55%溴化锂溶液中缓蚀剂对磷脱氧铜缓蚀行为研究

通过失重法和电化学方法研究了55%LiBr溶液中LiOH、Na2MoO4和苯并三氮唑(BTA)对铜腐蚀行为的影响,并计算出Na2MoO4和BTA在铜表面的吸附热力学参数.结果表明,分别单独添加0.10mol/LLiOH、200mg/LNa2MoO4、100mg/LBTA时,都能有效抑制铜的活性溶解,此时铜的腐蚀速率分别为50.5035、50.0000和39.5068μm/a.BTA的缓蚀效果最优.将Na2MoO4和BTA浓度与表面覆盖率的比值对缓蚀剂浓度进行线性回归,表明二者在铜表面吸附都符合Langmuir等温吸附方程,吸附平衡常数、吸附自由能分别为1.38×105、-41.15kJ/mol和4.10×105、-44.93kJ/mol,证实在55%LiBr溶液中BTA在铜表面有更高的亲合力.     

碳钢在高温高浓度溴化锂溶液中腐蚀行为

通过电化学测试技术和化学浸泡方法 ,在高温 5 5 %LiBr溶液中研究了Na2 MoO4 对碳钢的腐蚀行为 .结果表明 ,Na2 MoO4 作为阳极型缓蚀剂抑制了碳钢的阳极活性溶解 ,表面膜主要由Fe3 O4 构成 ,Mo元素参与了成膜过程 .在 5 5 %LiBr+0 .0 7mol/LLiOH溶液中添加 15 0mg/LNa2 MoO4 时 ,可有效地改善碳钢的耐蚀性能 .     

Cu/AC催化剂制备方法对气相甲醇氧化羰基化的影响

以醋酸铜和硝酸铜为铜源,分别采用浸渍法和沉积沉淀法制备了活性炭(AC)负载型无氯Cu/AC催化剂,并考察了制备方法对催化剂微观结构及气相甲醇氧化羰基化反应的影响。结果表明,以硝酸铜为铜源,采用沉积沉淀法制备的Cu/AC-D催化剂中Cu物种以CuO和Cu2O为主,活性低;采用醋酸铜溶液浸渍活性炭制备的Cu/AC-A催化剂中Cu物种以单质Cu0的形式存在,活性大幅提升;以硝酸铜溶液浸渍活性炭制备的Cu/AC-N催化剂中Cu物种以单质Cu0为主,并存在一定量的Cu2O和CuO物种,该方法制备的催化剂中CuO和Cu2O还原温度低,Cu晶粒尺寸小,CO的低温吸附能力强,催化活性高,碳酸二甲酯的选择性和时空收率分别达到83.3%和177.0mg/(g·h),200h内平均失活率仅为0.25%/h。     

不锈钢在高温高浓度溴化锂溶液中电化学行为研究

在60％LiBr 0.07mol/L LiOH溶液中，研究了LiNO3和Na2MoO4对304和430不锈钢电化学行为的影响。结果表明，添加LiNO3对两种钢均具有良好的缓蚀效率，但LiNO3达到1000mg/L时430钢产生点蚀。复合添加150mg/L Na2MoO4后，NO3^-能优先封闭金属表面活性点，并且促进稳定的Mo保护膜形成，对304钢和430钢表现出更佳的缓蚀效果。     

相界面传质微乳液法制备氧化铜超细粉体

以H2C2O4水溶液反萃CCl4-P204-CuSO4组成的有机相中的Cu2 ,利用相界面传质过程产生的动态微乳液过程获取CuC2O4沉淀,经分离、热解得到了CuO超细粉体.探讨了H2C2O4浓度、热分解温度等制备条件对CuO超细粉体结构和粒径的影响.当P204的体积分数φ≥20%时,CuO粉体颗粒变小;反萃沉淀的陈化时间不影响氧化铜粉体粒径.在制备过程中,CuSO4浓度为0.10～0.12 mol/L、反萃温度为15～20 ℃,所制备的氧化铜粉体呈黑褐色、无硬团聚、分散性好、纯度高,属单斜晶系结构,平均粒径小于100 nm.     

铜镀层对IC引线框架表面抗氧化失效的作用

研究了在铜合金表面电镀纯铜层保护膜对铜合金引线框架氧化失效的影响.研究发现,电镀纯铜层后,纯铜层氧化速率较高,氧化膜较厚,然而,由于纯铜层的阻挡作用,可以使氧化只发生在纯铜层上,减少CuO的生成.当铜合金表面的电镀纯铜层厚度超过一个临界值,表面电镀纯铜处理可以明显改善材料的耐氧化剥离性.表面电镀前的铜合金氧化膜结构为CuO/Cu2O/Cu.电镀纯铜层后,氧化膜结构变为Cu2O/Cu,当氧化膜主要由Cu2O构成时,氧化膜结合强度较高.     

