极性膜内的偏心杂质

本文用变分微扰法即论了极性膜中杂质位于偏心处束缚极化子,同时计及电子一体纵光学声子作用以及电子一面光学声子作用,导出了由电子一体(面)光学声子作用所产生的诱生势及束缚能与膜厚的关系,并讨论了变分参数随杂质位置变化而变化的物理意义。     

量子阱中束缚光学极化子

采用线性组合算符及幺正变换方法研究了量子阱中强、弱耦合束缚光学极化子的性质．导出了量子阱中束缚光学极化子的基态能量与库仑束缚势、电子-LO声子的耦合强度和阱宽的变化关系．通过数值计算结果表明：基态能量因电子-LO声子的耦合强度和库仑束缚势的不同而不同，它随电子-LO声子的耦合强度和库仑束缚势的增大而增大，当电子-LO声子的耦合强度和库仑束缚势取某一定值时随阱宽的增大而增大．     

极性晶体膜中的杂质态

本文采用LLP变分法,在同时计及LO声子及SO声子的作用下,得到了束缚极化子的自能及有效质量与膜厚N的关系.     

量子棒中弱耦合杂质束缚极化子的振动频率

给出了具有椭球边界最子棒经过坐标变换成球形边界的哈密顿量.采用线性组合算符和幺正变换的方法研究了在非均匀抛物限制势下量子棒中弱耦合杂质束缚极化子的性质.导出了量子棒中弱耦合杂质束缚极化子的振动频率随库仑束缚势和椭球的纵横比的变化关系以及声子平均数随电子-声子耦合强度和椭球的纵横比的变化关系.数值计算结果表明:振动频率随库仑束缚势的增加而增加,当e'>1时,振动频率随椭球的纵横比的增加而增加.e'<1时,随着椭球的纵横比的减少,振动频率增大.当e'=1时,振动频率取极小值.声子平均数随电子-声子耦合强度的增加而增加,随着椭球的纵横比的减少而增大.     

施主离子对抛物阱中束缚极化子的影响

从电子-声子相互作用的哈密顿量出发,采用改进的LLP方法研究了无限深抛物阱中束缚极子的极化势和结合能随施主离子位置z0的变化关系.结果表明,电子与施主离子间的距离不同,则极化势随施主离子位置的变化关系也不同.对于给定的阱宽,随着施主离子远离阱中心,束缚极化子的结合能迅速减小;阱宽不同,束缚极化子的结合能减小的程度不同.     

Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe异质结中的束缚极化子

对半导体单异质结系统 ,引入三角势近似异质结势 ,考虑电子、杂质与声子的相互作用 ,利用改进的 LLP变分法讨论在界面附近束缚于正施主杂质的极化子基态能量 .对 Zn1-xCdx Se/Zn Se系统的杂质态结合能进行了数值计算 ,给出了结合能、声子贡献随杂质位置、电子面密度和组分的变化关系 .结果表明 ,杂质 -声子相互作用显著且声子对结合能的作用为负 .     

强耦合束缚极化子的速率对量子点中声子平均数的影响

采用改进的线性组合算符和幺正变换方法，研究量子点中强耦合束缚极化子的速率对声子平均数的影响，导出了强耦合情况下束缚极化子的声子平均数．结果表明，声子平均数随极化子的速率、库仑束缚势和电子-LO声子耦合常数的增加而增大．     

Zn1-xCdxSe/ZnSe异质结中的束缚极化子

对半导体单异质结系统，引入三角势近似异质结势，考虑电子、杂质与声子的相互作用，利用改进的LLP变分法讨论在界面附近束缚于正施主杂质的极化子基态能量，对Zn1-xCdSe/ZnSe系统的杂质态结合能进行了数值计算，给出了结合能、声子贡献随杂质位置、电子面密度和组分的变化关系，结果表明，杂质－声子相互作用显著且声子对结合能的作用为负。     

非对称量子点中束缚磁极化子的跃迁频率

在磁场和库仑场作用下,采用线性组合算符法计算了非对称量子点中极化子的跃迁频率.计算结论:跃迁频率不仅与磁场回旋频率有关,还与横向和纵向有效受限长度、极化子的振动频率、库仑束缚势、电子-声子耦合强度有关.研究结果表明:极化子的跃迁频率分别是磁场回旋频率、库仑束缚势、极化子的振动频率、电子-声子耦合强度的增函数;是横向和纵向有效受限长度的减函数,说明量子尺寸效应较显著.     

