Er_2Fe_(17-x)Si_x(x=0,1,2)合金的分子场理论分析

用两格点分子场理论分析了合金 Er2 Fe17- x Six( x=0 ,1 ,2 )的饱和磁化强度随温度的变化关系 ,得到了分子场系数 n EE、n EF、n FF,计算了居里温度 ,给出了分子场强度 HEr( T)、HFe( T)随温度变化的曲线 .结果表明 ,当 x增加时 ,分子场系数 n FF明显增大 ,分子场强度 HFe( T)亦随之增大 ,而 HEr( T)在较低温区减小 ,在较高温区增大 ,并且 n FF的增大是居里温度提高的主要原因     

Fe_(50)Cu_(50)合金的形成及动力学分析

本文用机械合金化方法制备了Fe（50）Cu（50）合金,采用XRD研究了合金化过程．计算了晶格常数、晶粒尺寸及微观应变随球磨时间的变化．对Fe-Cu合金的形成进行了动力学分析．     

微重力落管法制备Nd_(60)Al_(10)Fe_(20)Co_(10)非晶薄片的磁性能研究

采用微重力落管法制得了Nd6 0 Al1 0 Fe2 0 Co1 0 非晶薄片 .利用X衍射 (XRD)分析了Nd6 0 Al1 0 Fe2 0 Co1 0 非晶薄片的结构特征 .用振动样品磁强计 (VSM)研究了其磁性能 .结果表明微重力落管法制得的非晶薄片具有硬磁性 ,与快速非平衡凝固(如甩带法 )试样的XRD相比 ,尽管其曲线还是较为典型的非晶相漫散衍射峰 ,但已有少量的不规则的类似晶化的突起小峰 ,表明该非晶片中已经有微量晶态合金或者细小晶粒析出 ,初步分析可能是生成了类似于亚稳A1 相的短程有序原子团簇或者是较大尺寸的纳米晶 ,这种短程有序原子团簇或纳米晶是Nd6 0 Al1 0 Fe2 0 Co1 0 非晶薄片显示硬磁性的主要原因     

Fe_(50)Ti_(50)非晶合金的机械合金化制备及其形成机制

采用机械合金化方法制备了Fe50 Ti50 非晶合金 ,对Fe50 Ti50 非晶合金的形成过程进行X射线衍射分析 ;通过计算Ti和Fe的晶胞参数随球磨时间的变化情况分析Fe50 Ti50 的非晶形成机制     

经热处理的Fe_(50)Cu_(50)亚稳合金的电阻特性研究

采用机械合金化方法制备了Ｆｅ５０Ｃｕ５０亚稳合金粉末,压制成片状后分别在２５０℃、６００℃进行了热处理,对热处理后的样品进行了低温电阻测量。结果表明,样品的电阻表现为负的温度系数,且经２５０℃热处理的Ｆｅ５０Ｃｕ５０样品表现出比６００℃热处理的样品更大的负温度系数．     

非晶态(Fe1-xNbx)84.5B15.5合金的磁性和热稳定性

用单辊急冷法制备了非晶态(Fe_1-xNbx)_84.5B_15.5(x=0,0.02,0.04,0.06,0.08,0.1)合金,测量了饱和磁化强度与温度的关系,得到居里温度T_o随Nb含量x的增加而线性下降,其递减率dT_o/dx=17.6 K/at%Nb.     

铬对(CuFeNiMn)_(1-x)Cr_x高熵合金显微组织与腐蚀性能的影响研究

高熵合金由于具有迟滞扩散效应,有望应用于热障涂层中的黏结层.该文系统研究了Cr元素对(CuFeMnNi)_(1-)_xCr_x(x=0～0.25)合金显微组织和在4%氢氧化钠溶液中的耐腐蚀性能.结果表明,铸态(CuFeMnNi)_(1-)_xCr_x(x=0、0.05和0.1)合金由FCC1和FCC2两相构成,铸态(CuFeMnNi)_(1-)_xCr_x(x=0.15、0.2和0.25)合金则由FCC1、FCC2和BCC三相构成.通过动电位极化曲线和交流阻抗等电化学实验发现,试验合金的耐腐蚀性能随着Cr元素含量的增加而增强,不含Cr元素的CuFeMnNi合金耐蚀性比含Cr元素的合金差,本试验成分条件下,(CuFeMnNi)_(0.75)Cr_(0.25)合金的耐蚀性最好.     