铜（Ⅱ）—二甲酚橙络合吸附波

铜(Ⅱ)在0.03mol/L Na_2B_4O_7,1×10~(-5)mol/L 二甲酚橙 pH9.3溶液中,出现良好的示波极谱导数图.峰电位 E_P=-0.32V(vs.SCE),导数峰电流 i′_P 与铜(Ⅱ)浓度 c_(Cu)在0.2～7.0μmol/L 范围内成正比,检测下限为0.1μmol/L.用等摩尔连续变化法测定络合物的络合比为Cu(Ⅱ):二甲酚橙=1:1.用多种电化学测试手段研究该波的性质及反应机理.实验表明该波为络合吸附波.     

间接氧化还原滴定法测定铈锆固溶体的氧缺陷值

用3 mol/L硫酸溶液溶解样品,(NH4)2Fe(SO4)2作为还原剂,K2Cr2O7作为氧化剂,利用间接氧化还原法测定CexZr1-xO2-δ固溶体的氧缺陷值δ,方法的相对标准偏差为1.3%.     

电化学法定性与定量分析水溶液中的微量硼氢根

采用循环伏安法分析了硼氢化钠(Na BH_4)在金(Au)电极上的电化学氧化还原行为,在-0.473 V电位处发现了比较明晰且稳定的BH_4~-特征氧化峰,可作为BH_4~-存在的定性判据。通过线性伏安扫描,对浓度为1.0×10~(-4)~9.0×10~(-3)mol/L的Na BH_4碱性溶液进行了测定,发现Na BH_4特征氧化峰的峰值电流与其浓度呈良好的线性关系,相关系数为0.998 4。利用线性伏安法分别对5.0×10~(-4)mol/L Na BH_4+0.10 mol/L Na OH溶液和5.0×10~(-3)mol/L Na BH_4+0.10 mol/L Na OH溶液平行测定5次,所得结果的平均相对误差分别为3.18%和1.63%,相对标准偏差分别为2.38%和1.88%。     

水热/溶剂热原位合成法制备有机膦酸铜化合物

在水热(溶剂热)条件下,以对苯二甲基二膦酸二乙酯(dixdp)为有机配体,分别以2,2'-联吡啶(bpy)及1,10-菲啰啉(phen)为辅助配体,合成了2个具有零维结构的有机膦酸铜化合物[Cu2(H2O)2(H2L)(bpy)2(H3L)2]·2H2O(1)及[Cu2(H2O)2(H2L)2(phen)2]·6H2O(2);其中dixdp在水热/溶剂热条件下发生原位水解反应生成对苯二甲基二膦酸(H4L)。化合物1属于单斜晶系,P 21/n空间群,该化合物的每个中心离子Cu采用[CuO3N2]四方锥体几何配位,两个相邻金属中心Cu通过H3L-配体相连接形成0D双核铜单元。化合物2属于三斜晶系,P-1空间群,该化合物每个金属中心Cu也采用[CuO3N2]四方锥体几何配位,但不同的是化合物2中的两个相邻Cu原子通过H2L2-配体相连接形成双金属环单元。     

铜阳极膜导电性转型起因探讨

对在不同酸碱度和添加剂的电解液中,铜电极氧化膜呈现与块体铜氧化物不同的ｎ型半导体性质的实验结果进行了综合分析,指出铜阳极膜导电性转型应归因于隙间铜离子在膜中向溶液方向的迁移并形成浓度梯度,使邻近基底的氧化物层转呈ｎ型导电,并在可吸收到足够强度和能量的照射光时呈现阳极光电流响应。     

在NaOH溶液中铜电极钝化的机理

本文研究了铜阳极在纯NaOH溶液中的电化学钝化行为。实验发现,在电极上生成不溶Cu_2O及CuO,使电极发生钝化。论文还详细讨论了生成Cu_2O钝化膜的机理。     

硫酸介质中3,5-二(2-吡啶基)-1,2,4-三唑对铜的缓蚀作用的电化学研究

利用动电位扫描、循环极化、循环伏安等电化学方法研究了3,5-二(2-吡啶基)-1,2,4-三唑(HBPT)在0.5 mol/L H2SO4介质中对铜的缓蚀性能.极化曲线研究表明3,5-二(2-吡啶基)-1,2,4-三唑在0.5 mol/L硫酸溶液中对铜的阳极反应起抑制作用,对铜的阴极反应起促进作用,属于阳极型缓蚀剂.循环伏安研究显示3,5-二(2-吡啶基)-1,2,4-三唑可能在电极表面产生吸附或与一价铜发生作用,从而在0.5 mol/L硫酸溶液中对铜起到缓蚀作用.     

