一种新型双材料双栅的MOSFET器件的性能研究

为了给新型场效应晶体管的工艺制造和设计提供新的设计思路和依据,文章以金属-氧化物-半导体场效晶体管(MOSFET)为研究对象,提出了一种新型双材料双栅MOSFET器件的设计方案.该器件采用具有宽禁带、高饱和电子速度、高热导性、高温工作等性能优势而在微电子领域和光电子领域广泛应用的新型半导体材料GaN.同时,通过仿真模拟...     

中反型MOSFET边缘饱和电压公式的修正

提出了处于中反型的MOSFET修正边缘饱和电压公式.在分析了MOSFET精确电容模型之后,根据MOSFET饱和时其栅电容两端的电势差和电荷分布,推导了精确的边缘饱和电压关系式.对比了MOSFET边缘饱和电压的仿真值及修正后的精确边缘饱和电压的计算值,利用台积电TSMC18RF工艺参数,验证了精确边缘饱和电压公式计算值的准确性.分析了传统边缘饱和电压公式应用的局限.     

基于先进迁移率模型的4H-SiC MOSFET Spice模型研究

提出了一种基于先进迁移率模型的4H-SiC MOSFET的Spice模型,该模型是基于MOSFET的Spice一级(Level-1)模型方程,将方程中的常数迁移率用更能准确反映4H-SiC/SiO2界面特性的迁移率模型来代替.产品数据手册验证了该模型静态特性的准确性,DC/DC Boost变换器实验也验证了该模型动态特性的准确性.利用该模型讨论了4H-SiC/SiO2的界面态密度和表面粗糙度对4H-SiC MOSFET开关特性的影响.结果表明,随着界面态密度的增加,4H-SiC MOSFET的开通延迟时间随之增加,而关断提前的时间也增加,同时器件的开关损耗也增加,但是表面粗糙度对开关特性的影响非常小.所取得的结果对4H-SiC MOSFET的应用和器件工艺都有一定的指导作用.     

一类稳态半导体方程的弱解

考虑稳态半导体方程的混合边值问题,在迁移率满足速度饱和的条件下,证明了弱解的存在性。     

饱和与非饱和氦膜的临界迁移率

木文描述了饱和与非饱和氦膜的临界迁移率,以德银作为衬底的实验结果与以玻璃为衬底具有一致的结果,用饱和氦膜测定的体积迁移率与文献[2]中所发表的相符合。     

一种新的双栅MOSFET物理模型

本文以单栅MOSFET的物理模型为基础,导出了双栅MOSFET的物理模型,该模型中,不仅考虑了漏压对沟道长度的调制效应,而且也考虑了栅压对沟道中载流子迁移率的影响,由该模型导出的双栅MOSFET的V—I特性与实验结果做了比较,二者符合得很好,并对器件的V—I特性从物理机制上进行了详细讨论。     

一类非平衡半导体方程的整体弱解

考虑一类半导体方程的混合初边值问题，在迁移率既不为常数，又不满足速度饱和及初值u0i属于L^2（Ω）的条件下，证明了整体弱解的存在性。     

一类半导体方程组整体弱解的存在性

考虑一类半导体方程组的混合初边值问题。利用正则化算子和逼近过程，通过一系列先验估计，在迁移率既不为常数，又不满足速度饱和的条件下，证明了其整体弱解的存在性．     

GaN组合开关电路及其驱动技术研究

基于氮化镓的高电子迁移率场效应晶体管(GaN HEMT)具有电子迁移率高、耐高温和极低的寄生电容等诸多特点而成为开关变换器领域关注的焦点。限于目前的制造工艺,基于氮化镓材料的MOS开关器件更容易做成耗尽型,针对耗尽型GaN HEMT器件的负电压关断特性,结合其应用于开关变换器的上电短路问题,提出一种GaN HEMT器件与增强型MOSFET的组合开关电路,可实现对耗尽型GaN HEMT器件的开、关控制及可靠关断,但其关断速度不够快。为此,提出一种快速关断GaN HEMT器件的驱动电路,并得到了进一步提高GaN HEMT器件开关速度的改进电路,可实现对耗尽型GaN HEMT器件快速可靠关断。实例及实验结果验证了所提出电路的可行性。     

