磁性颗粒膜的铁磁共振

从理论上分析了颗粒膜在铁磁共振（FMR）场以上由于颗粒形状、尺寸、取向、百分含量及温度的效应．分析了斜置共蒸发沉淀而成的CoxAg1-x颗粒膜（百分含量（0．2〈x〈0.85）、体积填充因子以0．17〈f〈0．85））与Hτ的关系，在室温下FMR的Hιτ（f）-f曲线显示，在系统的逾渗点f=fp≈0．3时产生突变，这变化与铁磁（FM）颗粒的聚集增长相关联，这种关联是在f〉fp时与单一超顺磁相（SPM）颗粒比较．另外，对Fe—SiO2颗粒膜其Hτ（f）-f曲线的分析也显示在逾渗点f=fp≈0．28时产生不连续的跃变．磁性颗粒膜的这一性质提供了有效探明第一类磁逾渗材料的相转变途径．     

磁控溅射制备TiO2光催化薄膜工艺条件的优化

采用正交实验设计法优化了玻璃基片表面磁控溅射制备TiO2光催化活性薄膜的工艺条件，以罗丹明B的降解率作为薄膜光催化性的评价标准．结果表明：所考察的因素对薄膜光催化性能的影响次序是靶基距〉基片温度〉溅射气压〉溅射功率〉氧氩比和靶基距的交互作用〉氧氩比；所得优化条件为：功率155W，靶基距85mm,气压1．2Pa，氧氩比1：10，基片温度550℃.     

Fe含量对FeCu颗粒膜磁滞回线的影响

利用共蒸发法制备了不同组分的FeCu颗粒膜，用X射线衍射仪(XRD)确定了样品的物相组成，用扫描电镜(SEM)观测了颗粒的平均直径，用振动样品磁强计(VSM)测量了样品的磁滞回线，根据测量结果用Origin软件对样品的磁滞回线进行了分析，探讨了Fe含量对FeCu颗粒膜磁滞回线的影响．结果表明：FeCu颗粒膜是颗粒取向均匀的非固溶磁性膜．矫顽力、剩磁、剩磁比均随铁含量增加先减小后增大，在铁含量为25％左右时剩磁、剩磁比取极小值；而矫顽力在铁含量为30％左右极小．     

撞击流吸收器中铁系脱硫剂运动特性的CFD研究

通过采用Fluent软件中的RNGk-e模型和DPM模型对铁颗粒运动特性进行了三维数值模拟．研究结果表明,铁颗粒在撞击区和加速管内减幅振荡运动且运动场与气流场都关于撞击面呈对称分布;铁颗粒平均停留时间随空气进口速度的增大而增加,随铁颗粒直径和加速管间距的增大而减少．数值计算结果与试验数据基本一致,为进一步优化和改进撞击流脱硫吸收器的设计提供了有价值的基础数据和理论依据．     

溅射薄膜的B．A．Movchan－A．V．Demchishin微观结构的模拟

文章从物理统计规律观点出发．研究了微观溅射粒子的动力学淀积过程。着重考虑到真空度、基片温度、溅射角度等因素对淀积的影响．模拟研究了Ｂ．Ａ．Ｍｏｖｃｈａｎ－ＡＶ．Ｄｅｍｃｈｉｓｈｉｎ的溅射微观结构关系图。     

纳米金属颗粒膜的二次谐波增强效应

纳米尺寸金属颗粒膜可以产生较大的表面二次谐波增强。本测量了用溅射法制备的纳米尺寸Ａｕ颗粒的反射二次谐波，其增强因子可达１０％２数量级。理论计算了局域场因子与波长的关系曲线，对于用Ｎｄ：ＹＡＧ激光器输出的１．０６μｍ波长的基频光，可以获得较强的倍频光的局域场增强，对金属颗粒尺寸对局域场因子的影响进行了计算和分析。     

[FePt/Ag]n多层颗粒膜的磁学性能及微观结构

采用磁控溅射方法制备了一系列[FePt/Ag]n多层颗粒膜,经过退火处理,用原子力磁力显微镜和振动样品磁强计研究了其微观结构及磁学性能.研究结果表明:在FePt薄膜中加入适当含量的Ag有利于FePt在较低退火温度下发生有序化相变,但在FePt有序化相变完成之后,颗粒膜中的Ag原子的扩散阻碍薄膜矫顽力的进一步提高;[FePt/Ag]n颗粒膜的晶粒及其岛状磁畴的大小随着退火温度的升高而增大;溅射成膜过程中适当的基片加温有利于降低[FePt/Ag]n颗粒膜的后续退火处理温度.     

