多层结构的X射线双晶衍射研究

用Ｘ射线双晶衍射术研究了玻璃薄层－铂膜－α－Ａｌ＿２Ｏ＿３多层结构。发现不同材料的玻璃层，使多层结构因热失配对铂膜产生不同的应力。对铂薄膜电阻器件的测量结果表明：应力引起器件的电阻值变化；不同的应力状态，产生不同方向的附加电阻。选择适当材料的玻璃层，使热失配在铂膜内产生相反的应力，从而造成相反的附加电阻。以这种应力补偿方法提高了薄膜铂电阻的可靠性。     

线电爆炸法制备的纳米Al粉的X射线衍射线形分析

用线电爆炸技术制备了纳米铝粉，用X射线衍射和差热分析方法对纳米微晶结构进行了表征，结果表明，线电爆炸引起了纳米微晶中的位错密度和亚稳态应变能增加。     

射线衍射法测Zn电镀层中的残余应力

介绍了用X射线衍射法测定残余应力的基本原理与实验步骤,并用X-射线法测量了电镀在低碳钢上Zn镀层中的残余应力,实验结果表明镀层中的残余应力为拉应力.同时对残余应力的来源进行了讨论与分析,对X射线法测量Zn镀层中的残余应力所出现的问题进行了说明.     

LaAlO3单晶片立方度的非对称X射线衍射测定

该文分析了ＬａＡｌＯ３单晶片由于准立方晶系｛ｈｋｌ｝ｃＸ射线衍射峰的劈裂情况，发现｛ｈｏｌ｝ｃ峰的劈裂情况较简单，用非对称Ｘ射线衍射技术测量了（ｏｏｌ）ｃ切向晶片｛ｈｏｌ｝ｃ峰的劈裂角距离，建立了该角距离与ＬａＡｌＯ３三方晶系晶胞参数α的关系，实现了ＬａＡｌＯ３单晶片立方度的无损测量。为研究生长、热处理过程中高温超导ＢＣＯ膜与衬底缺陷的相互关系打下基础。     

磁性／非磁性多层膜的反射透射性质

本文用变换矩阵方法了磁性层和非磁性层交替排列的有限层超晶格,垂直入射电磁波的反射射性质。     

Cu／Ni多层膜的电阻与位错

采和电桥及Ｘ射线衍射线形分析法研究磁控溅射Ｃｕ／Ｎｉ多层膜及Ｎｉ单层厚度均为５ｎｍ）的室温电阻率平均位错密度随对层层数的变化规律。     

聚乙烯电缆皮形变结构的X射线衍射分析

对聚乙烯电缆皮室温单轴拉伸测试。当拉伸速度达到一定数值时,其应力－应变曲线出“类屈服”现象。     

InxGa1-xAs/GaAs超晶格的X射线衍射研究

超晶格材料是用现代薄膜生长技术制成的一种新型材料。自从1970年美国首次在GaAs半导体上制成了超晶格结构后^[1],又研制出GaAs和各种Ⅲ-Ⅴ族化合物超晶格材料,而后Ⅳ-Ⅳ族、Ⅱ-Ⅵ族,以及非晶态半导体超晶格等也相继出现,有一些已经获得实用,制成了重要的微电子和光电子器件。     

含Mo—O的无机／有机杂化晶体的水热合成与表征

用水热方法合成了Mo-O/EN的无机/有机杂化晶体,并用X-射线衍射对其结构进行了表征.该晶体属于单斜晶系,P2(1)/n空间群,a＝8.086(2),b＝14.467(1),c＝8.920(1),β＝98.152(14)°,V＝1032.9(2)3,z＝8.     

图纹结构Co／Pt多层膜的制备及研究

先采用自组装技术制备大面积有序聚苯乙烯微球模板,在此基础上,制备Co／Pt多层膜纳米碗和纳米点列阵样品．利用扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）和透射电子显微镜（TEM）对制备样品的表面形貌进行了分析．结果表明：溅射方法和刻蚀处理对纳米碗和纳米点的形貌存在影响,磁滞回线的结果表明倾斜溅射条件下制备的纳米点阵具有明显的方向取向性．     

AEuI3及AEu2I5（A=K,Rb,Cs）的X射线粉末衍射数据及晶体结构

本文报道了新化合物ＡＥｕＩ３及ＡＥｕ２Ｉ５（Ａ＝Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ）的Ｘ射线粉末衍射数据，指标化及强度计算结果与晶体结构，并对结构作了讨论。     

金属/电介质多层膜的光学特性

在Ｄｒｕｄｅ模型的基础上,计入金属薄膜表面对传导电子弛豫时间的影响,计算了金属的介电函数和光学常数,并利用结构特性矩阵方法计算了金属／电介质多层膜的反射率和吸收率,讨论了金属层厚度、层数对反射率和吸收率的影响     

（112）面CdTe／Cd1—yZnyTe,Hg1—xCdxTe／CdTe和CdTe／GaAs异质结的方向倾斜

用 X射线双晶衍射 ( XDCD)法测得分子束外延 ( MBE)法生长的 Cd Te/ Cd0 .959Zn0 .0 4 1 Te( 112 ) B异质结的倾斜角为 0 .2 185°,而且朝 [1- 1- 1]晶体学方向倾斜 .为了获得较精确的倾斜角值 ,绘制了外延层和衬底衍射角的差值Δθ与绕样品表面法线旋转的角度 之间的准正弦函数 .为高分辨率透射电子显微镜 ( HRTEM)分析制备了 MBE法生长的 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te/ Ga As( 1- 12 ) B多层异质结的横截面薄膜 .Cd Te/ Ga As异质结的 HRTEM明场象表明 Cd Te( 1- 12 )缓冲层相对于 Ga As( 1- 12 )衬底朝 [1- 11- ]方向倾斜约 3°,并且在 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te异质结 ,Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te( 1- 12 )外延膜相对于 Cd Te( 1- 12 )缓冲层在 [11- 1]方向 ,即 [1- 11- ]的反方向倾斜约 1°.也分析了 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te/ Ga As多层膜之间的倾斜角关系 .     

In1-xAlxAs/GaAs一维超点阵结构的X射线衍射和Raman散射研究

用同步辐射和CuKα X射线衍射方法对In_1-xAl_xAs/GaAs一维超点阵结构进行对比式研究.从低角衍射数据求得超点阵的周期Λ,由GaAs(002)附近衍射数据求得各结构参数.对两种光源的衍射结果进行了分析和比较.解释了该超点阵的Raman散射谱,发现在Ga_1-xAl_xAs混晶谱中不存在的275cm^-1峰.