极性膜内束缚极化子的温度效应

本文同时计及电子一体纵光学声子及电子一面光学声子的作用,采用LLP变分法及变分微扰法,导出了膜内束缚极化子基态和激发态能量与温度的关系以及束缚极化子有效质量与温度的关系。     

Shallow Impurity States in Ternary Mixed Crystals

利用微扰－变分法研究了极性三元混晶中束缚在浅库仑杂质中心的极化子．采用改进的无序元胞独立位移模型和有效声子模近似，计及电子和两支光学声子的相互作用，导出了极化子基态能量和束缚能量随组分变化的解析解，分析了声子屏蔽、质量重整化和自陷效应．对若干三元混晶的数值计算结果表明：声子屏蔽效应占主要作用；电子声子的相互作用减小了束缚极化子的束缚能．发现声子对束缚能的贡献随组分的变化是非单调的．讨论了有效声子模方法的有效性和适用范围     

GaAs晶体膜中弱耦合极化子的自陷能

本文采用Ｈｕｙｂｒｅｃｈｔｓ线性组合算符和变分法相结合的方法,研究了极性晶体膜内电子－声子弱耦合系统的基态能量,得到了作为膜厚和耦合常数函数的极化子的自陷能,对ＧａＡｓ晶体计算了不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献。     

点电荷相互作用热能在晶本结合能中的应用

本文通过点电荷相互作用势能在计算晶体结合能时的应用，说明如果能在讲授电磁学基本理论的同时将有关知识在其它学科中的应用介绍给学生，可以取得很好的教学效果。     

三元混晶中激子的结合能

导出了三元混晶中电子－穴穴对有效相互作用势（哈肯势）,研究了混晶效应对激子结合能的影响,讨论了三元混晶中激子的性质,计及激子与声子的相互作用采用变分法利用哈肯势研究了三元混晶AxB1-xC中的激子问题,出了系统的有效哈密顿量,得出激子的结合能,激子－声子耦合常数随分x的变换关系,对几种三元混晶材料进行了数值计算,结果－声子相互作用对激子结合能起着重要作用,激子－声子耦合常数随组分x的变化存一极小值。     

极性晶体膜中极化子的性质

使用格林函数法研究在极性晶体膜中极化子自能的一些性质．对ＧａＡｓ进行了计算,结果表明：在绝对零度时,极性晶体膜中电子与体纵光学声子相互作用能的绝对值随极性晶体膜的厚度的增加而增加,随后几乎保持不变．     

掺杂染料的液晶层内空间电荷场及光折变研究

对液晶层内的空间电荷场,光折变效应进行了较详细的理论研究．提出光折变效应主要同掺杂的杂质离子产生的光电荷感生空间电荷场有关．在掺杂染料的液晶中观察了光束的自衍射和双光束耦合等现象．分析了实验现象,提出和发展了新的理论模型．实验中得到结果同理论结果符合得较好．     

镁铝尖晶石本征色心的计算机模拟

利用计算机模拟技术和经验参数化方法,通过对镁铝尖晶石(MgAl2O4)晶体结构、晶格形成能及本征缺陷形成能的计算,论证了镁空位VMg^2-、氧空位Vo^2 和少量的AlMg^ 是MgAl2O4中的本征点缺陷．并指出其会以[VMg^2--Vo^2 ]空位对和[VMg^2--2lMg^ ]的形式实现电荷补偿．     

自锚式悬索桥空间耦合自由振动分析的理论研究

基于大位移非线性弹性理论的广义变分原理，考虑了加劲梁轴向压缩应变能和剪切应变能的影响，建立了三跨自锚式悬索桥空间耦合自由振动的大位移不完全广义势能泛函，通过约束变分导出了自锚式悬索桥的竖向挠曲振动、横向挠曲振动、纵向振动及扭转振动的基础微分方程，为自锚式悬索桥的固有振动性状分折提供可靠的理论依据。     

马德隆常数的数值确定

离子晶体为数目巨大的多离子系统,其马德隆常数一般由实验确定。考虑晶体表面离子与内部离子对结合能贡献的不同,作者对马德隆常数定义公式进行修正,用程序模拟的办法确定了NaCl晶体的实验参数马德隆常数,并与实验确定值进行了比较。     

声子之间相互作用对磁场中晶体性质影响的研究进展

综述了近年来对电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间相互作用对磁场中晶体性质的影响方面的部分工作,在第一节中从磁场中电子一表面光学声子和电子一体纵光学声子系的哈密顿量出发,用线性组合算符和微扰法研究声子之间相互作用对弱耦合磁极化子的基态能量、自陷能和有效质量的影响,在第二节中研究了声子之间相互作用对与表面光学声子和体纵光学声子弱耦合的表面磁极化子的诱生势和有效质量的影响在第三节中研究了相应的声子之间相互作用对与表面光学声子耦合强,与体纵光学声子耦合弱的表面磁极化子的振动频率、诱生势和有效质量的影响,在第四节中研究了声子之间相互作用对与表面光学声子耦合强,与表面声学声子耦合弱的极性半导体中通过形变势的表面磁极化子的诱生势和有效质量的影响.