射频溅射功率和掺杂氢对硅氢薄膜结构的影响

采用SEM和Raman谱对射频磁控溅射法制备的硅氢薄膜结构进行了研究,讨论了在100～400 W范围内溅射功率和氢气分压对硅氢薄膜结构的影响.结果表明,制备的硅氢薄膜为致密的颗粒膜,添加氢气后,颗粒状的硅氢薄膜出现了粒径更为细小的纳米级小颗粒亚结构;随着氢气分压的增加,其直径先增加后减小,平均直径在氢气分压为50%时达到最大;随着溅射功率的增加,硅氢薄膜的颗粒平均直径增加,当溅射功率达到400 W时,颗粒的平均直径为104 nm.拉曼光谱分析结果显示硅氢薄膜为非晶态.     

Ni纳米颗粒膜输运性质的尺寸效应

采用离子束溅射方法制备了不同名义厚度的非连续Ni金属膜。用原位的直流电导和交流介电谱方法研究了其活化能与薄膜名义厚度的关系；通过原子力显微镜测量了颗粒直径和颗粒间距，估算出薄膜的充电能。比较表明，薄膜的活化能和充电能近似相等，与薄膜名义厚度的关系也很相近，符合Sheng—Abeles模型关于活化能来源于充电能的假设。     

金属Au纳米膜的电子输运及非线性效应

使用Matlab软件对N方势垒在偏压下电流随电压的变化关系进行了模拟计算，计算结果表明N方势垒的伏安特性（I-V）曲线上显现出非线性效应和震荡效应。利用溅射方法将Au颗粒沉积在经过电化学腐蚀处理的硅基片上，得到具有纳米结构的Au膜。采用SEM对基片表面上的金膜进行观察，发现了纳米颗粒的聚集体，样品的I-V曲线测试结果表明：常温下，测得电流在0至1.5×10^-6A范围内，样品电阻率呈非线性电阻效应和振荡效应；N方势垒模型的模拟计算结果与实验测量结果很好的吻合。     

Au—LiNbO3纳米颗粒膜的制备和物性分析

采用复合靶共溅射技术,在单晶Ｓｉ基片和石英玻璃基片以及钠硅酸盐玻璃基片上分别制备得到了Ａｕ－ＬｉＮｂＯ３和Ａｕ－ＮａＮｂＯ３纳米复合颗粒膜,利用Ｘ射线衍射谱和电子能谱对复合膜的结构和物相进行了分析,观测到Ａｕ－ＬｉＮｂＯ３纳米复合颗粒膜在５９３ｎｍ波段存在强度等离子体共振吸收。     

宏观颗粒影响薄膜性能的机理分析

基于界面能量理论，从微观的角度通过分析阴极真空电弧镀膜中、宏观颗粒（ＭＰ）到达基片后的自身发展形态与基片表面的相互影响以及与金属原子、离子之间的相互作用，提示出ＭＰ影响薄膜性能的物理机制。分析表明，ＭＰ将增大薄膜表面粗糙度，降低薄膜附着力；使薄膜密度不均匀，膜层中ＭＰ与连续薄膜之间存在明显的分界面，理论分析的结果与实验结果相吻合。     

溅射功率对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响

采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功制得了GdTbFeCo非晶垂直磁化膜,研究了溅射功率对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响.测量结果表明:基片与靶间距为72 mm溅射功率为75 W,溅射气压为0.5 Pa,薄膜厚度为120 12m时,GdTbFeCo薄膜垂直方向矫顾力达到5966 Oe,克尔角为0.413 °.     