Zr基非晶态合金的显微硬度与其压力 敏感因子之间的关系

采用压痕法对铸态及退火态的Zr41.2Ti13.8Cu12.5Ni10Be22.5和Zr65Al7.5Cu17.5Ni10非晶态合金的显微硬度进行了测试.研究发现,在压痕测试中,当外载荷为0.3~20kg时,Zr基非晶态合金硬度值在小载荷条件下显著增加,而当载荷达到一定值之后,其硬度值缓慢增加最后趋于定值;在523~633K温度范围内,经退火处理的Zr基非晶态合金的硬度值高于铸态合金,而且随着退火温度的升高,其硬度值增加;研究结果表明非晶态合金为压应力敏感材料,并讨论了压力敏感因子与非晶态合金硬度之间的关系.     

掺Er的In_(1-x)Ga_xP的光致发光性质

金属有机物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）用于制备掺Ｅｒ的Ｉｎ１－ｘＧａｘＰ外延层。低温（１０Ｋ）下,研究了温度与光致发光性质的关系作为合金成分的函数,其中合金成分为ｘ＝０—０．９８,发现所有掺Ｅｒ的Ｉｎ１－ｘＧａｘＰ外延层都在０．８０１ｅＶ处有一个强光致发光峰,与合金成分无关,在２９５Ｋ时观测到Ｉｎ０．５２Ｇａ０．４８Ｐ样品的Ｅｒ３＋离子的光致发光（ＰＬ）特征峰,发光强度明显降低。     

不同球磨强度对机械合金化Fe_(50)Ti_(50)非晶形成的影响

采用不同的电压 ,用机械合金化方法制备了Fe50 Ti50 合金 ;并通过X -ray衍射分析不同球磨强度对Fe50 Ti50 非晶形成的影响     

非晶态Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)薄膜的低波动阻变特性研究

基于化学溶液法在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备了非晶态Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)薄膜,研究了其表面形貌、介电特性和阻变特性.结果表明:非晶态Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)薄膜无明显晶界存在,其P-E和C-V曲线无滞后特征,其I-V曲线展示了双极性阻变行为.高低阻态的导电机制研究表明该双极性阻变行为由氧缺陷导电细丝断开/连接主导.通过与氧缺陷导电细丝主导的晶态Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)薄膜基阻变行为对比,发现非晶态Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)薄膜阻变的波动性较小,这与其无晶界密切相关.该研究可为开发低波动的阻变器件提供一定指导.     

(Pb_(1-x)Sr_x)TiO_3系红外敏感铁电陶瓷的研究

通过改变材料组分并掺杂一定浓度的ＭｎＯ２,制备了系列（Ｐｂ１－ｘＳｒｘ）ＴｉＯ３（ＰＳＴ）红外敏感铁电陶瓷材料．对其电热性能如介电系数的温谱特性、频谱特性和热释电性能等进行了研究．结果表明,材料的居里温度随组分化学计量比的变化大致成线性关系,每增加 ｍｏｌ比１％的 Ｐｂ,将使居里温度提高约 ５℃．而随着测试频率的增加,居里温度与温度系数基本不变,但介电常数却略有下降．通过对ＰＳＴ系样品热释电性能的测量,可知材料的热释电系数约在 １０－３Ｃ／（ｍ２· Ｋ）量级．     

氧基磷灰石La10-xSrx(GeO4)6O3-x/2的合成及其导电性能的研究

利用固相法在1 350 ℃合成了系列锗酸盐氧基磷灰石La10-xSrx(GeO4)6O3-x/2(x=0、0.25、0.5、0.75、1),利用XRD、SEM及电化学阻抗仪对样品进行了表征.结果表明:适量的Sr掺杂可以提高磷灰石的电导率.550℃时La9.75Sr0.25(GeO4)6O2.875的电导率为2.936×10-3S cm-1,比La10(GeO4)6O3电导率(3.781×10-4 S cm-1)高6倍,与同温度下的YSZ电导率相当.氧分压PO2=1～10-5atm时体系的电导率数值保持不变,证明Sr掺杂的锗酸盐氧基磷灰石在测试的氧分压范围内为O2-导电.     

不同导电剂对LiMn_(0.7)Fe_(0.3)PO_4正极性能的影响

将碳纳米管(CNT)、导电炭黑Super-P(SP)复合作为磷酸锰铁锂(LiMn_(0.7)Fe_(0.3)PO_4)正极材料极片制备过程中的导电剂,与单一采用SP作为导电剂的LiMn_(0.7)Fe_(0.3)PO_4正极片进行对比。采用复合导电剂的材料,极片电阻率明显低于采用SP导电剂的材料,且电化学性能改善明显。     

Mg_xZn_(1-x)O薄膜样品制备及其结构与带隙分析

利用共溅射技术制备了MgxZn1-xO薄膜样品,研究了Mg的掺杂浓度对其晶体结构、光学带隙的影响,退火环境与温度对其晶体结构、表面形貌的影响.通过对XRD图的分析表明,所制MgxZn1-xO薄膜样品为六角纤锌矿结构,且随着x值的增大,样品的晶格常数c逐渐减小;对比真空环境下,氧气中退火温度为500~600℃时更有利于提高样品的结晶质量.对吸收谱的分析表明随着Mg掺杂浓度增大,样品的吸收边向短波方向移动,带隙增大.     

