超高密度信息存储材料及技术研究进展

信息技术的飞速发展,要求不断开发出具有更高信息存储密度及更快响应速度的材料和器件,因而在纳米尺寸上实现信息存储功能的新型超高密度信息存储材料已成为当前信息领域一个发展速度快、学科交叉多、竞争十分激烈的研究热点.简要介绍了近年来该领域主要的研究方法,并着重对利用扫描隧道显微镜/原子力显微镜(STM/AFM)写入信息的存储材料的最新研究进展进行了综述.     

提高光盘信息存储的关键技术

本文从光盘的存储密度、数据传输率和超高密度存储三个方面讨论了提高光盘信息存储的关键技术。     

我国科学家在纳米信息存储材料领域获突破进展

近日,中国科学院物理研究所和化学研究所的科研人员在Rotaxane类分子的结构与电导转变及其在超高密度信息存储中的应用研究方面再获突破.在此前工作的基础上成功地在H2Rotaxane分子薄膜中实现了可逆的电导变化和可擦除、稳定、重复的近于单分子尺度的纳米级存储,近期出版的《美     

信息存储材料:电子器件从"吉时代"到"太时代"跨越

随着信息技术的飞速发展,人类要处理的信息量与日俱增,要求不断开发具有更高信息存储密度及更快响应速度的材料和器件。如何提高读写速度、实现纳米尺度信息存储是目前迫切要解决的问题。超高密度信息存储是指信息存储密度大于1012比特／平方厘米（1太比特／平方厘米）,实现从电子器件从“吉时代”到“太时代”的跨越。与目前市售电子器件的存储密度相比,其信息存储能力堪称惊人。超高密度信息存储材料和器件作为纳米电子学的重要内容之一,将为未来信息技术的发展奠定理论和技术基础。     

自旋转换配位聚合物—新型分子存储材料探索

论述了d^n(4≤n≤7）过渡金属配合物的自旋转换现象的原理和表征方法以及可能作为分子基信息存储（记忆）材料的自旋转换配合物的条件,介绍了国内外研究状况及展望。     

超高密度探针存储技术的研究进展

扫描探针显微镜(SPM)超高密度信息存储技术是近年来信息技术领域的新热点，并极有可能成为未来存储领域的主导技术．主要根据探针与样品表面的作用方式，分析了探针存储的机械学、电学、磁学、光学和化学作用原理，总结了用SPM实现信息存储的机械、电学、化学、磁学、近场光学、原子操纵等存储机理，提出实现超高密度信息存储必须从最基本的存储机理入手，并从存储方法和存储介质两方面寻找实现超高密度信息存储的突破口．     

跨世纪的信息存储

一、信息存储市场将成为下世纪信息领域的主要市场　　众所周知，冷战结束后，发达国家对世界争夺的重心已经转移到信息领域。由于信息高速公路具有军民兼容、深度军备和国家利益等特征和倍增国力的功能，当前发达国家及一些发展中国家都先后制定了本国“信息高速公路”计划，不仅全面规划本国国家利益在信息领域的发展方向，还特别具体规定了本世纪末和２１世纪初所要达到的目标。根据预测，全球的信息量今后几年会以更快的速度增长（见图１）。当前信息的发展以多媒体化和数字化为主要特征。由于信息的多媒体化，人们需要处理的不仅是数据…     

低介电聚酰亚胺的制备及研究进展

 介绍了近年来国内外低介电常数聚酰亚胺（PI）及其复合材料的制备方法,重点讨论了介孔氧化硅、二氧化硅管和多面体低聚倍半硅氧烷（POSS）在降低PI 介电常数方面的应用,并对低介电常数聚酰亚胺材料的发展前景进行了展望,指出将多孔材料添加到PI 中,形成具有骨架结构的孔洞,所制备出的复合材料,具有较低介电常数的同时也有较好的力学性能,为低介电PI 材料的制备提供了一条新思路。     

光子学及光信息存储研究进展

扼要介绍了光子学与光子技术的发展,光信息存储原理及不同类型光信息存储的物理机制,同年对近年来含偶氮类聚合物及聚合物液晶材料的光信息存储研究进行了叙述。     

乙炔基封端型热固性聚酰亚胺研究进展

综述了含乙炔基封端型热固性聚酰亚胺的类型、研究进展,并对其发展趋势作了展望。     

Memory devices based on organic electric bistable materials

Organic/metallic composites have demonstrated electrical bistability,as well as memory effects. These advanced materials have shown potential applications in digital information storage because of their good stability,flexibility and fast response speed. The electric bistability phenomenon can be explained by electric field-induced electron transfer/storage. This article reviews the recent progress of memory devices based on organic/metallic and polymeric composites with electric bistability.     

