外来干扰非常灵敏。利用末端带有吡啶环功能基团的葡萄糖氧化酶对石墨烯场效应晶体管进行表面改性后,葡萄糖电子识别结果表明其器件对葡萄糖有非常灵敏的电子识别性能,其检测下限小于0.1 mM,且具有生物传感器响应快、稳定性好的特点。     

基于原子层沉积的二硫化钼场效应晶体管制造及其性能研究

针对机械剥离和化学气相沉积等传统制备二硫化钼薄膜方法的不足,采用原子层沉积方法,在氧化硅基底上沉积单少层二硫化钼薄膜,制备背栅场效应晶体管.采用光镜、透射电子显微镜、拉曼光谱仪和X射线衍射仪对沉积的二硫化钼薄膜进行表征.二硫化钼薄膜质量均匀、面积大,晶粒尺寸约为5.45 nm,为2H六方晶格结构.采用四探针台对二硫化钼...     

可在p型与n型间转换的新式晶体管问世

[科技日报]据美国物理学家组织网12月21日(北京时间)报道,德国科学家研制出一种新式的通用晶体管,其既可当p型晶体管又可当n型晶体管使用,最新晶体管有望让电子设备更紧凑;科学家们也可用其设计出新式电路。相关研究发表在最新一期的《纳米快报》杂志上。目     

一种单电子晶体管的模拟新方法

基于主方程法,把单电子晶体管的稳定状态数简化为3个状态,得到了一个简捷模拟新方法,通过仿真与分析,这种新模拟方法模拟单电子晶体管I-V特性,具有合理的精确度,可用来分析SET—CMOS混合电路,这对数字逻辑电路的构造分析具有十分重要的意义。     

可在p型与n型间转换的新式晶体管问世

[科技日报]据美国物理学家组织网12月21日(北京时间)报道,德国科学家研制出一种新式的通用晶体管,其既可当p型晶体管又可当n型晶体管使用,最新晶体管有望让电子设备更紧凑;科学家们也可用其设计出新式电路。相关研究发表在最新一期的《纳米快报》杂志上。目前,大部分电子设备都包含两类不同的场效应晶体管:使用电子作为载荷子的n型和使用空穴作为载荷子的p型。这     

一种新型单电子-MOS晶体管混合的半加器电路

基于单电子晶体管的I-V特性和MOS晶体管的逻辑电路设计思想,提出了1个单电子晶体管和MOS晶体管混合的反相器电路,进而推导出其它基本逻辑门电路,并最终实现了一个半加器电路。通过比较单电子晶体管和MOS晶体管两者的混合与纯CMOS晶体管实现的半加器电路,元器件数目得到了减少,电路结构得到简化,且电路的静态功耗降低。SPICE验证了电路设计的正确性。     

科学家创造出世界首个分子晶体管

2009年12月23日,由美国耶鲁大学和韩国光州科技学院的研究人员组成的研究小组运用单个苯分子成功创造出世界上首个分子晶体管。     

可在P型与11型问转换的新式晶体管问世

[科技日报]据美国物理学家组织网12月21日（北京时间）报道,德国科学家研制出一种新式的通用晶体管,其既可当P型晶体管又可当n型晶体管使用,最新晶体管有望让电子设备更紧凑;科学家们也可用其设计出新式电路。相关研究发表在最新一期的《纳米快报》杂志上。     

GaN基高电子迁移率晶体管器件的可靠性及退化机制研究进展

GaN基高电子迁移率晶体管（high electron mobility transistor,HEMT）器件在航天、通讯、雷达、电动汽车等领域具有广泛的应用,近年来成为电力电子器件的研究热点。在实际应用中,GaN基HEMT器件随着使用时间的延长会发生退化甚至失效的情况,器件的可靠性问题仍是进一步提高HEMT器件应用的绊脚石。因此,研究器件的可靠性及退化机制对于进一步优化器件性能具有极其重要的意义。将从影响器件可靠性的几个关键因素如高电场应力、高温存储、高温电场和重离子辐照等进行阐述,主要对近几年文献里报道的几种失效机制及相应的失效现象进行了综述和总结,最后讨论了进一步优化器件可靠性的措施,对进一步提高HEMT器件的应用起促进作用。     

新型聚合物半导体薄膜及其场效应晶体管的研究

以新型的有机聚合物半导体(DPPTTT(poly(3,6-di(2-thien-5-yl)-2,5-di(2-octyldodecyl)-pyrrolo[3,4-c]pyrrole-1,4-dione) thieno [3,2-b] thiophene))为研究对象,利用溶液法制备了有机半导体薄膜并进行了一系列表征.发现半导体薄膜的厚度、表面粗糙度和拉曼峰强度均随溶液浓度和转速呈规律性变化.以该材料作为半导体活性层制备了p型有机场效应晶体管,发现当沟道长度降低到50μm时,器件的有效载流子迁移率最高,达到0.12 cm~2/Vs;同时观察到随着沟道长度的降低,载流子迁移率与阈值电压都有增大的趋势,这与普遍观察到的短沟道效应相反.这些研究内容或许可以为更好地理解有机场效应晶体管及器件物理提供新的观点.     

基于周期特性的双岛单电子晶体管主方程模拟及改进

以双岛单电子晶体管（SET）为研究对象,采用稳态图和蒙特卡洛法分析双岛SET的周期特性,选取其中的7个典型状态,提出了双岛SET的简化主方程模拟方法,并利用分析所得SET的周期特性而改善简化主方程模拟方法的局限性.结果表明,所提出的模拟方法能够有效模拟双岛SET的电流和电压特性,并能扩展到多岛单电子晶体管.     

新型纳米晶体管可探测细胞内部

美国化学家和工程师共同制造了一种最新的V形纳米晶体管。这种新型纳米晶体管称为纳米级场效应传感器或纳米FETs,比许多病毒更小。人体细胞直径范围大约为从10μm左右的神经细胞到50μm的心脏细胞,     

铁电场效应晶体管:原理、材料设计与研究进展

系统阐述了铁电场效应晶体管(FeFET)的工作原理,重点介绍了铁电层和缓冲层的材料设计的基本原理、目前所研究的主要的铁电层材料和缓冲层材料及其所对应的FeFET的器件性能．并介绍了关于FeFET研究的一些最新的进展如基于FeFET的FeCMOS逻辑电路、FeNAND闪存电路、基于氧化物半导体和有机半导体的FeFET的一些最新研究成果．最后对FeFET的未来研究发展趋势作出一些展望．