基于文献计量的全球光刻机领域发展态势研究

<正>光刻机又名掩模对准曝光机、曝光系统、光刻系统等,是大规模半导体制造的核心设备,它的精度决定了芯片制程的精度,被誉为半导体工业皇冠上的明珠。全球高精度半导体用光刻机主要来自荷兰的ASML以及日本的Nikon和Canon这三家公司,而最顶级的EUV光刻机仅有ASML公司能够生产,最高能支持2nm芯片的制造,     

江苏省集成电路产业“奋勇向前” 光刻机厂商ASML“握手”无锡

正5月,光刻机生产研发公司荷兰阿斯麦(ASML)公司与无锡高新区管委会签署战略合作协议,未来阿斯麦公司将在原有基础上对资源进行整合提升,加速扩建光刻设备技术服务(无锡)基地。光刻机,又名掩模对准曝光机,是制造大规模集成电路的核心装备。作为"芯片之母",它对某个国家或地区的集成电路产业具备重要的发展支撑作用。阿斯麦公司与无锡"握手",将为江苏集成电路产业带来哪些新变化?这是阿斯麦与无锡第二次"握手"。2006年,阿斯麦公司在无锡布局建立光刻设备技术服务基地,经过多年的"深耕细作",如今,阿斯麦无锡基地是中国规模最大的光刻设备技术服务基地,成为华虹、SK海力士等一批     

上海市集成电路产业技术创新服务平台：提高创“芯”力，让“散装”变“精装”

上海市集成电路产业技术创新平台在推动企业发展，服务产业升级中取得了明显成效。为上海华力生产线的建设提供技术支持；协助上海先进半导体公司建立特色工艺技术平台，使其成为目前国内主要的汽车电子生产基地；与浙江大立公司合作开发非制冷式红外MEMS芯片制造工艺技术，带动企业及产业发展；为上海光刻机中心开发100nm光刻机（样机）...     

数字声音

IBM与德BASF联合开发32纳米级的芯片IBM公司日前表示,它将与德国化学公司巴斯夫(BASF)集团共同开发新一代芯片,新产品将采用最先进的32纳米制造技术。IBM称,与德国公司共同开发的芯片预定2010年投放市场。与45纳米、60纳米技术相比,32纳米技术制造的芯片电路消耗更低的电流,可设计成更小的尺寸。它能够使智能手机、笔记本电脑以及其他的电子制造商     

四川省委书记刘奇葆 视察第十届西博会中科院展区

<正>2009年10月19日,四川省委书记刘奇葆等省领导在中科院成都分院院长彭宇行的陪同下,视察了第十届中国西部国际博览会中科院展区。刘奇葆书记先后视察了先进制造、电子信息领域内中科院展区,重点了解了光刻机系列、     

四川省委书记刘奇葆视察第十届西博会中科院展区

<正>2009年10月19日,四川省委书记刘奇葆等省领导在中科院成都分院院长彭宇行的陪同下,视察了第十届中国西部国际博览会中科院展区。刘奇葆书记先后视察了先进制造、电子信息领域内中科院展区,重点了解了光刻机系列、小型多功能排爆机器人等展品。     

刘越 集成电路之“门”开了

中芯国际集成电路制造(北京)有限公司(以下简称中芯北京)在亦庄工业园区的西南角,2002年,刘越第一次来此,此地一片荒凉,2002年9月,中芯北京开始动工,2004年9月12英寸芯片生产线投产.北京的芯片设计公司到现在发展到百家;荷兰的光刻机供应商在不远处的酒店常驻;北方微电子也在文昌大道上规划了新厂区.集成电路产业有很强的群聚性,而集成电路制造又是整个产业链的中心环节,按照刘越的说法. "集成电路制造推动了集成电路产业'多米诺'的第一块,周边的产业生态环境由此慢慢改变.集成电路能够形成大的产业集群.这也是政府很看重的一点."     

基于因子分析法的芯片行业投资策略设计

美国对我国中兴公司采取制裁行为,进而引起了我国股民对"中国芯"的关注.中国芯片愈来愈被广大电子制造公司所需要,因此本文主要选取我国芯片行业的具有代表性的公司分别进行相对价值投资分析,期待以点带面,进一步论证我国芯片行业的投资价值,另外从选择的公司中比较出相对投资价值的高低,进一步为投资者提出合理性建议.     

EUV光刻技术进展

极紫外光刻(Extreme Ultraviolet Lithography),是以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源,EUV技术最明显的特点是曝光波长一下子降到13.5nm,它能够把光刻技术扩展到32nm以下的特征尺寸。本文介绍了EUV的光刻原理和EUV光源的选择,以及EUV对掩膜版和光刻胶的技术要求,以及EUV的发展趋势。     

“中视一号”数字电视地面传输产业化国产芯片

“中视一号”的成功填补了数字电视地面传输芯片完全国产化和产业化的空白。技术全面达到同类产品的国际先进水平。实现了我国百万门级专用集复旦大学的“中视一号”专用芯片是首块由国内自主设计和制造、具有完全自主知识产权的数字电视地面传输产业化芯片。该芯片集成了70多块存储器、200多万逻辑门。芯片设计复杂度极高。“中视一号”使用的DMB-T传输体制；在一定程度上会形成阻挡外国产品进入中国的壁垒。     

