菲涅尔高倍聚光PV/T系统的均光优化与热特性研究

为提高三结砷化镓太阳能电池芯片表面能流分布的均匀性,对菲涅尔高倍聚光PV/T系统采用正交试验法进行多因素均光优化,并根据极差分析结果进一步优化得到光斑均匀性89.11%、光学效率89.29%、接收角1.09°的菲涅尔高倍聚光系统。将计算所得能流密度加载至电池芯片表面,通过有限元分析法模拟了电池芯片的温度分布,并与原系统、菲涅尔单级聚光系统和理想均匀辐照度下电池芯片温度分布进行比较。研究结果表明优化后的能流分布更均匀;电池芯片表面的温差随着能流密度分布均匀性的增加而减小,优化的菲涅尔高倍聚光系统能有效降低电池芯片中心位置能流密度,提高能流和温度分布的均匀性。     

美国科学家研发出砷化镓晶片批量生产技术

砷化镓是一种感光性能比当前广泛使用的硅更优良的材料，理论上它可以将接收到的阳光的40％转化为电能，转化率约是硅的两倍，因此卫星和太空飞船等多采用砷化镓作为太阳能电池板的材料。然而，传统的砷化镓晶片制造技术每次只能生成一层晶片，成本居高不下，限制了砷化镓的广泛应用。     

基于PHEMT工艺的5 GHz锁相环芯片

给出了基于0.2 μm砷化镓赝晶高电子迁移率器件工艺设计的高速锁相环芯片的电路结构、性能分析与测试结果.芯片采用吉尔伯特结构的鉴相器和交叉耦合负阻差分环形压控振荡器,总面积为1.15 mm×0.75 mm.锁定时中心工作频率为4.44 GHz,锁定范围约为360 MHz,在100 kHz频偏处的单边带相位噪声约-107 dBc/Hz,经适当修改后可应用于光纤通信系统中的时钟数据恢复电路.     

一种改进型的高性能PSM调制升压芯片设计

基于CSMC 0.5 um CMOS工艺设计了一种PSM(Pulse Skip Mode)调制电荷泵DC-DC升压芯片。优化整体结构使能控制最大程度上降低静态功耗,设计能够防止振荡器误操作的时钟逻辑控制电路、宽工作范围低温度系数的带隙基准和衬底最高电位选择电路,分别起到有效抑制纹波紊乱,减小开关切换时流过开关管的脉冲电流、拓宽芯片的工作温度范围和防止闩锁效应,减小芯片面积的作用。仿真结果表明所设计的改进措施使该芯片较传统的2倍升压电荷泵具有更低的稳定纹波、静态功耗和更宽的工作温度范围,进一步提高了升压电荷泵芯片的性能。     

新型芯片异彩纷呈

芯片技术的发展基本遵循穆尔定律,即一块芯片上集成的晶体管数每过18个月就翻一番。由于全球各大芯片公司不断取得技术突破,使晶体管尺寸变小,硅片尺寸更大,设计更有效,大约每3、5年就产生一代集成度更高、运算速度更快的芯片。目前,科学家们已研制生产出     

三结砷化镓叠层太阳电池中的宽带隙隧穿结研究

隧穿结是影响三结砷化镓叠层太阳电池性能的关键因素。从隧穿结导致三结电池性能曲线异常的问题出发,数学模拟了GaInP2微结构有序性对宽带隙AlGaAs/GaInP2隧穿结的影响。由此设计了合理的隧穿结,使三结砷化镓叠层太阳电池的性能得到改善。     

红外温度采集系统

红外温度采集系统作为电子类小设计也是是单片机实验中一个很常用的题目。因为它的有很好的开放性和可发挥性,可以将芯片与单片机结合起来,通过单片机对芯片的控制可以使采集的温度更快速更准确,同时也可以直接通过单片机编程来使采集温度更精确。对于设计者来说采用单片机来实现红外温度采集的各种功能主要是因为单片机集成度高,体积小、有很高的可靠性。单片机把各功能部件集成在一块芯片上,内部采用总线结构,减少了各芯片之间的连线,大大高了单片机的可靠性与抗干扰能力。     

新一代宽禁带半导体材料

回顾半导体的发展历程,随着不同时期新材料的出现,半导体的应用先后出现了几次飞跃。首先,硅材料的发现使半导体在微电子领域的应用获得突破性进展,日用家电和计算机的广泛应用都应该归功于硅材料的应用。而后,砷化镓材料的研究则使半导体的应用进入光电子学领域。用砷化镓基材料及其类似的一些化合物半导体,如镓铝砷、磷镓砷、铟镓砷、磷化镓、磷化钠和磷砷化镓等,制备出的发光二极管和半导体激光器在光通信和光信息处理等领域起到不可替代的作用,由此也带来了VCD和多媒体等的飞速发展。 目前,人们又开始研究新一代的宽禁带半导体材料。其中最有意义的是碳化硅、氮化镓和氧化锌。这些材料的共同特点是它们的禁带宽度在3.3到3.5电子伏之间,是硅的3倍,比     

数字声音

IBM与德BASF联合开发32纳米级的芯片IBM公司日前表示,它将与德国化学公司巴斯夫(BASF)集团共同开发新一代芯片,新产品将采用最先进的32纳米制造技术。IBM称,与德国公司共同开发的芯片预定2010年投放市场。与45纳米、60纳米技术相比,32纳米技术制造的芯片电路消耗更低的电流,可设计成更小的尺寸。它能够使智能手机、笔记本电脑以及其他的电子制造商     

坩埚下降法生长红外砷化镓晶体的研究

利用坩埚下降法生长红外砷化镓晶体,坩埚下降炉控温1 260℃,晶体以2.5mm/h速度在温度梯度为10℃/cm的条件下结晶生长.PBN坩埚外壁黏附有气相自发成核、尺寸为1~3mm的砷化镓单晶颗粒.生长的砷化镓晶体直径约50.8mm,总长约140mm.晶体头部放肩阶段存在异相成核,尾部出现多晶.截断后获得的砷化镓单晶长约100mm,成晶率达70%.砷化镓单晶结晶质量良好,头尾平均位错密度分别为868cm-2和1 436cm-2,电阻率达107Ω·cm量级.砷化镓单晶整体红外透过率约为55%,接近最高理论透过率55.8%.满足工业界使用要求.     

