国内外电缆导体再利用专利技术分析

电缆导体主要为铜、铝和贵金属等材料,每年有大量的废旧电缆等待处理,本文针对废旧电缆中导体的回收再利用,对相关领域的专利情况和重点申请人进行了梳理,对电缆导体的回收方案进行了深入讨论,对该行业未来的走势进行了预测。     

非闭合导体回路中是否有感应电流

穿过导体回路的磁通量发生变化时,非闭合导体回路中是否有感应电流？很多教科书中说,非闭合导体回路中没有感应电流,本文认为这样的结论有欠妥当,并通过实例阐明自己的观点。     

导体椭球的电荷分布

利用场强叠加原理的方法 ,给出导体椭球上的电荷密度分布表达式     

电缆导体电阻和电阻率误差原因分析

本文通过对电缆导体电阻和电阻率的解释,分析了导体电阻和电阻率测量时产生误差的原因,以及有效减少误差的正确措施,对电缆检验人员和企业技术人员有较强的现实意义和较好的指导意义.     

材料部分涂覆导体目标RCS计算的数值处理及AWE快速估计

从电场积分方程出发,以三角屋顶(RWG)函数为基函数导出了任意均匀各向同性材料部分涂覆导体目标矩量解的表达式,给出了矩阵元素的计算公式,提出了数值计算中应作的特殊处理,得到了材料涂覆导体目标RCS的一般计算公式,并利用渐近波形估计(AWE)技术实现了材料部分涂覆导体目标电磁散射的宽频快速估计,从而提高了计算效率.     

无限长恒流直导体外的电场分布

根据无限长直导体电位分布及其边界条件的特点,建立一电位分布与其完全等效的无限长同轴线的理想模型,把此同轴线中电场的分布拓延到无限空间中,进一步从理论上论证了载有稳恒电流无限长直导体外无径向电场分量的正确性^[5],并指出这一结论满足能量守恒定律及其电磁场理论的边界条件。     

圆柱导体外部电场的可视化模拟

圆柱导体外部电场分布是电磁场理论中的一类重要问题.在柱坐标系下用分离变量法得到电场的分布函数,通过数值计算的方法对电场的分布进行模拟和分析,以期增进学习者对圆柱导体外部电场分布的理解和认识.     

接地矩形导体槽电位分布的计算与分析

运用分离变量法和有限差分法分别对接地矩形导体槽内电位的解析解和数值解进行了分析，并通过MATLAB编程算出场域中一些点的电位值，比较它们的计算结果，其相对误差很小，表明数值解与解析解一样完全能够描述域中的电位分布．因此，在计算与分析过程中，可把两种方法结合起来，既加深对场域中电位分布情况的理解，又能起到相互验证的作用．     

匀强电场中线电荷与圆柱导体周围的电势

利用分离变量法求解,得出匀强电场中圆柱导体周围空间的电势,用镜像法求解得出线电荷与圆柱导体周围的电势,用静电场中电势的叠加原理,得到了匀强电场中线电荷与圆柱导体周围的电势.     

电缆导体电阻和电阻率误差原因分析

本文通过对电缆导体电阻和电阻率的解释,分析了导体电阻和电阻率测量时产生误差的原因,以及有效减少误差的正确措施,对电缆检验人员和企业技术人员有较强的现实意义和较好的指导意义。     

关于提高铸造铝合金导体导电率的研究

高压开关中铸造铝合金导体的材料一般为ZL101A-T6,导电率一般为33%~36%IACS。近些年,随着电力需求的提高,高压电器设备的载流容量要求越来越高。在不改变现有铸造铝合金导体结构的前提下,为了提升导体的载流容量,就必须提高现有导体的导电率。本文从铸造铝合金导体的制造工艺方面研究了提高导电率的方法。     

不带电的二次曲面导体在均匀外电场中的静电分布

详细介绍了不带电的椭球导体在均匀外电场中静电分布推导过程。     

任意形状导体空腔内的电位及场强分析

由静态场的泊松方程求出任意形状导体空腔内的电位和场强分布，说明即使导体空腔表面的电荷分布不均匀，但空腔内部的电位仍然处处相等，整个导体是等位体，场强分布为零，与导体空腔形状无关．这一结论在分析静电屏蔽及TEM波在空芯金属波导管中的传播有一定的意义。     

掺杂离子导体动力学性能研究

研究了掺杂离子导体的动力不学性质,基于三分量导电键的随机－ＡＣ－网络模型,采用位置空间重整化方法解析计算了ＤＩＣ系统的交流电导和介电响应等。首次讨论了粒子尺度大小对系统动力学性质的影响。     

特殊几何形状载流导体的磁场

本文利用迭加原理和无限长载流直导线的磁场公式来计算平板电容器，中空矩形管和空心园筒产生的磁场，这一类特定几何形状的导体，即使边缘和角的效应被考虑进去也可以比较容易地得出确切的结果。     

掺杂离子导体动力学性质研究

研究了掺杂离子导体(DIC)的动力学性质,基于三分量导电键的随机-AC-网络模型,采用位置空间重整化方法解析计算了DIC系统的交流电导和介电响应等.首次讨论了粒子尺度大小对系统动力学性质的影响.     

电磁场理论中的几何化.数论消发散方法（Ⅳ）：双圆杆和双椭圆杆内导体…

该文是ＧＮＥＳ方法在微定向藕合器电容系数计算中的具体应用。讨论了系数矩阵元的高精度计算和线性方程组维数的选择，分析了主要误差来源。文中还考察了电容系数随各个几何参数改变的情况，交作了定性解释，最后给出双椭圆杆内导体的电容系数结果。     

再谈感生电场中导体的电势

本文分析放置在感生电场中导体的电势,指出不闭合导体若与感生电场方向处处垂直时,不能引进电势的概念.而对于放置在感生电场中的闭合导体(不论均匀不均匀)都可在其中引进电势的概念.     

关于导体静电平衡弛豫时间的探讨

本文分析并估算了导体静电平衡的弛豫时间,指出导体静电平衡弛豫时间(ε_0/σ)只适于非良导体,对良导体是不成立的。