EDA公共技术服务平台的发展和作用研究

芯片的特征尺寸遵循量子摩尔定律持续缩小,当前最先进的CMOS集成电路制造工艺已演进到7nm工艺。未来几年,5nm、3nm工艺也会陆续量产。先进的芯片制造工艺逐渐逼近经典物理极限,量子效应开始凸显,并由此给集成电路设计(IC设计)带来了前所未有的挑战,设计的复杂度显著提高。利用EDA公共技术服务平台相关设计工具和设计环境,工程师将芯片的电路设计、设计IC版图、性能分析的整个过程交由计算机自动处理完成,出错少,效率高。强有力的EDA工具能帮助设计工程师解决各种潜在的问题,提高芯片的可靠性,缩短设计周期,加快芯片的量产,提高产品的市场竞争力。     

张汝京的"中国芯"为何落户张江

对中国集成电路产业来讲,2001年9月25日是一个里程碑式的日子。这一天,祖国大陆投资最大、技术最先进的半导体制造企业在浦东张江高科技园区建成投产;这一天,中国集成电路的制造技术一下子跃升了三个台阶,达到0.25微米以下的国际主流水准;这一天,阳光照在刚刚下线的芯片上,芯片承载着梦想,梦想在他的中芯国际集成电路制造(上海)有限公司如鲜花般绽放。人是张汝京,梦是芯片梦,心是中国心。     

电流探测器有助于制造质量更好的芯片

电流探测器有助于制造质量更好的芯片据英国《新科学家》周刊１９９４年１０月１日报道，美国新墨西哥阿尔伯克基桑迪亚国家实验室研制出一种新仪器，可以用来观察和测量流经集成电路中的微小电流而不必接触集成电路。从而使电子学工程师能用这种新仪器设计和制造出质量更...     

1999年8月16日EUV增亮事件数值研究的初步结果

我们基于TRACE卫星上EUV观测,采用三阶迎风紧致格式模拟了1999年8月16日EUV增亮事件。数值模拟结果可以给出这次EUV增亮事件的形成和演化过程的一种可能的解释。重联X点处最初的重联流可能与EUV增亮相对应。合并磁岛产生的高度叠加的抛射流,可能与最初表现为吸收特征随后表现为EUV发射结构的提升物质相对应。双向重联喷流可能与继续沿着似乎开放磁力线向上喷发,或流向太阳表面的提升物质相对应。     

"浦东新区创新政策聚焦"之四(三)风险投资引导基金:引来"金"凤凰,孵出创新蛋

灿芯半导体(上海)有限公司是一家致力于ASIC芯片没计、制造、封装和测试一条龙服务的芯片设计服务公司.公司研发团队由在美国拥有长期从业经验的归国创业华人组成,具备领先的设计能力,应用先进的设计流程和方法向客户提供可靠的、低成本的设计服务方案.灿芯的商业模式有别于传统复杂的ASIC芯片设计,它向客户提供的是一种简易、低成本和低风险的ASIC芯片发展和制造方案.     

集成电路芯片产业分工模式的新演进与模块化研发

集成电路(IC)芯片是工业大脑。在集成电路芯片领域,产业分工模式不断演进,芯片设计与制造模式从早期的全产业链(IDM)模式到代工制造(Foundry)、无工厂设计(Fabless)模式演进到最近的无芯片设计(Chipless)模式。我国当前的芯片核心研发领域薄弱,在面对美国的"贸易战"中处于不利地位。迫切需要借助无芯片设计模式,结合模块化的研发生产方式,形成围绕核心企业的芯片设计的大网络生态,突破芯片研发技术壁垒,从而推动我国的集成电路芯片产业快速提升。     

先进制造技术及发展策略研究

阐述了面向21世纪的先进制造技术及先进的制造模式,并结合我国制造业的实际情况,论述了我国先进制造技术的发展策略。     

光刻机精密运动平台的几何及运动误差建模

为了提高光刻机硅片台和掩模台的运动精度,建立光刻机精密运动平台的几何及运动误差模型。引入低序体阵列描述光刻机的拓扑结构,采用齐次坐标变换表达多体系统中典型体的几何和运动误差,应用多体系统运动学建立了系统的结构和运动关系以及相应的定位误差方程。进一步分析了光刻机的运动误差链,推导了光刻机运动通用误差模型。以某光刻机精密工作台为例进行误差建模与分析,该方法和结果可为光刻机精度设计提供参考。     

中国芯片发展现状(八)

系统总结了世界芯片制造技术的最新进展，分析了我国与发达国家在技术上的差距，重点介绍了我国的数字信号处理器、高清数字电视芯片、系统芯片、射频芯片、蛋白芯片的开发与研制情况。     

国家自然科学基金重大项目“先进电子制造中的重要科学技术、问题研究”取得突出进展

从制造原理与工艺角度看电子器件制造属于半导体物理和材料科学等学科的研究范畴，但其中存在着大量机械学科的研究课题，而在我国电子制造与机械装备制造两个领域的研究相互脱节，不利于电子制造基础理论和关键技术的源头创新和跨越式发展．为此，2001年底至2002年初，在有关院士专家的倡导下，国家自然科学基金委员会组织召开了多次研讨会，经反复调研和论证，于2002年底设立了重大项目“先进电子制造中的重要科学技术问题研究”．本着有限支持、重点突破的原则，将“超精抛光中纳米粒子行为和化学作用及平整化原理与技术”、“磁头、磁盘表面润滑规律和超薄保护膜的生长机理及技术”、“面向芯片封装的高加速度运动系统的精确定位和操纵”和“芯片封装界面制造过程多参数影响规律与控制”列为其中的4个重要研究课题，旨在针对硬盘驱动器（存储器）和IC（芯片级）制造中的关键科学问题开展基础理论和应用技术研究，建立起面向下一代先进电子制造的理论体系和原型系统，