增益钳制半导体光放大器的实验研究

为了提高半导体光放大器（SOA）的3dB饱和输出功率和稳定增益，用外腔反馈的方法在普通半导体光放大器的增益谱边缘引入一个钳制激光振荡，研制了增益钳制半导体光放大器（GC－SOA），对其阈值特性，增益特性及开关特性进行了实验研究，结果表明，通过在SOA的增益谱边缘引入钳制激光，稳定了SOA的增益，使SOA的饱和输出功率提高了4dB.     

硅光探测器紫外量子增益谱

对硅光探测器在紫外光波段的量子增益过程进行了分析,考虑到碰撞粒子的相对运动及终态的态密度分布,计算了增益谱,制作了紫外性能良好的硅光电二极管,测量了紫外谱响应,对实验测量与理论计算进行了比较,结果基本一致。     

介质的增益或损耗作用对多模泛函叠加态光场压缩特性的影响

构造了真空场注入三态叠加多模泛函叠加光场态Iψ0^（IR）（αj〉q。利用多模压缩态理论,对态Iψ0^（IR）（αj〉q）,的广义电场分量的等幂次高次振幅压缩特性进行了详细研究,并仔细分析了介质的增益或吸收损耗作用对该电场分量压缩特性的影响。结果显示：增益介质中上述电场分量的压缩幅度和压缩强度减弱;而在损耗介质中,随着系数｜αj｜的增大,该电场分量的压缩幅度和压缩强度将随之增大,并且介质的吸收越强,光场的压缩幅度和压缩强度越大。     

光泵亚毫米波激光中的增益叠加原理

导出了光泵亚毫米波激光的增益叠加原理．该原理的应用，可以大大简化发生在多能级分子系统中复杂的激光过程的计算．     

对均匀加宽介质增益饱和现象的分析

本文就均匀加宽介质中强信号对自身的饱和效应,以及某一强信号对其他弱信号的饱和效应——交叉饱和效应的讨论,给出了两组含义不同的增益曲线.以期使均匀加宽介质中增益饱和特性这一重要概念得到较全面,准确的论述.     

半导体光放大器静态增益饱和特性的理论研究

通过数值模拟对半导体光放大器（SOA）的静态增益饱和特性进行了理论研究。分别在考虑和不考虑放大的自发辐射（ASE）的情况下，给出了连续光（CW）单光束入射时SOA的增益随入射光功率、注入电流和波长的变化以及有源区内载流子浓度的分布，并且在不考虑ASE的前提下，讨论了连续光双光束入射的情况，比较了两束光同向和相向入射时SOA增益和有源区内载流子浓度分布的差别。     

基于延时相干控制的光增益调制

针对传统的弱场光增益相干控制方案中控制参数单一且难以实现精确控制的现状,提出了一种在简并二能级原子体系中利用延时实现弱光增益控制的新方案。方案以一强一弱两个偏振方向相互垂直的序列脉冲作用于简并二能级原子体系中,先由强场预置相干态,然后用有延时的弱场探测该相干体系。通过理论研究弱场的传播特性与延时间的关系,发现利用延时控制可以实现对弱场共振作用的开关控制,并精确调制弱场的增益。     

光超导波中光子对形成和介质特性研究

利用基本的物质与光场相互作用模型，研究了强光场与晶格振动的非线性相互作用导致光子对形成的问题，基于变分法求出了超导波态的基态能量表达式，得到了光子对形成条件，并分析了超光介质的特性。     

激光器中增益随场的变化规律

目的研究激光器中增益随电场的变化规律。方法对多普勒加宽情况下的增益系数进行化简;利用增益系数推导激光系统的动力学方程。结果得出激光系统中增益随电场变化的动力学方程,给出增益随场的变化曲线。结论增益不但随频率变化,而且随电场变化;其随场变化曲线类似于平抛运动曲线。     

二能级原子与光场相互作用模型的流方程解法

利用Wegner流方程方法在平均场近似下研究了二能级原子与光场相互作用系统的本征值与本征函数。由于在幺正变换下产生了新的高阶相互作用项,利用平均场近似手段得到了系统参数随流参数变化的流方程。当具有哈密顿量H(l)的流参数l→∞时,系统中的耦合项参数趋于0,非耦合项参数趋于稳定值。最后,利用流方程方法求出了原子自旋的关联函数。     

