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采用光滑忆阻器模型,设计了一个五阶MLC振荡电路,并建立了系统微分方程组.理论分析表明该系统具有一个二维平衡点集,其稳定性与忆阻器初始状态和电路参数有关.采用常规动力学分析手段研究了系统随电路参数和忆阻器初始状态变化时的动力学特性,数值仿真验证了理论分析的正确性.在此基础上,主要就高阶MLC振荡电路设计进行了讨论,总结出初步设计规律. 相似文献
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作为第四个基本电路元件,忆阻器非常适合实现混沌电路.采用浮地忆阻器实现了一个超混沌系统,通过调节系统参数,该系统在忆阻器的非线性作用下产生了混沌和超混沌现象.采用常规的动力学分析手段,如平衡点的稳定性、李氏指数谱和分岔图研究了电路参数变化时系统的动力学特性.为了验证电路的动力学行为,采用通用的电子器件实现了一个分段线性浮地磁控忆阻器的模拟等效电路并应用到提出的混沌电路中,Pspice仿真结果与理论分析完全吻合. 相似文献
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为提高模拟电路故障诊断特征信息提取的高效性和实现故障模式分类的准确性,提出一种基于曲线波理论的多尺度几何分析方法和超限学习机相结合的模拟电路故障诊断新方法.通过曲波变换使用空域带通滤波算子来分解不同的尺度,对模拟电路故障特征提取后重构系统,提高稳定性、高效性并达到最优逼近,结合超限学习机训练过程不需要迭代的突出性能,大大提高了故障诊断速度.通过与其他故障诊断方法比较,结果表明了该方法的有效性. 相似文献
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本文提出了一种新型pH仪的设计方法.这种仪器的敏感器件是氢离子敏感场效应晶体管.全部电路采用集成电路构成.单片A/D转换器和液晶片作成显示单元.实验证明,设计的理论和方法是正确的,仪器具有良好的性能. 相似文献
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傅军 《海南师范大学学报(自然科学版)》2001,14(1):37-41
从气敏材料的制备,气敏元件的性能及如何提高气敏器件的灵敏度,选择性及长期稳定性等方面,介绍了国内气敏材料和器件的研究进展,对发展的趋势作了展望。 相似文献
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新的Q增强开关电容滤波器 总被引:1,自引:1,他引:0
本文介绍了一种新的增强极点Q的技术,提出了两个新的单运放开关电容(SC)带通滤波器,给出了设计方程和电容分布最佳设计.计算表明:本文电路的电容分布得到大幅度地减小.最后,还考察了电路的极点频率和极点Q灵敏度. 相似文献
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1 前言理化实验中,经常需要恒温和程序控温过程.在要求较高的扬合就要用微机来控制.MCS-96系列的8098芯把定时器、输入输出电路,A/D和D/A接口电路集成于一片,因此仪器的硬件电路比较简单.但是8098的A/D转换电路只有10位,因此在控制精度要求达到0.1%时就无法满足.本文就这个问题,讨论如何采取硬件,软件措施来实现这个目标. 相似文献
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建立了RC电路暂态过程的数学模型,运用该模型求解单稳态电路的暂稳态宽度和无稳态电路的周期T,经实验验证,最大误差E仅为1.98%. 相似文献
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利用遗传算法完成量子隐形传态电路的优化设计,提出一种新的一维编码模式,即利用码的位置信息来存储量子门的位置信息. 这种编码模式与其他模式相比效率更高,编解码更方便,能很好地反映量子电路的结构,且容易推广到多位量子电路. 设计了合适的适应度函数,分两部分判断电路的功能和性能,详细探讨了遗传算法的改进及相应实验结果,得到了更优的电路结构. 相似文献
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在通信系统中接收机天线上接收到的一般都是毫伏级的微弱信号,为能够对其进行分析处理,必须进行前置放大.文章设计一种基于运放AD603的微弱信号宽带放大电路作为前置放大电路,仿真表明该前置放大电路稳定可靠、性能优良. 相似文献
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提出了一种新型的基于运算放大器的开关电容采样保持电路结构.采用速度补偿解决了高速高分辨采样保持电路对放大器要求增益高和速度快之间的矛盾.具体设计了采样保持电路,特别设计了其中的快速时间连续电压比较器.用Chart 0.35μm CMOS工艺,进行HSPICE仿真,结果表明,本文设计的采样保持电路的分辨率为10位,采样速率高于70 MHz/s. 相似文献
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在深入分析目前晶闸管数字触发电路存在的主要问题的基础上,提出了一种新型晶闸管交流调压电路触发系统的设计方法.提出了基于锁相环的电压同步检测电路的原理与设计,保证了同步信号对电源频率的跟踪;设计了以单片机89s51、计数器8253为基础晶闸管触发电路,并通过相序检测、校正电路实现了相序自适应触发;提出采用高频互补对称触发脉冲设计方法,有效地减小了对脉冲变压器的功率要求. 相似文献
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基于AT89C2051的步进电机驱动电路 总被引:1,自引:0,他引:1
基于AT89C2051单片机设计步进电机的驱动电路.以单片机AT89C2051和移位寄存器CD4094为主要元件构建步进电机驱动电路,电路以CP脉冲为复位信号,提高了电路的抗干扰能力.该电路在多套系统中获得了成功应用,具有灵活方便、适用范围广等特点. 相似文献
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本文研究了可控硅整流弧焊电源的动特性,并据此作了改进。改进后的可控硅电源可控制短路过渡时的电流上升速度小于30A/msec,在再引弧发生前电流瞬时下降50~150A。 相似文献