三电容射频热疗在均匀组织体模温度分布研究

用有限单元数值计算方法对三级板调相式电容射频（１３．５６ＭＨｚ）热疗装置在均匀肌肉组织体模和不同功率分配条件下的温度分布进行模拟计算分析。结果表明，可通过改变三个极板电压的相位、幅值和功率分配方式来调整热汤分布形态，有较好的治疗热区调整能力。该研究对三电容射频热疗临床选用功率分配及了解相应的热区形态有指导意义。     

陶瓷气体放电管特性及应用

随着邮电通信、广播电视、各类家用电器、设备仪表、计算机设备等的发展,陶瓷气体放电管作为防雷及过电压保护的保护设施,正日益得到越来越广泛的应用。相比于其他类型的放电管,陶瓷气体放电管管身体积小,工作功率大,运行效率高,且绝缘性能突出,两极之间电容小,是目前行业内性能十分突出的优质放电管。加强对于陶瓷气体放电管应用原理及其特性研究,有利于更好的将其使用于实际生产之中,充分发挥设备特性,取得良好的电路保护效果。本文即对陶瓷气体放电管工作原理作出简要分析,并对其自身特性及实际应用进行相关阐述。     

改进滑模极值搜索控制在阻抗匹配的应用

针对等离子体隐身中机载小型化射频电源在阻抗匹配网络的匹配速度慢和匹配精度低的问题,提出了一种新的阻抗匹配优化算法.通过分析射频电路阻抗匹配过程提出优化目标函数,根据电路输出有功功率与匹配电容的特性曲线自寻优系统峰值,利用切换环节结合终端滑模控制设计了改进终端滑模极值搜索算法,得到L型匹配网络电容的优化值,获得射频源输出...     

谐振法探测平板层流DBD的放电装置电特性

功率较大、频谱较宽的射频电源是D B D放电的关键设备,射频电源的功率和频谱宽度成为了研究DBD放电的瓶颈.本文利用手边的先进的射频电源,利用反向设计的思路,谈讨射频电源的设计要求.用谐振法测量平板放电设备谐振频率和射频电源的等效电感.     

谐振法探测平板层流DBD的放电装置电特性

功率较大、频谱较宽的射频电源是DBD放电的关键设备,射频电源的功率和频谱宽度成为了研究DBD放电的瓶颈。本文利用手边的先进的射频电源,利用反向设计的思路,谈讨射频电源的设计要求。用谐振法测量平板放电设备谐振频率和射频电源的等效电感。     

谐振法探测平板层流DBD的放电装置电特性

功率较大、频谱较宽的射频电源是DBD放电的关键设备,射频电源的功率和频谱宽度成为了研究DBD放电的瓶颈。本文利用手边的先进的射频电源,利用反向设计的思路,谈讨射频电源的设计要求。用谐振法测量平板放电设备谐振频率和射频电源的等效电感。     

基于GaN器件的半桥式固态射频电源应用研究

随着电力电子行业的发展,射频电源对高效率、轻量化的要求逐渐提高。硅(Si)材料的理论极限,约束了Si功率器件在高频、高压及大功率等场所的应用。基于氮化镓(GaN)半导体材料制备的功率器件与Si器件相比,具有导通阻抗低、输入输出电容小等特性。基于这些特性,采用GaN管设计制作了一款开关频率为2 MHz的半桥式固态射频电源样机。通过电路的设计和优化,样机输出2 MHz的标准正弦波。样机的输出功率为14.9 W时,效率可达到95.5%,功率密度可达到78.9×10-3W/cm3。同时,采用专为射频电源生产的Si功率器件替换掉样机上的GaN器件,验证了GaN器件与Si器件相比,可大幅度提高半桥式固态射频电源的整机效率和功率密度。     

一种自动天线阻抗匹配CMOS电路的设计

为了解决小型化天线阻抗匹配时由于电感的精度不足导致阻抗匹配效果变差的问题,提出一种自动天线阻抗匹配的CMOS电路. 首先,提出了一种新型阻抗匹配方法,该方法通过在天线的输入端与末端添加电容的方式来实现阻抗匹配. 然后,通过将匹配的电容进行集成,提出一种片上自动阻抗匹配电路,通过功率检测电路和峰值检测电路来判断天线的输入功率的大小,通过电容扫描电路和程控电容来改变天线的输入阻抗. 通过该电路,天线可以自动调节输入阻抗来匹配源端的输出阻抗,以获得最大的输入功率. 该电路省去了使用网络分析仪调节阻抗匹配的步骤,从而可以降低测试环境的变化对阻抗匹配的影响,降低了射频功率放大器输出阻抗的设计要求,可以通过设计匹配电容的精度来改变阻抗匹配的精度.     