含钼铜精矿氧化焙烧-浸出分离钼研究

四川攀西地区的含钼铜精矿中,由于钼、铜矿物组成复杂,共生关系紧密,提出了氧化焙烧-浸出工艺进一步分离钼。将试样置入焙烧炉中进行氧化焙烧,使硫化物转化为CuO、MoO3、Fe2O3等氧化物后;添加NaOH、H2O与MoO3反应生成可溶性Na2MoO4,浸出渣作为铜精矿产品。研究结果表明:铜、钼等以氧化物形式赋存于焙烧矿中,氧化焙烧矿中的硫含量较低为0.53%,硫以SO2气相形式挥发;在焙烧温度650℃、焙烧时间120 min、氢氧化钠用量为30%、浸出温度60℃、浸出时间120min、浸出液固比2∶1的综合条件下,钼的浸出率为94.24%,铜精矿(浸出渣)中铜的质量分数为24.27%,钼分离效果明显。     

Magnetic-field-induced charge-stripe order in the high-temperature superconductor YBa2Cu3Oy

Electronic charges introduced in copper-oxide (CuO(2)) planes generate high-transition-temperature (T(c)) superconductivity but, under special circumstances, they can also order into filaments called stripes. Whether an underlying tendency towards charge order is present in all copper oxides and whether this has any relationship with superconductivity are, however, two highly controversial issues. To uncover underlying electronic order, magnetic fields strong enough to destabilize superconductivity can be used. Such experiments, including quantum oscillations in YBa(2)Cu(3)O(y) (an extremely clean copper oxide in which charge order has not until now been observed) have suggested that superconductivity competes with spin, rather than charge, order. Here we report nuclear magnetic resonance measurements showing that high magnetic fields actually induce charge order, without spin order, in the CuO(2) planes of YBa(2)Cu(3)O(y). The observed static, unidirectional, modulation of the charge density breaks translational symmetry, thus explaining quantum oscillation results, and we argue that it is most probably the same 4a-periodic modulation as in stripe-ordered copper oxides. That it develops only when superconductivity fades away and near the same 1/8 hole doping as in La(2-x)Ba(x)CuO(4) (ref.?1) suggests that charge order, although visibly pinned by CuO chains in YBa(2)Cu(3)O(y), is an intrinsic propensity of the superconducting planes of high-T(c) copper oxides.     

铜微电极上的腐蚀研究

利用循环伏安法和阶跃电位法研究铜微电极在ＨＣｌ和Ｈ２ＳＯ４溶液中的点腐蚀行为结果表明,Ｃｕ在ＨＣｌ和Ｈ２ＳＯ４溶液中腐蚀机理不同。Ｃｌ＾－对Ｃｕ氧化膜具有破坏作用。Ｃｕ在０．１ｍｏｌ／Ｌ Ｈ２ＳＯ４溶液中的Ｉ－ｔ曲线的初始部分呈性关系,为动力学控制。     

水杨醛缩甘氨酸Schiff碱,2-氨基吡啶或甲醇混配Cu(Ⅱ),Zn(Ⅱ),Ni(Ⅱ)金属配合物的电化学合成及表征

采用金属Cu,Zn,Ni为"牺牲"阳极,在无隔膜电解槽和含配体水杨醛缩甘氨酸Schiff碱、2-氨基吡啶的甲醇溶液中首次电解合成了Cu(Ⅱ),Zn(Ⅱ),Ni(Ⅱ)配合物.利用元素分析、质谱、核磁、红外光谱、紫外光谱、热分析对配体和配合物进行了表征,确定了配合物的化学组成为ML.L.′nH2O[L=C9H7NO3,(M=Cu(Ⅱ),L′=CH3OH,n=0;M=Zn(Ⅱ)、Ni(Ⅱ),L′=2-氨基吡啶n=1)].电合成Zn(Ⅱ)、Ni(Ⅱ)配合物的电化学效率Ef接近0.5 mol.F-1,电极反应为2电子反应,电合成Cu(Ⅱ)配合物的电化学效率Ef接近1.0 mol.F-1,电极反应为1电子反应,Schiff碱配体均以三齿进行配位.Cu(Ⅱ)配合物中Cu(Ⅱ)(L)L′/Cu(I)(L)L′电对的可逆半波电位Er1/2为-1.225 V(vs SCE).     

Cu表面氧化规律及其对铜—陶瓷材料键合强度的影响

在用于电力半导体模块的新型封装材料ＣｕＡｌ２Ｏ３陶瓷直接键合基板中,Ｃｕ与Ａｌ２Ｏ３间形成的键合,是通过ＣｕＡｌＯ化学键,以Ｃｕ２Ｏ为中介形成的,其键合强度主要受ＣｕＣｕ２Ｏ之间的结合力限制．从而可以认为,铜箔表面的氧化层对键合强度起着极为重要的作用．为此,文中对Ｃｕ表面的氧化规律、氧化层厚度与时间和温度间的关系及其对ＤＣＢ板界面键合强度的影响进行了仔细的研究,获得了较理想的结果．