周期混合材料等效电参数无频散特性研究

频散性质是混合材料电学参数的重要特征,一直以来都受到众多学者关注,而关于周期混合材料无频散性质却较少被研究. 本文基于描述周期混合材料等效电参数的经验公式,推导得到周期混合材料等效电参数无频散时各组分应满足的条件,并采用有限元方法提取周期混合材料的等效介电常数和电导率. 经对比, 我们发现数值仿真结果与推导结果高度吻合,这表明本文提出的周期混合材料无频散理论是有效的. 在等效电参数满足无频散条件的前提下,我们分析了混合材料等效电参数随各组分体积比和电参数比的变化规律,以及内含物形状和空间分布对混合材料等效电参数无频散特征的影响. 本文基于晶胞结构提出了微观尺度上的周期混合材料无频散理论,可为无频散元器件的设计、各频段下等效电参数测量设备的样本制备以及测量结果校准提供理论依据.     

基于非易失性存储器的存储系统技术研究进展

 非易失性存储器（NVM）主要包括两类,即适用于外存的、块寻址的闪存和适用于内存的、字节寻址的持久性内存。相比于传统磁盘,闪存具有性能高、能耗低和体积小等优势;相比于DRAM（动态随机存储器）,持久性内存如PCM（相变存储器）、RRAM（阻变存储器）等,具有非易失、存储密度高以及同等面积/内存插槽下能给多核环境的CPU 提供更多的数据等优点,这些都为存储系统的高效构建带来了巨大的机遇。然而,传统存储系统的构建方式不适用于非易失性存储器,阻碍了其优势的发挥。为此,分析了基于非易失性存储器构建存储系统的挑战,从闪存、持久性内存两个层次分别综述了它们在存储体系结构、系统软件以及分布式协议方面的变革,总结了基于非易失性存储器构建存储系统的主要研究方向。     

聚苯撑乙烯有机半导体光电过程研究综述

聚苯撑乙烯有机半导体光电过程是当今显示器件领域的研究热点，越来越多的研究人员致力于开发高性能的发光材料和研制高效率的器件结构，本就聚苯撑乙烯有机半导体光电过程的研究现状作了详细阐述。     

共聚型聚酰亚胺模压成型工艺的研究

通过对共聚型聚酰亚胺制件的机械性能进行测定,讨论分析了模压温度、模压压力、压制时间及开模温度等工艺条件对聚酰亚胺模压件机械性能的影响,确定了较为优化的聚酰亚胺模塑粉模压成型工艺条件.     

基于非对称双稳系统的随机共振及应用

本文研究了高斯色噪声驱动下非对称双稳随机共振(Asymmetric Bistable Stochastic Resonance, ABSR)系统的信噪比以及平均首次通过时间的问题.我们运用统一色噪近似和两态模型理论,推导出平均首次通过时间和信噪比的公式;讨论了各参数对信噪比和平均首次通过时间的影响,并对参数进行了优化.研究发现,随机共振是噪声强度和势阱非对称性的非单调函数,在两个不同方向上,同一参数对平均首次通过时间的影响不同.通过仿真与实验证明了ABSR系统在轴承故障诊断中具有明显优势.     

聚酰亚胺/聚乙烯醇湿敏材料性能对比分析

湿度是仓储、民爆等领域一个重要的环境参量,湿敏材料感湿特性直接决定了传感器本身的性能优劣。选择光纤湿度传感器最常用的两种湿敏材料聚酰亚胺和聚乙烯醇作为研究对象,通过在光纤布拉格光栅表面涂覆两种不同的湿敏材料,分别对传感器的灵敏度、响应时间、长期稳定性进行测试。实验结果显示:涂覆聚酰亚胺的湿度传感器线性度可达99.98%,灵敏度为5.4 pm/%,响应时间为9.7 min,最大波长偏移量为5.6 pm;涂覆聚乙烯醇的湿度传感器在相对湿度60%~90%的高湿范围内具有更高的灵敏度,因此更适于高湿环境下的湿度测量。     

基于差异演化概率神经网络的电气构件分类研究

不变矩特征具有较好的几何图形物理含义,提出了一种对安装工程电气构件利用神经网络分类识别的方法。通过对安装工程图分割不同的电气构件,计算电气构件的不变矩特征,对特征进行矢量归一处理,引入差异演化算法优化平滑因子,改进概率神经网络作为分类器对电气构件进行分类。实验结果证明方法的有效性和准确性,对于安装工程量计算自动化具有一定的实用性和参考价值。     

基于灰度模型的电能量异常数据修复研究

提出了一种基于灰度模型的电能量异常数据修复方法,以经过识别的正常历史电能量数据作为输入变量,以异常点所处的时间节点电能量数据作为输出变量,经过一次累加,级比检验,求解预测方程得到预测值,动态地对电能量数据进行迭代预测,最终对预测值进行精度检验,预测的平均相对残差为2.182%,根据结果对原始数据进行修改,从而达到修复电能量异常数据的目的.以某区域实际电能量数据进行模型预测修复,并对结果以及误差进行分析,验证了该方法的可行性.