X射线反射强度与温度的关系

由实验测出铝的X射线反射谱线的强度,得到其反射强度随温度变化的曲线,并从理论上对实验结果作了分析,得到了X射线反射强度随温度的增高而减弱,而谱线的锐度却不随温度升高而受到损失的结论.     

La(1-x)NdxNiO3(0≤x≤0.25)的制备及结构研究

采用柠檬酸盐法制备La(1-x)NdxNiO3前驱体样品．利用热分析仪(DTA—TG)对前驱体进行测试，结合X射线衍射(XRD)对不同温度烧结样品结构分析，结果表明，在750℃以上烧结得到了单相的La(1-x)NdxNiO3固溶体材料(0≤x≤0．25)，随着Nd掺杂比例x值的增大，材料的晶格发生变化，a轴收缩，c轴伸长，晶格畸变增大．     

Mg掺杂Ga_(0.6)Fe_(1.4)O_3薄膜的制备及其多铁性能表征

GaFeO_3(GFO)是一种同时具有室温铁电和低温亚铁磁性的单相多铁材料,且其磁性转变温度可以通过调节Fe元素含量提高至室温,具有广阔的应用前景.研究发现,室温下Ga_(0.6)Fe_(1.4)O_3薄膜具有铁电性和弱磁性,但是由于薄膜的漏电流较大,制约了其实际应用.采用溶胶-凝胶法结合旋涂工艺成功制备了Mg掺杂的Ga_(0.6)Fe_(1.4)O_3薄膜,薄膜厚度约为100 nm,并对Ga_(0.6)Mg_xFe_(1.4-x)O_3(GMFO)薄膜的铁电性尤其是漏电性能进行了表征.研究结果表明:Mg离子掺杂的薄膜样品在室温下表现出铁电性,当x=0.05时,薄膜具有相对而言优良的铁电性能,矫顽电场强度(E_c)为25 kV/cm,剩余极化强度(P_r)为4.89μC/cm~2;适量Mg离子的掺杂可以使薄膜的漏电流密度降低2个数量级,x=0.05时,对应薄膜的漏电流最小,漏电流密度在10~(-1)～10~(-5) A/cm~2范围内.随着Mg离子掺杂含量的继续增加,薄膜的漏电流密度逐渐变大.压电力显微技术(PFM)测试结果表明,GMFO薄膜的力电耦合主要来自于薄膜的线性压电信号.GMFO薄膜具有室温弱磁性,当x=0.05时,薄膜具有最大的剩余磁化强度为9.8 emu/cm~3.该实验结果对于提高GFO多铁材料的性能,从而实现纳米器件的应用具有重要的指导意义.     

强关联锰氧化物Sm_(0.5)Ca_(0.5)Mn_(1-x)Ga_xO_3的结构及磁基态研究

采用高温固相法合成Sm_(0.5)Ca_(0.5)Mn_(1-x)Ga_xO_3(x=0、0.025、0.05、0.75、0.10、0.15)单相多晶系列样品.室温XRD分析表明样品无杂峰,属于典型的O型正交结构;红外吸收光谱分析发现Ga的掺杂导致样品的MnO_6八面体结构发生了微小畸变;x=0样品热磁曲线(M-T)分析表明样品在低温下表现出自旋玻璃态,在T=276 K时出现电荷有序峰,在T=240 K出现AFM相变温度峰,当T=140 K时发现冻结温度T_f;磁化曲线(M-H)结果进一步证明2 K下样品自旋玻璃态,且电荷有序反铁磁成分中的关联作用比较弱.     

Ga(1-x)Al_xAs/GaAs量子阱束缚能级的计算

本文对于Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs单量子阱系统,利用电子在势阱作用中的柱对称性,建立了平面类氢原子与直线类氢原子复合量子阱模型。所求施主能级,在极限情况下,与已知的精确解一致,在势阱深度Vo有限,宽度L不为零的条件下,对X=0.1和X=0.4,分别计算了基态束缚能,其结果与实验较为接近。