Au/Au-Be与GaP欧姆接触的表面分析

用表面方法(SEM,SAM,XPS)研究了在不同温度热处理后Au/Au Be与GaP接触的特性.结果显示,Au Be与GaP接触的界面特性强烈地依赖于热处理温度.经550℃热处理过的界面均匀、平整,其I V特性斜率大,接触电阻小;经较高温度(580℃)热处理过的表面有结晶团状物产生,晶粒变粗,接触电阻增大.AES和XPS分析表明,经540～550℃温度热处理后,界面生成Au Ga P化合物;Be原子由表面向界面扩散,在界面处出现最大值.     

在p型GaAs材料上用快速退火形成Au／Zn／Au欧姆接触

在Ｍｇ注入形成的Ｐ型ＧａＡｓ材料上，用预热和快速两步退火方式形成ｐ型欧姆接触。用传输线方法（ＴＬＭ）测量比接触电阻，得到最佳值３．７３×１０＾－５Ω．ｃｍ＾２，用在ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ器件上，性能良好。     

Ni／Si接触界面的ESCA研究

利用XPS、UPS等表面分析方法对Ni/Si接触的界面体系进行了研究,Ni-Si界面在室温下形成不稳定的多晶混层,其演化过程为:NiO_x/金属Ni/富Ni相/Ni-Si互混相/富Si相/Si,同样Ni-Si界面经650℃真空退火形成均匀的NiSi_2界面层,表层并有SiO_2相存在,说明硅化物的生成过程为:Ni与SiO_2接触产生金属氧化物,加热后逐步形成金属硅化物,讨论了NiSi_2的化学键形成。     

PZT／SiO_2／Si界面的XPS分析

采用ＳＯＬ－ＧＥＬ工艺在ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制备了铁电薄膜，对ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ结构进行了ＸＰＳ分析，结果表明，在ＰＺＴ铁电薄膜和硅衬底之间加ＳｉＯ２使Ｆ／Ｓ界面得到了改善．     

PZT／SiO2／Si界面的XPS分析

采用ＳＯＬ－ＧＥＬ工艺在ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制备了铁电薄膜，对ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ结构进行了ＸＰＳ分析，结果表明，在ＰＺＴ铁电薄膜和硅衬底之间加ＳｉＯ２使Ｆ／Ｓ界面得到了改善。     

Zn1-xCdxSe/ZnSe异质结中的界面极化子

采用准二维模型计及Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ半导体异质结界面附近的能带弯曲效应,讨论了异质结界面极化子的基态能量,能效质量随电子面密度以及Ｃｄ组份的变化关系。     

Si／GaP（111）界面生长及其形成过程

研究用电子束蒸发方法把Ｓｉ淀积在ＧａＰ表面的界面生长过程。用ＸＰＳ在线测量Ｓｉ／ＧａＰ（１１１）界面形成过程中各原子芯能级的移动趋势来研究界面原子间的成键情况；借助Ｇａ３ｐ峰强随Ｓｉ覆盖厚度的变化确定Ｓｉ的生长模式。还用ＬＥＥＤ监测Ｓｉ生长时的表面结构状态。     

SIPOS／Si结构的界面特性

采用红外吸收光谱分析了ＳＩＰＯＳ薄膜中Ｓｉ－Ｏ键的结构，对比了热退火、快速灯光退火对ＳＩＰＯ中Ｓｉ－Ｏ键结构的影响，并结合ＳＩＰＯ／Ｓｉ结构的Ｃ－Ｖ，Ｉ－Ｖ测试结果，对其界面特性进行了分析。     

轮胎/路面接触问题分析

在研究轮胎／路面静态接触问题中，采用了直接将接触面间约束条件作为边界条件施加到系统中的求解方法．该方法避免了应用传统的Lagrangian乘子法引起的系统变量数的增加，同时也避免了由于罚函数法中罚数选取不当给系统数值的稳定性造成的影响．数值分析表明，该方法能够准确有效地对轮胎／路面的接触问题进行分析．     

A-B-A系统界面各相异性与声学型界面自旋波存在条件

计入外磁场、铁磁和反铁磁层间耦合、体和界面各向异性后,研究了Ａ－Ｂ－Ａ三链系统中物声学型界面自旋波及其存在条件,结果发现,在此系统中,存在奇、偶两种不同宇称的声学型界面自旋波,在没的界面各向异性条件,这两种声学型界面自旋波解的个数分别在０￣２之间变化。     

Effect of the Interface Anisotropy on Optical Interface Spin Waves in an A-B-A System

计入外磁场、体和界面单轴各向异性后，研究了铁磁和反铁磁层间耦合的Ａ－Ｂ－Ａ三链系统中的光学界面自旋波及其存在的充要条件．结果发现，在三链系统中，有两种不同类型的光学界面自旋波，它们在不同界面各向异性条件下，均可存在０～２个自旋波解     

计算机控制应用系统中A/D转换板的设计

在计算机控制应用系统中,模拟量/数字量接口卡是经常使用的。文章设计PCI总线的标准模拟量/数字量接口卡,可以嵌入到各种工业控制计算机的应用系统中,使应用系统的设计效率大大提高。     

油/水界面半微分循环伏安分析法

本文介绍了油/水界面半微分循环伏安分析方法,并用该法测定了H_2O/PhNO_2体系中的TMA~+和18-冠-6。实验结果表明该法比普通油/水界面循环伏安分析法灵敏、准确。     

SiCp／ZA22复合材料的界面

研究了ＳｉＣｐ／ＺＡ２２复合材料的界面。根据界面反应的热力学，能谱分析及高分辨透射电镜的研究结果，发现ＳｉＣ／α－Ａｌ界面上形成了少量Ａｌ２ＭｇＯ４过渡层，而ＳｉＣ／η－Ｚｎ间无任何反应发生。     

高铁四电集成系统接口管理常见问题分析

从高铁施工实际出发,总结分析四电系统集成工程中常见的接口问题,提出解决方案,完善施工过程,确保施工质量。     

一种槽钢格构式接触网钢柱

目前我国主要的电气化铁路接触网支柱类型,有环形预应力混凝土支柱和横腹杆式预应力混凝土柱、H型钢柱、格构式钢柱、环形钢管柱。经过广泛调研分析,发现槽钢格构式钢柱是一种比较有前途的电气化铁路接触网工程支柱类型。经过计算分析发现其力学性能可以满足普速铁路对于接触网钢柱的性能要求,且相对于传统支柱类型具有更加良好的经济效益,可以作为我国电气化铁路新的接触网支柱类型。