AlN缓冲层条件下普通玻璃上InN的制备方法

InN材料具有最小的有效质量和最高的载流子迁移率、饱和漂移速率，低场迁移率，是重要的半导体材料。该研究论文以价格低廉的普通玻璃作为InN薄膜的基片，很大程度的降低了其成本价格。本实验以普通康宁玻璃为衬底基片，在AlN/普通康宁玻璃基片结构上，改变不同沉积温度制备,InN薄膜，得到InN/AlN/普通康宁玻璃结构的高功率高频率器件的初期薄膜结构。该研究论文制备的光电薄膜器件均匀性好，薄膜衬底成本廉价，可用于大面积制造大功率，高频率器件，降低其成本价格。     

利用背面Ar+轰击改善n沟MOSFET线性区的特性

研究了利用背面Ar^ 轰击改善n沟金属－氧化物－半导体场效应晶体管（n-MOSFET)线性区的特性，用低能量（550eV)的Ar^ 轰击n-MOSFET芯片的北面，能有效地改善其线性区的直流特性，如跨导，沟道电导，阈值电压，表面有效迁移率以及低频噪声等，实验结果表明，随着轰击时间的增加，跨导，沟道电导和表面有效迁移率光增大，然后减小，阈值电压先减小，随后变大；而低频噪声在轰击后明显减小，实验证明，上述参数的变化是硅－二氧化硅界面态密度和二氧化硅中固定电荷密度在轰击后变化的结果。     

皮带传动中弹性滑动的影响分析

本文分析了皮带传动中与弹性滑动有关的几个问题.导出了弹性滑动的大小、平均速度和最大速度诸公式,分析了弹性滑动对传动比和传动效率的影响.     

高压油管中燃油压力波传递速度的研究

本文介绍了柴油机高压油管中燃油压力波的物理概念,并在高压喷射条件下对高压油管中燃油压力波的传递速度(即当地音速)进行了实验测定.结果表明,高压油管中燃油具有两相性,其压力波速度明显低于单相液质中的数值,这对喷射系统的理论研究和应用实践均有实际意义.     

对称薄膜双栅MOSFET温度特性的研究

文章对薄膜双栅MOSFET器件的温度特性进行了研究。首先对其进行理论分析,得到亚阈值电流、阈值电压和饱和电流等随温度的变化关系,并计算出理论结果,再用Medici模拟仿真加以验证,比较了不同温度下的输出特性、饱和漏电流、阈值电压与温度变化的关系,验证结果表明两者是一致的。     

引信雨场干扰机理的研究

在雨场对无线电近炸引信和电容近炸引信干扰机理的研究中,介质影响可以忽略不计,干扰主要来自雨滴和引信碰撞时雨滴发生形变对引信的影响.通过研究和实验验证,得出了雨场对近炸引信干扰的三大要素是:雨滴直径D、碰撞位置S和相对速度v。     

短沟道MOS器件阈电压和跨导的温度关系

本文从yau的模型出发,推导出了短沟道硅栅MOSFET的阈电压表达式及阈电压与温度的关系:并考虑短沟道MOSFET的扩散电流。推导出简单的电流—电压关系表达式,求出了跨导;得到了与试验一致的结果。发现,随温度的降低,MOSFET的阈电压的大小上升,阈电压的温度梯度的大小减小,跨导的大小急剧上升。结果表明,MOSFET更适合低温下工作。     

塔里木盆地克拉2气田白垩系砂岩含气饱和度模拟实验

以塔里木盆地克拉 2气田为例 ,通过模拟气驱水过程获得含气饱和度 ,从而作为估算气田储量的依据 .实验在高温高压条件下进行 ,用于实验的岩心取自各储量计算单元 .实验中岩石样品充满矿化度接近地层水的盐水 ,以氮气为气样 .通过计算实验过程中不同阶段的岩心质量来获得含气饱和度 .实验表明 ,砂岩岩心的含气饱和度与孔隙度和渗透率之间具有明显的正相关关系 .以实验数据为基础 ,建立含气饱和度与孔隙度或渗透率之间的关系曲线 ,可以作为选择储量计算中含气饱和度的一项依据 .根据实验结果 ,估算克拉 2气田的探明储量比目前上报的储量大     

部分重叠双栅MOSFET特性的研究

研究一种具有部分重叠双栅结构MOSFET器件模型,并将其与类似的分裂双栅结构MOSFET及普通栅结构MOSFET器件进行比较,利用MEDICI软件对该结构进行仿真.通过仿真可知:部分重叠双栅MOSFET器件通过沟道电场的调节,可降低短沟效应和等效栅电容、提高击穿电压,跨导可由栅压调节,阈值电压随沟道缩短而下降的变化率在文中讨论的3种结构中最小.