W波段八次谐波混频器的研究

本文介绍了W波段八次谐波混频器的混频原理与设计方法。该混频器主要由波导到微带过渡,输入输出的匹配网络以及反向并联二极管组成。仿真结果表明在输入信号功率为-20dBm时,射频信号在90—100GHz,本征为11.75±0.625GHz,中频固定在1GHz,变频损耗小于34dB。     

功率肖特基势垒整流二极管科技成果及产业化发展

功率肖特基势垒整流二极管属新型电子元器件,具有高速和大电流低正向压降等特点,将科技成果转化为产业化大规模生产,可满足日益增长的国内外市场需求。     

Ku波段肖特基二极管功率检波器的设计与制作

对作为功率探针的低势垒肖特基二板管检波器进行了微波特性分析,给出了大信号、小信号情况下的检波特性。并利用高频电磁场仿真软件对检波滤波器进行了仿真分析,得到了该器件的S参数,给出实际测试结果。设计中使用混合集成工艺将整个系统包括耦合结构、检波滤波电路置于矩形腔体内,实现了部件的小型化、重轻化。     

终端场板结构对GaN基肖特基势垒二极管击穿电压的影响

为了提高肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode,SBD)的击穿电压(breakdown voltage,BV),系统研究了终端场板结构的GaN-SBD.基于Silvaco TCAD软件,采用控制变量法即分别在不同场板长度(LFP)和绝缘层厚度(TFP)及GaN漂移区掺杂浓度(ND)条件下仿真了器...     

S波段超低变频损耗镜像抑制混频器

镜像抑制混频器能有效地减少镜像干扰,抑制镜像频率,被广泛的应用在微波产品中。主要设计了S波段镜像抑制混频电路,首先阐述了平衡混频器、镜像抑制混频器的工作原理,然后利用ADS进行设计和仿真。该混频器的射频输入信号3 600 MHz,本振输入信号为3 800 MHz,中频输出信号为200 MHz。为了减少射频和本振信号的泄露,利用λ/4开路线对信号进行回收,既减小了变频损耗,也增大了端口隔离度。最终变频损耗小于4.2 d B,隔离度大于30 d B,镜像抑制度基本都大于20 d B,由仿真结果验证出该设计是可行的。     

高压4H—SiC肖特基二极管的模拟及研制

结终端技术能提高4 H-SiC肖特基势垒二极管器件的耐压性能.利用仿真软件ISE-TCAD10.0对具有结终端扩展JTE保护的4 H-SiC SBD器件进行了仿真研究,并依据仿真优化好的参数试制了器件.实验测试结果表明,模拟优化结果与实验测试器件的结果一致性较好,实测此器件的反向电压值达2 000 V,接近理想击穿耐压88%,漏电流数值为0.1mA/cm2.     

基于吉尔伯特型的CMOS射频混频器的设计

采用多晶电阻作为输出负载、开关对的源极注入电流、共源节点串联电感、驱动级的源简并阻抗方法,提出了一种新型的双通道正交混频器,并采用Candence完成了电路设计.仿真结果表明：在电源电压为1.8V,本振信号输入功率为3 dBm的时,混频器在1 MHz中频处的单边带噪声系数为7.47 dB,在100 kHz中频处为9.35 dB,在10 kHz中频处为16.39 dB;变频增益降为8.46 dB.提高了线性度,且其三阶交调点为8.42 dBm.     

基于硅纳米线缺陷辅助隧穿肖特基二极管研究

介绍了铂（Pt）/p型硅纳米线（p-SiNWs）肖特基二极管的制备方法,在300~370 K温度范围内,测量了Pt/p-SiNWs肖特基二极管I-V特性.根据热发射（TE）、产生-复合（GR）,隧穿（TU）和漏电流（RL）理论模型,拟合了肖特基二极管电流传输机制,拟合结果说明Pt/p-SiNWs肖特基二极管中电流传输机制为缺陷辅助隧穿机制.此外,根据实验数据计算了肖特基二极管主要特征参数,二极管理想因子n随温度升高而减小,势垒高度Φb0随温度升高而增加,并且隧穿参数E0不随温度而变化.     

Phase-locked oscillator at 3 mm waveband using high Tc superconductor mixer mounted on pulse tube crycooler

DUE TO ITS HIGH NON-LINEARITY, JOSEPHSON JUNCTION MIXER POSSESSES THE ADVANTAGES OF HIGH HARMONIC NUMBER, HIGH CONVERSION EFFICIENCY, LOW EQUIVALENT NOISE TEMPERATURE, ETC. AS THE MIXING ELEMENT, A HIGH TEMPERATURE SUPERCONDUCTOR (HTS) JUNCTION MIXES THE …     

MISiC肖特基二极管式气体传感器响应特性分析

分析了金属－绝缘体－SiC(MISiC)结构肖特基二极管（SBD）气体传感器敏感机理，通过将热电子发射理论与隧道理论结构，建立了器件物理模型。模拟结果表明，响应特性与金属电极类型，绝缘层厚度，气体吸收效率和温度有关。模型结果与实验符合较好。通过模拟，得到MISiC结构最佳绝缘层（SiO2)厚度应为１nm左右。     

