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相似文献
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1.
用慢正电子技术研究了在溅射时不加偏压,纯Ar气氛,基片分别为加热300℃和不加热的情况下制备的No.2系列和No.7系列的用Y2O3稳定的ZrO2薄膜(简称YSZ膜)。研究发现:YSZ膜心部区S参数随退火温度升高而降低;YSZ膜的过渡区宽度随退火温度升高而变窄;基片加热,有助于获得稳定、均匀、致密的薄膜组织。  相似文献   

2.
关于退火温度对VO_2薄膜制备及其电学性质影响的研究   总被引:8,自引:0,他引:8  
采用真空蒸发-真空退火工艺由V2O5粉末制备VO2薄膜,研究了退火温度对薄膜的影响.经XRD,XPS及电阻-温度测试发现,随退火温度的升高,VO2薄膜先后经历了单斜晶系VO2(B)型→单斜晶系VO2(A)型→四方晶系VO2的变化,在3种类型的薄膜中V均以V4+为主,且在VO2(A)型薄膜中V4+含量最高.薄膜电阻以退火温度460℃时为分界线,低于460℃时,VO2(B)型薄膜电阻和电阻温度系数随退火温度的升高而增大;高于460℃时,四方晶系VO2薄膜的电阻及其电阻温度系数随退火温度的升高呈现相反的趋势.  相似文献   

3.
退火温度对钽基RuO2·nH2O电沉积薄膜电容性能的影响   总被引:7,自引:0,他引:7  
以RuCl3·xH2O的水溶液为电沉积溶液, 通过恒流电沉积法在钽箔上电沉积一层RuO2·nH2O薄膜, 研究退火温度对RuO2·nH2O薄膜的电容性能的影响;采用CHI660B电化学测试仪和循环伏安法对薄膜的电容性能进行测试;分别采用扫描电子显微电镜、能谱仪及X射线衍射仪对薄膜的形貌和微孔形态、薄膜元素及薄膜的物相进行分析. 结果表明, 未经退火处理的RuO2·nH2O薄膜的电容性能不稳定, 在循环伏安法测试中电容量随循环次数的增加而降低;将RuO2·nH2O薄膜分别在不同温度(100, 150, 200, 250和300 ℃)下进行的2 h的退火处理, 经退火处理后的RuO2·nH2O薄膜的电容性能经过60次的循环后趋于稳定, 其中, 经过100 ℃退火处理的RuO2·nH2O薄膜的比电容最大, 其比电容为0.083 8 F/cm2.  相似文献   

4.
文章采用电子束物理气相沉积法在单晶Si(100)基片上制备了单层SiC薄膜和Al2O3/SiC双层膜,然后在不同温度下经氩气保护退火。通过X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)对所制备的薄膜进行了结构和表面形貌分析。研究表明:退火后SiC薄膜由非晶态转为晶态,随退火温度的升高,薄膜结晶更充分,薄膜表面平均粗糙度变小;双层膜与单层膜相比,其SiC衍射峰有所增强,薄膜表面更加平滑。  相似文献   

5.
光电薄膜材料FeS_2(黄铁矿)的研制   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了用电沉积法制作太阳能电池薄膜材料。分别用三种含铁元素和硫元素的水溶液淀积 Fe S2 薄膜 ,将所得的样品在 N2 氛围中退火 ,退火温度分别为 40 0℃和 50 0℃。结果表明 ,从 Fe SO4 · 7H2 O+Na2 S2 O3· 5H2 O水溶液得到的薄膜中含 Fe S2 的衍射峰比从其它两种水溶液得到的薄膜中含 Fe S2 的衍射峰多而明 ;退火温度为 40 0℃比 50 0℃更合适 ;另外 ,为防止薄膜氧化 ,在真空中干燥效果最佳。  相似文献   

6.
以钛酸丁酯和无水乙醇分别为前驱体和溶剂 ,添加适量稳定剂制成稳定溶胶 ,用浸涂法在 Al2 O3基片上制备 Ti O2 薄膜 ,经在 10 0 0℃氢气氛下还原制得 Ti O2 - x薄膜 .通过 SEM照片发现薄膜颗粒在几十纳米左右 ,颗粒分布均匀 .由 XRD分析 ,薄膜的 x值在 0~ 0 .5之间 .实验结果表明 ,Ti O2 - x薄膜在 80 0℃下具有良好的氧敏感性和响应特性 ,薄膜在 N2 条件下具有很好的电阻 -温度特性  相似文献   

7.
真空蒸发法制备CdS薄膜及其性能研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
用真空蒸发法制备了CdS薄膜,用扫描电镜、X射线衍射仪、紫外-可见光分光光度计、四探针对薄膜的形貌、结构、光电性能进行分析测试.研究结果表明,不同基片温度下所制备的CdS薄膜主要为六方相,CdS薄膜在(002)晶面有高度的择优取向;不同基片温度下的薄膜对可见光的透光率都超过70%;薄膜的电阻率随基片温度的升高而增大;基片温度为50℃时薄膜的Eg为2.41 eV;在200℃退火处理改善了CdS薄膜的质量,结晶度提高,电阻率降低,晶粒尺寸增大;基片温度为50℃时薄膜在200℃退火后的电阻率为255Ω.cm.  相似文献   

