强场图象中的Trees修正

本文推导了d~2、d~3、d~4组态强场图象中的Trees修正。     

弱场方案中的配位场谱项的推引方法

根据点群作用下谱项波函数与单电子波函数具有相同变换性质的特点推引配位场谱项。     

d^3电子系中自旋轨道相互作用能量矩阵的计算

本文给出了强场方案中d^3电子系的最大自旋多重态^4F、^4P的自旋轨道耦合相互作用能量矩阵。这一计算方法，容易推广到其它多重态和d^N电子系中去。     

组态d~N在D_(3d)对称场中稳定化能的推求方法

本文首次介绍一种推求组态ｄＮ在Ｄ３ｄ对称场中稳定化能的方法。它是根据配体场势的可合性和可分性以及立体构型的可合性和可分性两条原则，利用简单的代数运算方法，由常见对称场中各ｄ轨道的相对能量算得组态ｄＮ在Ｄ３ｄ对称场中各ｄ轨道的相对能量，尔后算得组态ｄＮ在Ｄ３ｄ对称场中稳定化能     

配位场弱场方案的酉群方法（f^N离子）

本文用李代数方法构造了匹配于群链■的对称函数。此群链是f~N离子的配位场弱场方案中的对称群链之一。     

三角晶场中3d^3离子精细光谱结构和局域结构的关系

目的研究三角晶场中3d3离子光谱精细结构和晶体局域结构之间的关系。方法利用自旋哈密顿理论,采用对角化能量矩阵的方法。结果计算了YAG：Cr3＋晶体的光谱精细结构和键角之间的关系。结论三角晶场中3d3离子基态能级分裂对晶格局域结构变化非常敏感,而其它激发态能级对晶格局域结构不很敏感。     

掺杂CaF2与SrF2中Ce3+离子晶场能级的计算

在点电荷模型基础上,考虑屏蔽效应以及电子云膨胀效应,计算了掺杂的CaF2与SrF2晶体中Ce^3＋离子的晶场能级,计算结果较前人结果有较大改进,绝大部分能级与实验值吻合较好．研究表明,Ce^3＋离子4f电子云膨胀效应和5s,5p电子壳层屏蔽效应在CaF2和SrF2中都不能忽略．     

HoIG中Ho3+离子基态晶场能级的理论研究

分析了重稀土石榴石HoIG的晶体结构,利用晶场作用理论计算了HoIG中Ho3 离子所受其周围离子或原子对它的晶场作用;然后根据量子力学理论,解久期方程计算了Ho3 离子基态(4f10)5I8的晶场能级和晶场波函数.计算的晶场能级结果与实验值符合得很好,为进一步研究重稀土石榴石HoIG的磁和磁光性质奠定了基础.     

f2组态离子在三角配位场中的库仑矩阵元计算

通过选用与群链[(OD3C3)×SU(2)]N相匹配的单电子基矢,使其直积构成多电子fN体系的D3C3旋量群的不可约表示的基矢,并讨论了有关的Coulomb矩阵元的计算.     

弱场方案中的配位场谱项的推引方法

根据点群作用下谱项波函数与单电子波函数具有相同变换性质的特点推引配位场谱项.     

三角对称下的d~5离子旋-轨耦合晶场分裂

本文在弱场图象中利用不可约张量算符法,在考虑旋-轨耦合作用后,计算出 d~5离子在 C_(?)对称晶场中的哈密顿矩阵.     

布里兹曼法生长单晶径向温场分布分析

通过对温度场分布的定量分析得到了温度随r,z和h的变化关系－T（r,z,h)的微分方程，结果表明：等温面的分布取决于温度梯度矢量的径向分量，而有利于单晶生长的情况仅限于大于0，且固液交界面（S－L）是上凸的。当＜0，固液交界面呈下凹状，形成多晶，这对单晶生长不利。     

矢量场标积积分定理及其在电磁场中的应用

首先给出了两矢量场标积积分定理，应用该定理讨论了在静电场和恒定磁场中移入有限介质后的能量变化，并且分别导出了极化介质的能量密度表达式和磁化物质能量密度的表达式．     

弱酸性介质中稀土离子在电解二氧化锰上的吸附

用室温电解法制得的二氧化锰在弱酸性溶液中对稀土离子进行吸附实验，得到的数据符合Ｆｒｕｍｋｉｎ等温式。求出了标准摩尔吸附吉布斯函数、标准摩尔吸附熵和标准摩尔吸附焓。ｐ．ｚ．ｃ．和ｉ．ｅ．ｐ．的测量结果表明发生了特性吸附。二氧化锰分子骨架上有ＯＨ基团连接是产生特性吸附的原因     

变压器三维温度场的分析与计算

针对干式变压器建立了同时考虑铁芯、线圈和绝缘的数学物理模型，用有限元法分析计算其温度场；讨论变压器的内部温度分布、热点位置及材料热物性系数的影响并结合实测对计算结果进行校验．     

d~3电子系中自旋轨道相互作用能量矩阵的计算

本文给出了强场方案中d3电子系的最大自旋多重态4F、4P的自旋轨道耦合相互作用能量矩阵。这一计算方法,容易推广到其它多重态和dN电子系中去。     

磁场“最佳增能”特性——电机中的电磁理论问题

本文研究电机和电工中的磁场分布和电磁力方向问题。根据试验研究,本文提出一个新的概念:磁场“最佳增能”特性。新的概念可以从理论上决定电机中的电磁力方向。实验和分析证明,电机中的电磁力及其方向是难以正确的使用安培定律(左手定则)和表面张力法加以说明的。新的概念还可以正确决定磁场分布图形。新的方法在许多场合表现出它的简炼性和物理概念鲜明性。     

晶体电场对离子自旋─轨道耦合参数的影响

晶体电场对三价稀土离子自旋─轨道耦合参数有影响，是人们长期怀疑但尚无人作过定量分析与计算的问题．本文从相对论Ｄｉｒａｃ方程式给出的电子自族─轨道耦合参数表达式出发，以稀土氯化物为例，首次详细计算了晶体电场对稀土离子（Ｃｅ３＋、Ｐｒ３＋、Ｎｄ３＋、Ｓｍ３＋、Ｅｕ３＋、Ｇｄ３＋、Ｄｙ３＋、Ｅｒ３＋、Ｙｂ３＋）４ｆ自旋─轨道耦合参数贡献的相对大小．计算结果表明：晶体电场对电子自旋─轨道耦合参数的贡献至多占稀土离子核库仑场贡献的万分之一，因此可以忽略不计．寻找电子自旋─轨道耦合参数实验值与理论值差别的途径，应该从离子的电子结构本身着手来研究．     

弱磁介质中磁场强度的进一步讨论

本文从磁场强度的微分方程边值问题出发,证明了弱磁介质中磁场强度与磁介质无关的充要条件不是“均匀充满”,而是．     

交流表面电场对BSO晶体全息图衍射率的增强效应

对交流表面电场中 BSO 晶体全息图的衍射率进行了理论分析和实验研究.实验结果表明,交流表面电场对衍射率有明显的增强作用.实验与理论取得了很好的一致.