基于传输线模型的人体脉搏波仿真分析

利用55段人体动脉树建立传输线模型,数值仿真人体动脉树中脉搏波的传播,在心脏输出体积流率波一定的条件下,改变模型分支外周阻力来探讨阻力变化对脉搏波的影响规律。研究表明:随着某分支外周阻力的增加其自身的血流量迅速下降,不同器官的阻力比增加均能引起主动脉和桡动脉平均血压的升高,且升高的趋势逐渐减小;当阻力比η=4时,肝、脾、胃、上肠膜、右肾、下肠膜分支桡动脉平均血压较正常分别增加2.86%、4.55%、1.90%、12.15%、9.81%、1.49%。脉搏波谐波与各器官病变之间存在客观联系是中医脉诊的依据,而通过对桡动脉脉搏波频域分析发现,脉搏波谐波振幅与各器官外周阻力变化的联系不明显,仿真时还需考虑不同器官病变时心脏自我调节作用的影响。     

4H-SiC肖特基二极管载流子输运的温度效应

以Cree公司生产的碳化硅肖特基二极管为研究对象,对其进行I-V测试.通过对实验数据的理论模拟,研究了碳化硅肖特基二极管的载流子输运机理及温度效应.研究结果表明:温度升高,碳化硅肖特基二极管的肖特基势垒高度降低,漏电流急剧增加.正向导通时符合热电子发射机理,镜像力和隧穿效应共同作用使得反向偏压下的漏电流增加并能较好地和实验值相一致.     

基于数字图像处理的单条输电线路曲线提取

对输电线路实时监测的工作中,为方便计算重要参数、获取有用信息,采用数字图像处理的方法提取出相邻两个塔杆之间的单条输电线路曲线。首先,输电线图像采取一系列预处理,得到输电线路的边缘提取图像。然后,在一般的边缘跟踪算法(俗称"小虫爬法")的基础上改进,并进行边缘跟踪。最后,将人机交互与边缘跟踪算法相结合,对输电线路进行特征点选取及多次修正,即可去除图像中的复杂背景,得到单条输电线路的曲线。经实验验证,此种方法能有效提取出单条输电线路曲线。     

基于改进学习矢量量化神经网络输电线路故障识别技术

针对输电线路距离长、覆盖范围广,易受到自然环境和人为因素的影响,对输电线路故障分类和识别非常困难.在输电线路故障分类中将经验小波变换与改进的学习矢量量化神经网络相结合,使用经验小波变换提取输电线路的故障特征,并使用改进的学习矢量量化神经网络识别故障特征.通过对不同故障类型、故障位置、过渡电阻和初始故障角度进行仿真,验证该模型的准确性和有效性.仿真结果表明,该方法在故障分类中具有一定的优势,不受上述因素的影响,具有良好的鲁棒性和故障分类性能.该研究为中国输电线故障识别技术的发展提供一定的参考.     

基于电流相角分布的光伏直流送出线保护方案

光伏直流送出线发生双极故障时会导致输电线路两端换流器快速闭锁,为保障系统稳定运行,保护装置需在换流器闭锁前快速准确识别故障.为此,提出一种基于两端电流极性变化的相角分布光伏直流送出线保护方案.该方案利用相角值描述故障前后一个数据窗线路两端暂态电流极性的异同,并以此分类构造保护判据,可以准确快速地判断出光伏直流送出线区内外故障.最后,在MATLAB/Simulink中搭建1 MW/±30 kV集中型光伏直流升压外送系统模型进行仿真验证.结果 表明,该方案能够快速可靠识别光伏直流送出线上的故障类型,且具有较好的抗干扰和抗过渡电阻能力.     

基于Adaboost算法的输电线路舞动预警方法

输电线路舞动是目前尚未被全面准确认识的世界性难题,已严重威胁输电系统的安全稳定运行。文章分析影响舞动的外界气象环境因素,并在此基础上提出一种基于Adaboost集成学习算法的输电线舞动预警方法。采用基于Gini指标的决策桩作为弱分类器,通过对多个弱分类器的训练及加权求和,输出舞动预测结果及其置信度,可为电网运维人员提供决策支撑。最后,使用历史数据进行验证性实验,结果证明了所提方法的有效性。     

输电线路覆冰载荷在线检测分析与神经网络预测研究

线路覆冰是威胁输电线路安全的最主要因素之一.在实时实验数据和力学研究的基础上,提出了一种基于BP神经网络的覆冰厚度及重量的预测模型.预测模型以输电线路所处的温度、湿度、风向等为输入量,以覆冰厚度为输出量,网络隐含层单元个数与中心向量采用正交最小二乘法(orthogonal least squares,OLS).在此基础上再通过专家软件来分析覆冰情况,给出了预测及预警信息.仿真结果表明,符合预期效果,实现了对覆冰载荷在线监测和覆冰厚度的预测,将其误差控制在一个较小的范围.     

高海拔地区直流输电线路染污绝缘特性

为了分析高海拔条件下瓷、玻璃和复合绝缘子伞裙结构及瓷绝缘子悬挂方式对直流污闪特性的影响规律,在海拔1 970 m条件下, 采用恒压升降法,对瓷、玻璃和复合绝缘子的直流污闪特性进行试验分析.试验结果表明: 不同悬挂方式下,电弧发展路径不同,绝缘子Y串利于电弧发展,污闪电压最低;采用绝缘子V串可使瓷绝缘子污闪电压提高7%以上.绝缘子的伞裙结构对直流污闪电压影响较大,优化设计复合绝缘子的伞裙结构,可以将其污闪电压提高20%以上.因此,高海拔条件下,改变悬挂方式及优化伞裙结构可提高污闪电压.