降低半绝缘GaAs单晶片亮点缺陷的热处理工艺研究

GaAs单晶材料已成为一种重要的微电子和光电子基础材料,应用广泛。为了降低半绝缘砷化镓单晶片表面的亮点缺陷,对砷化镓晶片在不同温度和不同砷蒸汽压条件下进行了热处理,研究了热处理对砷化镓中砷的存在形式转换的影响及其机理。     

水平定向凝固法合成砷化镓多晶

采用水平定向凝固法合成砷化镓多晶,定向凝固炉分为3个温区,砷单质在低温区(约630℃)升华,通过中温区后在高温区(1 250~1 255℃)与镓逐渐化合为砷化镓多晶.石英变形、砷端杂质、多晶表面氧化以及多晶尾端富镓是合成砷化镓多晶过程中易出现的宏观缺陷.通过对原料配方设计、砷蒸气压控制以及炉子降温程序设计等进行优化,成功获得了完整性好且电学性能指标优异的砷化镓多晶.多晶的迁移率在4 800~5 400cm2/(V·s),载流子浓度为1015~1016 cm-3量级,完全满足砷化镓单晶制备要求.     

B_2O_3质量对VGF晶体生长工艺成晶率的影响

B_2O_3的吸水性特别强,水含量不同,其与p BN坩埚浸润状态也会有所不同,B_2O_3与p BN坩埚壁的浸润状态对晶体生长能否成功非常重要。同时,B_2O_3添加量的多少也会影响晶体生长中熔体的化学计量比,从而影响成晶。通过对VGF晶体生长工艺中所使用的液封剂B_2O_3的水含量及添加量对砷化镓晶体成晶率影响的试验分析,确定合理的添加量及水含量,提高了砷化镓晶体生长的成晶率,使掺硅砷化镓单晶生长的成晶率达到75%以上,有效地降低了生产成本。     

超高纯晶体能在真空条件下生成

当电子迅速通过半导体时,半导体纯度的重要性仅次于电子运动速度。因此,在材料中的杂质越少,电子的移动速度就越快。这一法则已由一个研究小组用于砷化镓的研究中(砷化镓是激光唱机中所用的一种半导体材料)。如将生长的砷化镓晶体     

空间电压矢量在DSP上的实现

通过TMS320LF2407芯片与SVPWM算法的结合使用,相比与其他的PWM方式,不但可以方便的设置死区时间,从而使SVPWM控制简单,也能使其电流波形更接近于正弦波,既减少了电网的谐波干扰问题,也使系统的结构更紧凑,更合理。提高运行效率,保证控制的正常运行。     

硫对砷化镓表面悬挂键的饱和作用

利用集团模型探讨了硫对砷化镓（１１０）理想表面悬挂键的饱和作用，着重于定性讨论硫去除禁带内砷化镓表面态的可能性，这有助于了解硫钝化砷化镓表面的机理，计算采用电荷自洽的ＥＨＴ方法，结果表明，硫确能与表面砷化镓原子形成较强的共价键，并把悬挂键形成的表面态移出禁带，其中硫与镓的相互作用更为强烈。     

“太空材料之母”

<正>砷化镓是一种很有发展潜力的新型半导体材料。在地面上进行砷化镓单晶生长时,由于地球引力等原因,会造成难以克服的杂质玷污问题。而在太空中,摆脱了重力影响因素,则会有利单晶生长。然而,由于空间能源有限和技术复杂,加上砷化镓的     

双胞胎结构介电湿润芯片的设计与实验

基于介电湿润效应的数字微流控技术在操作单个微液滴方面所表现出的独特优势使其已在生物、医学及化学等领域得到了广泛关注与应用.数字微流控芯片中较高的驱动电压不但容易使芯片的介电层被击穿,而且较强的电场会给液滴中的活性物质带来不可逆的损伤,因此,降低介电湿润芯片的驱动电压是很有必要的.通过理论分析得到由2块相同单极板共平面芯片构成的双胞胎结构芯片不但能获得较大的介电驱动力,而且临界驱动电压更低.实验结果表明采用双胞胎结构设计的芯片不仅能提高液滴的平均运动速度,而且可以有效地降低驱动电压,特别是在较低驱动电压时可获得更优的液滴驱动效果.     

供MOS-VLSI诊断用的电压跟随器

本文提出一种带宽为400MEz的电压跟随器,它由砷化镓(GaAs)FET与硅双极型晶体管(BJT)芯片耦合制成.此探针的有效输入电容在20MHz时为10fF,40MHz时为25fF和80MHz时增加到100fF.具有这样特性的探针能满足很多MOS—VLSI故障诊断的需要。电路最佳参数的选择是借助于反复使用SPICE分析程序来完成的。文章给出了检测动态RAM位线的实例.     

低温恒温箱测控系统的接口设计与PID调节

介绍了低温恒温箱测控系统的硬、软件设计方法,通过单片机接口电路的合理扩展．使整个硬件系统更简单、可靠,通过X25045芯片的使用,使系统实现了自动化标定与校准;该设备中的空气压缩机采用调频技术,从而实现了制冷量的PID调节。