室温溅射沉积ZnO:Al薄膜的工艺

ZnO:Al薄膜是一种N型宽带隙半导体材料,由于其大的载流子浓度和光学禁带宽度而表现出优良的光电特性.采用射频磁控溅射工艺,在室温下用氧化锌铝陶瓷靶(3wt%Al2O3)溅射沉积透明导电ZnO:Al薄膜,研究了各工艺参数,如氧流量、工作气压和射频功率对其光电特性的影响.实验结果表明:通氧量与靶材中含氧比例存在紧密联系,本实验在氧流量为0 sccm,射频功率400 W,Ar气为0.7 Pa,溅射时间为2.5 h的条件下,制备的ZAO薄膜最小方块电阻为65Ω/□,薄膜表面略显黄色.     

薄钢板拼接一次压平电容储能焊工艺

提出了用于薄钢板拼接的一次压平电容储能焊工艺,并根据被焊板材的物理性能、尺寸及一次压平焊的接头形式,设计了相应的电容储能焊机功率。通过实焊试验证明了该焊接工艺及设备对于薄钢板或镀锌钢板拼接的可行性。     

Ca_3Co_4O_9陶瓷的合成及热电性能

以柠檬酸为络合剂,采用溶胶-凝胶法获得了Ca3Co4O9的纳米前驱体,用常压烧结法成功制备了Ca3Co4O9陶瓷.利用TGD-TA,XRD,SEM等方法研究了其显微结构和热电性能.结果表明,Ca3Co4O9陶瓷为取向无规则片状结构,属于P型半导体热电材料,其功率因子随温度的升高而增大,具有一定的热电性能.     

PECVD沉积氮化硅薄膜的透过率研究

研究了用PECVD薄膜沉积设备制作氮化硅薄膜的透过率。通过改变沉积工艺参数,研究了沉积温度、射频功率、SiH4流量和腔体压强对薄膜透过率曲线的影响,并分析影响原因。     

射频功率对硼碳氮薄膜的组分和厚度的影响

利用射频磁控溅射方法以不同的射频功率(80～130 W)在硅衬底上制备出一组硼碳氮(BCN)薄膜.傅里叶红外吸收光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)测量发现样品的组成原子之间均实现了原子级化合.射频功率对薄膜的组分和厚度有很大影响,二者随射频功率的增大而呈规律性变化.B、N元素含量高、C元素含量低的硼碳氮薄膜较厚.并且,射频功率为110 W条件下制备的硼碳氮薄膜中C元素含量最低,薄膜最厚.     

充放电效率的超级电容组容量配置

通过超级电容等效电路模型,分析了超级电容组不同充放电模式下的充放电效率。提出了超级电容组充放电效率的计算方法,在提供的总能量为80 kJ,放电功率为50 kW,放电因数为50％条件下,研究了超级电容组的容量配置。仿真获得了超级电容组的效率曲线以及超级电容组所需器件组数曲线。研究结果表明：无论是恒电流还是恒功率充放电,为获得高效率,超级电容组充电电流须限制在210 A以下,放电电流不得超过190 A;充电功率需限制在10．6 kW以下,放电功率不得超过9．5 kW;超级电容组在容量配置时考虑效率就会导致所需器件组数的增加。试验曲线与仿真曲线基本吻合,表明了仿真方法的正确性。     

电极/表面接触与SrTiO3陶瓷片介电性能的关系

理论上,SrTiO_3(以下简称STO)晶界层电容器介电常数取决于陶瓷片的晶粒大小、导电性、晶界绝缘层的厚度和介电常数.但对实际的STO晶界层陶瓷电容器研究发现,金属电极与STO陶瓷片的表面接触对电容器的电容和介电常数也有很大影响.研究表明,当电极/STO为非欧姆接触时,STO陶瓷片的电容和介电常数较小;当电极/STO为欧姆接触时,STO陶瓷片电容器的电容和介电常数增大.采用Ag浆制作电极时,通过调整烧制Ag电极的温度和时间,当T=880℃,t=3. 5 h时,STO电容器的介电性能达到最佳,ε_r=22 850,tgδ=1. 0%.     