8.
采用磁控溅射法在STO(001)基片上沉积钙钛矿结构LCMO薄膜,研究了退火温度对LCMO薄膜微结构及电输运特性的影响.研究结果表明,随退火温度的升高,薄膜中氧含量及Mn^4+/Mn^3+比逐渐升高,LCMO薄膜中的Mn^4+/Mn^3+比与薄膜中的氧含量有关,当氧含量增大时,Mn^4+/Mn^3+比相应增大.LCMO薄膜的电阻率随退火温度升高而逐渐减小,而LCMO薄膜的金属-绝缘相变温度随退火温度升高而逐渐升高,经850℃退火处理的LCMO薄膜的金属.绝缘相变温度可达257K.  相似文献   

9.
光电薄膜材料FeS2(黄铁矿)的研制   总被引:3,自引:0,他引:3  
研究了用电沉积法制作太阳能电池薄膜材料.分别用三种含铁元素和硫元素的水溶液淀积FeS2薄膜,将所得的样品在N2氛围中退火,退火温度分别为400℃和500℃.结果表明,从FeSO4*7H2O+Na2S2O3*5H2O水溶液得到的薄膜中含FeS2的衍射峰比从其它两种水溶液得到的薄膜中含FeS2的衍射峰多而明;退火温度为400℃比500℃更合适;另外,为防止薄膜氧化,在真空中干燥效果最佳.  相似文献   

10.
采用溶胶-凝胶法,在Si(100)衬底上制备了3%Co掺杂CeO2薄膜,研究了不同热处理温度对Ce0.97Co0.03O2薄膜结构和光学性质的影响。X射线衍射(XRD)表明,3%Co掺杂CeO2薄膜为多晶薄膜,且未破坏CeO2原有的结构,随着退火温度的升高,晶粒尺寸逐渐增大。椭偏光谱法研究表明,Ce0.97Co0.03O2薄膜的光学常数(折射率n、消光系数k)随着退火温度增加而增大,光学带隙Eg随退火温度增加而减小,这是薄膜结构随退火温度增加发生变化所致。  相似文献   

11.
通过一种简便有效的合成方法对天然核苷进行修饰,制备了重要的生化中间体2′-氨基2′-脱氧尿苷。经紫外、红外、光谱,核磁共振等分析确认其结构和特征。  相似文献   

12.
文章通过实验和热力学计算探讨No2O2与CO2反应的条件。  相似文献   

13.
利用Tang Toennies(TT)势模型,计算了O2-O2,O2-N2,和O-N2相互作用势,得到了重要的的相互作用势的参数Rm和ε,并在此基础上计算了O2-O2系统的输运系数.其结果与文献值符合较好,说明TT势模型对于计算氧分子系统是可行的.  相似文献   

14.
利用特征2代数闭域上G2嵌入Gartan型李代数K(5)结果,给出特征2李代数G2的齐次生成元集,从而证明特征2李代数G2可以由两个元素生成.  相似文献   

15.
采用溶胶-凝胶工艺制备出平均尺寸为0.109μm的SiO2-P2O5-TiO2细小均匀的粉体。通过XRD、SEM、热重分析发现,粉体中存在着包裹在颗粒周围的无定形二氧化硅膜,能有效的抑制水解时磷和钛的副反应发生,改善了粉体的化学稳定性,并且该粉体具有良好的吸湿性,适合于制备电解质薄膜。  相似文献   

16.
2-庚基呋喃(2-n-heptylfuran,简称HF)和2-丁基噻吩(2-n-butylthiophene,简称BT)能诱导A/J小鼠增加解毒酶系统中谷胱甘肽S-转移酶(GST)的活力,并能抑制致癌物(4-甲基亚硝胺基)-1-(3-吡啶基)-1-丁酮(简称NNK)的致癌作用,这些结果表明,含有呋喃或噻吩的化合物可能是化学致癌作用的抑制剂。  相似文献   

17.
详细研究了沉淀过程及后处理方式对CuO-ZnO/ZrO2催化剂CO2低压加氢制甲醇反应.眭能的影响,采用N2物理吸附、XRD、SEM、Cu比表面等测试方法对催化剂的结构、晶相、织构特性等进行表征.结果表明,还原后的催化剂中存在两种不同化学环境的表面Cu物种,仅活泼Cu物种具有活性作用;催化剂的活性与晶粒大小、比表面积和孔结构等因素有关,适度晶粒大小的CuO物种可能是该反应中有效催化活性位前躯体,其反应规律与甲酸铜中间体理论基本吻合.  相似文献   

18.
TiO2-SiO2系列玻璃具有优良的化学稳定性,采用溶胶-凝胶法制备玻璃涂层,可望提高一般玻璃的耐水性.研究结果表明,凝胶的化学组成及合成工艺均影响聚合物的类型,所以影响到涂层质量和基材的耐水性.当凝胶的化学组成为5TiO2-95SiO2,溶剂量R=0.8-1.2, 加水量γ=0.75-0.98合成,涂层经500 ℃热处理,可使一般Na2O-CaO-SiO2玻璃的耐水性提高25%-47%.  相似文献   

19.
采用IR、Py-IR、XPS技术考察了不同制备条件下制备的S2O2-8/ZrO2-SiO2类固体超强酸催化剂的表面酸种类、酸量、酸强度.结果表明:浸渍S2O2-8使得S2p、Zr3d结合能正极化程度大大提高,有利于提高催化剂的活性;加入少量氧化钐制得的催化剂的S2p、Zr3d结合能略大于不加稀土的样品,说明少量的稀土元素改变了催化剂表面的化学状态,使催化剂表面元素正极化程度提高,对改善催化剂的活性及寿命有一定作用.  相似文献   

20.
该文决定了特征2代数闭域F上G_2的变形的一维中心扩张。  相似文献   

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