SnO2纳米晶的溶胶—凝胶法制备及气敏性质

采用溶胶－凝胶法制备出ＳｎＯ２纳米晶材料,经Ｘ光衍射和透射电镜研究表明,该材料具有金红石结构,晶粒为球形,粒径约４ｎｍ。气敏特性研究表明,该材料具有很好的乙醇敏感特性。     

纳米SnO2气敏性质研究

利用液相化学法制备Pd掺杂的纳米SnO2气敏材料，研究了材料对三种还原性气体的灵敏度和选择性，并对敏感机制进行了讨论。     

SnO2气敏材料研究进展

本文主要介绍了SnO2基传感器的气敏性能，改进措施，制备方法等，阐述了纳米SnO2为基的气敏传感器的前景。     

花状ZnO纳米晶的合成及其气敏性能研究

采用回流法合成了花状ZnO纳米晶。利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和傅立叶变换红外光谱(FT-IR)对所制得样品的结构和形貌进行了表征。结果表明:产物为自组装构成的尺寸均一的花状ZnO纳米晶,花状ZnO直径约为2μm,其晶相结构为纤锌矿ZnO。对NO、NH3、H2、CO四种气体在浓度为97 ppm下进行了选择性测试,结果显示:花状ZnO纳米晶结构的样品对NO气体表现出较高的灵敏度和较好的选择性。     

添加剂对SnO2气敏特性的影响

本文考查了不同添加剂对二氧化锡气敏特性的影响,研究了工作温度与元件电阻之间的关系,并对二氧化锡气敏半导体的检测机理作了一些探讨。     

纳米SnO2材料气敏机理及其制备研究

分析了氧化锡(SnO2)材料的气敏机理；纳米SnO2材料由于具有更大的表面积和晶界密度而具有更好的气敏特性；通过适当掺杂的纳米氧化锡材料在室温下就可以具有较高的灵敏度和气体选择性，并介绍讨论了几种氧化锡纳米材料的制备方法．     

NOx对掺杂贵金属的SnO2气敏元件特性的影响

本文报道了掺杂Ｐｄ和Ｐｔ等贵金属的ＳｎＯ２气敏元件置于ＮＯｘ气氛中，灵敏度发生明显下降的现象，分析认为，其主要原因是元件中的贵金属受到ＮＯｘ污染，ＸＰＳ分析表明，污染后Ｐｄ ３ｄｓ／２已确有化学位移。     

添加剂对SnO2气敏材料敏感特性的影响

采用浸渍法和化学共沉淀法制备了十五种金属或金属氧化物掺杂的SnO_2气敏材料.用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)和X光电子能谱研究了材料的陶瓷微结构和化学组成,用静态配气法测试了材料的气敏性能.结果表明:Ag,CuO和ZnO作为廉价的敏感添加剂,可用于制造可燃气体传感器;ZnO和Re_2O_3的掺杂可显著改善SnO_2对酒精的选择性;Sb_2O_3的掺杂能明显降低SnO_2的电阻;添加剂Ag和CeO_2与SnO_2之间存在一定的电子相互作用,对Sn3d的键合能(BE)有一定影响.     

纳米晶LaFeO3的合成及湿敏特性的研究

以Ｌａ２Ｏ３,Ｆｅ（ＮＯ３）３．９Ｈ２Ｏ为原料,采用柠檬酸盐法合成ＬａＦｅＯ３纳米晶,用ＩＲ,ＤＴＡ,ＴＧＡ对原粉形成纳米晶过程进行分析,用ＸＲＤ,ＴＥＭ对纳米晶进行表征,并对其湿敏特性进行研究。结果表明,改进灼烧方法后,可以在更低的温度下使原粉形成纳米晶,粒径可达１４ｎｍ。用此纳米材料制成的湿敏元件有较高的灵敏度和较好的稳定性。     

SnO2及掺杂CuO的SnO2纳米粉末的制备与表征

本文用溶胶－凝胶法制备了纯SnO2和CuO掺杂的纳米粉末,并利用TG－DAT、XRD等测试手段对样品进行分析,结果表明,以无机盐为初始原料,用溶胶－凝胶法可得纳米级Sno2粉末;且CuO掺杂使颗粒度减小,有利于其作为气敏元件。     

稀土元素修饰双层薄膜的气敏特性

采用ＰＥＣＶＤ方法制备Ｆｅ２Ｏ３／ＳｎＯ２双层气敏薄膜。利用浸渍方法对稀土元素与铝配制的乳浊液进行表面修饰。测试结果表明，修饰后的双层薄地乙醇或丙酮具有较高的灵敏度与选择性。     

纳米多孔InP对氨气的气敏特性研究

InP是继Si和GaAs之后的新一代电子功能材料,利用多孔半导体制成微型化和集成度较高的气敏传感器也一直是研究的热点,但对多孔InP的气敏特性研究甚少.本文拟通过电化学刻蚀方法制备纳米多孔InP,并观察其对氨气的伏安特性响应,从而分析该材料的气敏特性.     

纳米ZrO2粉体的制备及发光性质研究

利用共沉淀法制备了纳米ZrO2粉体,观测到样品晶相随煅烧温度升高逐渐由四方相转化为单斜相.在室温观察到纳米ZrO2有较强的峰值分别位于380 nm和470 nm的蓝紫、近紫外发射.同时观测到随着煅烧温度的升高和颗粒尺寸的增大,两个发射谱带的强度变化明显不同.     

氧化铁纳米晶的水热合成及表征

以硝酸铁为铁源,氢氧化钠溶液为沉淀剂,通过水热法合成了氧化铁纳米晶.利用X射线粉末衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对Fe2O3纳米晶的结构及形貌进行了表征分析.结果表明,p H=7时,在180℃下反应24 h更有利于颗粒粒径的细化,并使其粒径分布均匀,所得样品为六方晶系的Fe2O3.     

CuO掺杂纳米SnO2样品的低温电阻特性

采用液相化学法制备了CuO～SnO2纳米粉末，研究了样品在低温下(15-290K)的电阻持性．讨论了掺杂方式对样品电阻变化规律的影响．并给出简单的理论解释.     

SnO_2及掺杂CuO的SnO_2纳米粉末的制备与表征

本文用溶胶 -凝胶法制备了纯SnO2 和CuO掺杂的纳米粉末 ,并利用TG -DAT、XRD等测试手段对样品进行分析 .结果表明 ,以无机盐为初始原料 ,用溶胶 -凝胶法可得纳米级SnO2 粉末 ;且CuO掺杂使颗粒度减小 ,有利于其作为气敏元件     

退火对CdS薄膜和CdS纳米晶的电学与光学性质的影响

通过喷雾热触获得CdS薄膜，水热法合成CdS纳米晶，在氮气中做了退火处理，发现CdS膜的吸收边随退火温度升高而移动；经暗电阻与温度关系测试，发现CdS薄膜和纳米晶的激活能存在极小值，用载流子衰减时间的变化很好地解释了其缘由；室温喇曼谱中观察到CdS的两个特征峰。