一种带有最大能量跟踪的宽动态范围射频能量收集电路的设计

本文提出了一种带有最大能量跟踪的射频能量收集电路.该电路通过加入级数来控制环路自动检测不同级数整流器的输出功率,并比较这些输出功率来选择最佳级数,以求在不同输入功率下均能够保持较高的能量转换效率.因此,能量收集电路在保持高灵敏度的同时,可以提高最高能量转换效率,扩展高效率动态范围.基于该设计方法,一个用于特高频频段的带有级数控制回路的3～5级整流器电路在SMIC 55nm工艺下得以仿真、实现.测试结果表明:在915MHz的工作频率下,所设计的射频能量收集电路的最高能量转换效率可以达到61.4%.与此同时,在19dB的输入功率范围内,能量转换效率均能够保持在最高能量转换效率的50%以上,有效扩展了高效率动态范围.此外,该电路在加入控制环路后,仍然有较高的灵敏度,可以在-16.3dBm的输入功率下,驱动一个纯电容负载,获得2V的输出电压.     

计算机智能化在SrTiO_3系电容─压敏陶瓷制备中的应用

将计算机的智能系统应用于电容－压敏材料的研制．提出了对ＳｒＴｉＯ３系电容－压敏陶瓷的制备进行智能化设计的思想和实施方案．在大量实验数据的基础上，建立了数据库和智能设计系统．对电容－压敏陶瓷进行了优化设计，通过实践，证实了优化设计系统的可行性     

电感耦合式射频离子源放电与引出特性实验

为研究电感耦合式射频离子源性能受离子束流、功率强度、工质流量和栅间电压的影响,以束流直径11 cm射频离子源为对象,完成了射频离子源点火起弧关键物理参数的设计和选择,设计并搭建了电感耦合式射频离子源性能试验系统,通过试验研究了射频放电中离子束流、射频功率、工质流量、栅间电压之间的规律。结果表明:射频离子源试验系统设计合理,能够可靠稳定地工作,真空度低于1. 0×10~(-3)Pa的氩工质条件下离子束能量大范围独立可调,在100～1 500 eV范围引出80～460 mA的离子束流,当工质流量一定时,离子源离子束流随射频功率的增大以1 mA/W比率增加,射频功率一定时,离子源束流强度随工质流量增大,在20 sccm时,离子源束流强度至稳定值或者略微增加,合理控制离子源工作参数可以提高离子源工作性能和效率。     

分抗在正弦电压源中的功率与电学性质研究

为得到分抗、分抗逼近电路在正弦电压源中的功率,从功率角度探究分抗的电学性质。给出了分抗在正弦电压源激励下的功率因数、有功功率等数学表达式;并与电阻、电容和电感比较,得到统一表达式。设计半阶感性与半阶容性Oldham分形链分抗逼近电路,计算并电路仿真验证阶频特征与F特征以及在正弦电压源激励下的有功功率。结果表明:容性分抗的功率因数、有功功率介于电阻与电容之间,感性分抗的功率因数、有功功率介于电阻与电感之间;电阻、电容、电感可看做分抗阶数延伸到整数阶的特殊情况。     

设备的泄漏电流及其测试方法

在常态下,绝缘电阻很大,所以漏电流很小。只有在绝缘不良或设备在潮湿环境下,由于绝缘电阻低而导致漏电流的增加。某些设备广泛采用无工频变压器的开关电源。但开关电源的最大缺点是射频干扰（RFI）或电磁干扰（EMI）较大。为了有效抑制（RFI）简单而又有效的办法是在电源输入端加电网滤波器。当设备装有电网滤波器后,泄漏电流还应包括通过耦合电容C1、C2的电流,而且该电流还是设备漏电流的主要成分（附漏电流示意图）。图中R1为等效绝缘电阻,CY为对地共态抑制电容,等效网络可用RC并连网络表示。由漏电流路径可知,若接地系统…