自由电子气中由单个电子-空穴对激发的非弹微分逆平均自由程的标度性质

自由电子气中由单个电子－空穴对激发的非弹微分逆平均自由程的标度性质滕礼坚侯氢罗正明（原子核科学技术研究所）电子与物质的非弹散射是一种基本相互作用，它使电子损失能量而逐渐慢化．非弹散射过程的微分截面、阻止本领是描述非弹散射过程的基本物理量．非弹微分逆平...     

电子-空穴气屏蔽影响下有限深量子阱中电子与空穴的本征态

考虑电子-空穴气屏蔽的影响,研究了有限深量子阱中电子和空穴的本征能量及其相应的各级本征态.电子-空穴气引起的极化电场由泊松方程给出,而电子和空穴则满足考虑极化电场下的薛定谔方程,因此本文自洽计算了泊松方程与薛定谔方程.数值结果表明,内电场使电子和空穴向相反方向靠近势垒,而电子-空穴气将屏蔽内电场使得电子和空穴向阱中心靠近;势垒、内电场和屏蔽之综合效应将影响电子和空穴的本征能量和本征波函数.本文的方法还可推广到求解任意势中的定态薛定谔方程.     

一维非周期Thue—Morse链中电子的量子扩散

研究了一维紧束缚电子在TM势场中运动的量子扩散行为 ,分析了体系能谱的特征 ,数值计算了本征能量的Thouless指数 ,自关联函数C(t)及均方位移σ(t) .发现体系中电子的本征态在λ较小时 ,存在扩展态 ;随着λ的增加 ,体系中本征态出现局域态 .对体系的长期行为进行分析发现 ,在初始阶段 ,随着λ的变化 ,体系中电子的扩散行为也不同 ,λ较大时 ,体系中的电子局域在一定范围内运动 ,σ(t)～t0 ,C(t)～t0 ;当λ较小时 ,体系中电子的扩散速度各不相同 .一段时间后 ,对应不同λ值 ,体系的扩散速度相差不大 ,σ(t)～tβ ,0 <β<1,C(t)～t-δ,0 <δ <1.     

二维电子气深度对一维电子通道中声电电流的影响

表面声波(SAW)在GaAs／AlxGa1-x As量子阱表面沿一维电子通道方向传播时，可诱导产生声电电流，由于GaAs／AlxGa1-x As材料的压电效应，伴随SAW要产生一个压电运动电势，该压电势与异质结中二维电子气(2DEG)的深度有关，作者采用准经典(WKB)近似，研究了2DEG的深度对一维电子通道中声电电流量子化特性的影响。     

对称量子阱中电子—界面声子相互作用对极化子性质的…

采用Ｈａｇａ方法，对量子阱中极化子的有效质量和自陷能进行了研究。考虑到量子阱中电子波函数的束缚和界面声子的影响，计算了不同支声子与电子相互作用对自陷能的贡献，讨论了极化子的有效质量和自陷能随量子阱宽度的变化关系，进一步说明了量子阱的尺度和界面声子的重要性。