超Ⅱ代像增强器光电阴极成分控制原理研究

研究用光电阴极反射率预测和确定多碱阴极的厚度与成分，并用反射率和光谱响应对其进行控制。如果用５２０ｎｍ单色光源来测量反射率和光谱响应，则“超Ⅱ代像增强器”的光电阴极的厚度应约在１２０ｎｍ，即峰值ＢＭ３出现后Ｊ／Ｓｍａｘ约为６０％时。根据（Ｒｍｌ，Ｒｍ）和（Ｒｍ，Ｒｍ２）确定ｎ、ｋ值及光电流在光谱响应峰值前的稳定上升和峰值后的近似线性下降规律，可通过调节锑、钾、钠源蒸发速率控制阴极成分。     

胶体溶液介电特性研究

采用修正的Schurr模型描述胶体溶液中的离子输运过程，计算分析了胶体溶液介电常数和电导率的低频和高频特性。研究结果表明，胶体溶液的介电常数在低频率下的超高增益现象，只有在颗粒相（含表面层）电导率远小于基质溶液（电解质溶液）电导率的情况下才会出现；理论计算结果与实验资料吻合较好。     

一种基于介质环谐振器的微波湿度检测模型

介绍了一种介质环谐振器的湿度检测模型.理论分析和仿真结果表明：TE011模并不总是湿度检测的最佳模式,在40%的湿度检测范围内采用TM011模会得到比较高的测量准确值;而在湿度大于100%的范围内,则宜使用覆盖范围广的HE211模测试.     

两纠缠原子与相干态光场相互作用过程中光场的动力学特性

文章采用数值计算方法研究了两全同二能级纠缠原子与相干光场相互作用过程中光场的动力学特性;结果表明,光场压缩与两原子纠缠度之间存在着很强的关联,在光场不太强,某一特定时刻,对于任一纠缠态下,光场可以完全被压缩。     

Zr取代对(PbCa)(MgNb)O3微波介电性能的影响

研究了B位Zr4+取代对(Pb0.4Ca0.6) (Mg1/3Nb2/3)O3体系结构及介电性能的影响.研究表明在B位进行Zr取代后,对体系的烧结性能、微波介电性能都有比较明显的影响.随着Zr取代量的增加,体系的体密度,相对介电常数都有了大幅度的提高;Qf0值和τf值也都随着取代量的增加而上升,最后达到饱和.当烧结温度为1260℃(2.5h)时,组成为(Pb0.4Ca0.6){(Mg1/3Nb2/3)0.97Zr0.03}O3的陶瓷样品微波性能为εr=63.2,Qf0=6972GHz,τf=19.8×10-6/℃.     

基于啁啾光纤光栅的增益平坦滤波器

采用啁啾相位掩膜板和程控扫描曝光技术, 在经过载氢增敏化处理的普通单模光纤上制作出可以用于掺铒光纤放大器增益谱平坦化的啁啾光纤光栅增益平坦器（GFF）, 经该器件平坦后的EDFA增益谱在30 nm带宽范围内, 不平坦度<±0.3 dB.     

介质阻挡放电击穿过程的研究

用磁流体力学方法分析介质阻挡放电的击穿过程，在仔细分析介质阻挡放电中微放电的性质和介质对放电的影响的基础上，建立了一个理论模型来模拟各种参量对放电的影响，并导出了一组方程以描述微放电中等离子体的电子浓度，电场强度，电流密度等微观参量的演化过程。导出了电子浓度，电场强度，电流密度与工作气体的性质及器件结构的关系，并与已有的实验结果进行了比较。     

压缩真空场与V-型三能级原子作用过程中光场的压缩效应

研究了V-型量子拍频三能级原子与单模压缩真空场作用过程中系统的动力学行为,运用数值方法讨论了系统参数对系统光场压缩特性的影响。研究表明:单模压缩真空场的初始压缩因子和V-型三能级原子的相对失谐量的大小对系统光场的压缩特性有很大的影响,通过选择合适的系统参数,光场可以被完全压缩。