PbTe薄膜磁控溅射生长及其微结构研究

利用磁控溅射法在BaF2（111）单晶衬底上生长了PhTe薄膜,通过原子力显微镜（AFM）、X射线衍射（XRD）、傅里叶红外透射谱（FTIR）表征了溅射PbTe/BaF2（111）薄膜的微结构和光学特性．测量结果显示：溅射生长的PbTe／BaF2（111）薄膜表面由规则金字塔形岛和三角形坑组成的纳米颗粒构成,且薄膜沿〈111〉取向择优生长,其晶粒大小与表面纳米颗粒大小接近．室温下傅里叶红外透射谱及其理论模拟表明溅射生长的PbTe薄膜光学吸收带隙（Eg=0．351eV）出现蓝移,与PbTe纳米晶粒的尺寸效应有关．     

SmCo薄膜的溅射法制备及其磁性能研究

采用射频磁控溅射方法在玻璃基片上制备了SmCo磁性薄膜,并重点研究了溅射功率、溅射时间以及溅射气压等工艺参数对薄膜磁性能的影响.结果发现,当磁性层溅射功率为60 W,溅射气压为0.5Pa,溅射时间为8min,且底层溅射功率为125 W,溅射气压为0.5Pa,溅射时间为4min时,薄膜的矫顽力高达3500Oe.     

慢正电子技术研究ZrO2（Y2O3）薄膜的温度效应

用慢正电子技术研究了在溅射时不加偏压，纯Ａｒ气氛，基片分别为加热３００℃和不加热的情况下制备的Ｎｏ．２系列和Ｎｏ．７系列的用Ｙ２Ｏ３稳定的ＺｒＯ２薄膜（简称ＹＳＺ膜）。研究发现：ＹＳＺ膜心部区Ｓ参数随退火温度升高而降低；ＹＳＺ膜的过渡区宽度随退火温度升高而变窄；基片加热，有助于获得稳定、均匀、致密的薄膜组织。     

GaAs纳米颗粒镶嵌薄膜的制备及光电子能谱研究

采用射频磁控共溅技术成功制备GaAs半导体纳米颗粒镶嵌薄膜，GaAs在薄膜中所占分子百分比达19．0％，光电子能谱分析表明随着基片温度升高，薄膜中元素Ga，As的被氧化程度有所增强，但元素Ga，As仍主要以化合物半导体GaAs的形式，元素Si,O主要以SiO2分子的形式存在于复合薄膜中。     

CoCrPt/CrTi玻璃盘基硬盘记录介质的制备与性能

采用射频磁控溅射方法制备了CoCrPt／CrTi玻璃盘基高密度硬盘薄膜记录介质，讨论并分析了溅射气体的气压、基片温度、底层和磁性层组分对高密度硬盘记录介质性能的影响，给出了介质的底层、磁记录层的最佳组分和溅射中最佳工艺参数范围．其最佳组分、结构与工艺参数为：Co68Cr17Pt15／Cr85Ti15双层膜结构，氩气压为0．56-0．60Pa，在550℃纯N2保护下保温1h后在炉内自然冷却至室温．实验结果表明采用优化工艺条件，并经过退火处理后可以得到适于巨磁电阻磁头读写的高密度硬盘记录介质．     

富Si—SiO2薄膜的制备、结构及光致发光特性的研究

利用双离子束溅射沉积共溅射方法制备了富Si-SiO2薄膜,研究了沉积参数、时间、工作气压PAr.基片温度等对沉积速率的影响,用TEM和XRD分析了样品的结构,当基片温度Ts＜450℃时,所制备一系列样品均为非晶结构,当沉积基片温度较高时(Ts≥450℃),薄膜样品中才出现Si的颗粒.我们还分析了样品的室温光致发光现象,从PL谱中可以看出,样品有～320nm、～410nm、～500nm和～630nm四个PL峰,并对其发光机理进行初步探讨.     

激光溅射沉积制备的氮化镓表面形貌分析

利用激光溅射沉积工艺室温下在n型Si（111）基片上沉积氮化镓（GaN）薄膜，并用原子力显微镜对其表面形貌进行测量，分析了薄膜生长的动力学过程，发现其表面具有自仿射分形特征．通过对高度-高度相关函数的分析，得出在此工艺条件下GaN薄膜生长界面表现出明显的时间和空间标度特性，并且表现出较为明显的颗粒特征，粗糙度指数α随着生长时间的增加逐渐增大，生长指数β在0．42左右，薄膜生长在短时间内可以用Kuramoto-Sivashinsky模型来描述，当生长时间较长时，可以用Mullins扩散模型来描述。