GexSi1—x／Si应变超晶格的质量鉴别

采用分子束外延方法生长了ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ应变超晶格，利用Ｘ射线双晶衍射，小角衍身宽角衍射方法测量了超晶格样品的实验衍射曲线，运用Ｘ射线运动学理论和动力学理论，分析，模拟了样品的实验曲线，得到了精确的定量结构参数数据，并根据实验曲线中衍射峰的位置和分布情况对应变超晶格的生长质量做了评价。     

（ZnSe）n／（ZnS）m应变层超晶格的光吸收系数

用Ｌ－Ｋ有效质量理论研究方向生长的（ＺｎＳｅ）ｎ／ＺｎＳ）ｍ应变层超晶格的电子结构和光吸收系数。结果表明,光吸收系数与阱宽和垒厚有关。     

LP—MOVPE生长InGaAs应变超晶格

本文探讨了ＬＰ－ＭＯＶＰＥ法在ＧａＡｓ和ＩｎＰ衬底上生长２１个周期的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ和２０个周期的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ两种应变超晶格的条件，并用Ｘ射线衍射分析了这两种应变超晶格，分析观察到三级卫星峰和六级卫星峰。     

非晶超晶格多层膜的形成及其光学特性的研究

介绍利用波长为193nm的ArF准分子激光的光化学反应,分解Si₂H₆和C₂H₂原料气体制备a-Si:H/a-Sic:H非晶超晶格多层膜以及讨论这种膜的量子尺寸效应,紫外吸收等光学特性.     

稀磁半导体Zn—xMnxSe／GaAs外延膜光学特性研究

研究了用热壁外延法在GaAs衬底上生长的不同x含量的Zn1-xMnxSe薄膜,通过X射线衍射和喇曼光谱的研究表明,晶体的质量取决于Mn的含量,随着Mn的含量的增高,晶体的质量下降。     

层间有反铁磁交换相互作用的磁性超晶格的推迟模式

我们用等效介质理论计算了层间有反铁磁交换的侧向晶格。当外场垂直于磁性或非磁性层时,在这种超晶格中存在两种磁序：反转自旋（flop)和平行自旋磁序。我们发现,这两种磁序的表面模的频率随外场和层间耦合的变化情况很不同。前一种磁序中,模式的频率对层间耦合非常敏感,我们还发现使表面模存在的两个外场临界值。     

(CdTe—ZuTe)/ZnTe/GaAs(100)超晶格结构的X射线测定

用X射线衍射,并结合X射线动力学衍射理论模型的计算机模拟方法,对(CdTe-ZnTe)/ZnTe/GaAs(100)应变超晶格材料的结构进行了研究,得到了其结构参数和信息.     

具有光学特性偶氮苯插层硅酸盐薄膜的制备

通过离子交换法制备出偶氮苯掺杂硅酸盐聚合物薄膜,样品的结构和光学性能采用X-射线粉末衍射、红外光谱、固体核磁、热重分析和紫外可见光谱进行表征.由紫外可见光谱分析可知,聚合物薄膜的最大吸收峰在484 nm处,相对于偶氮苯分子在473 nm出现的最大吸收峰,发生了明显的红移,说明偶氮苯分子在硅酸盐层间发生了聚集现象,进而影...