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VC、NbC、TaC 的价电子结构及其本质硬度 总被引:1,自引:1,他引:1
根据固体与分子经验电子理论对VC、NbC、TaC相的价电子结构进行了定量分析,通过键距差(BondLengthDiference)方法计算了VC、NbC、TaC晶体中各键上的共价电子数。结果表明,VC、NbC、TaC中,晶体是靠键距为a2的Me-C原子最强键连接的,且该最强键是对称分布的,从而解释了VC、NbC、TaC相本质高硬度的产生原因。 相似文献
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分析了金属间化合物α-(AlMnSi)的空间结构,并运用余瑞璜的固体与分子经验电子论中的键距差分析法计算了α-(AlMnSi)的理论键距及其各种原子所选取的杂阶,在此基础上计算出α-(AlMnSi)中Mn原子键络的共价键键能。 相似文献
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分析了金属间化合物α-(AlMnSi)的空间结构,并运用余瑞璜的固体与分子经验电子论中的键距差分析法计算了α-(AlMnSi)的理论键距及其各种原子所选取的杂阶.在此基础上计算出α-(AlMnSi)中Mn原子键络的共价键键能. 相似文献
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金刚石和石墨的价电子结构与硬度的关系 总被引:2,自引:0,他引:2
根据余氏“固体与分子经验电子理论”,应用键距差方法,对工业中广泛应用的金刚石和石墨的价电子结构进行计算和分析,计算结果较好地解释了金刚石的本质高硬度和石墨的本质低硬度。 相似文献
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采用余氏理论计算了铜铝合金在不同时效作用下析出相价电子结构,通过对键强的分析,从而发现相析出过程中合金强度逐渐得到强化. 相似文献
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张建民 《陕西师范大学学报(自然科学版)》2001,29(2):33-37
给出了确定单质或二元固溶体原子状态的简单快捷方法,应用该方法可清楚地给出固体中化学键网的分布、键强有关固体的其它特性,如熔点、电导率、磁矩、结合能、强度、韧性等,作为例子,建立了α-Fe,α-Cr和不同Cr含量F(Cr)合金的价电子结构,并对晶格常数和磁矩的实验结果给出了满意的价电子结构分析。 相似文献
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贝氏体钢的价电子结构与性能 总被引:1,自引:0,他引:1
运用“固体与分子经验价电子理论”建立了Fe-C系贝氏体晶胞的价电子结构,研究了贝氏体钢中Mn,Si,B以及Re对强度和韧度的作用机制。结果表明,在贝氏体钢中形成的较Fe-C贝氏体具有更强键合和对C原子扩散具有更大阻力的C-Mn偏聚结构单元,增加了具有较强键合力偏聚结构单元的权重,同时微量元素的深入促进了合金元素之间的交互作用,并使合金贝氏体的共价电子对空间分布更加均衡,从而使贝氏体钢的强度和韧度更为优越。 相似文献
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用余氏理论(固体与分子经验电子理论),分析了铝硅二元合金价电子结构,推断铝硅熔体中Si-Si原子之间的结合力最强,表明在馆位中存在Si原子的短程有序分布.同时根据熔体的微观不均匀性理论,建立了铝硅二元合金熔体的结构模型. 相似文献
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Al-Mg-Si合金的价电子结构分析 总被引:9,自引:0,他引:9
用经验电子理论(EET)对Al—Mg—Si合金中主要成分(如α—Al、镁、硅,以及强化相(β—Mg2Si)的价电子结构进行计算,计算结果表明各成分晶胞最强键上的共价电子对数与其密度、熔点、硬度、电负性有对应关系;Mg、Si原子上次强键的共价电子分布有利于β相的形成。 相似文献
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文章应用固体与分子经验电子理论计算了镓酸镧基固体电解质材料的价电子结构,计算结果表明,1/(nAnB)随x及y增加而增加。实验结果表明,当x、y小于20%时,电导率σ随x、y增加而增加,并随1/(nAnB)增加而电导率σ增加,通过价电子结构的计算,可预测不同成分的LSGM的电导率。 相似文献
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基于固体与分子经验电子理论(EET),对纯金属晶体Cu以及合金固溶体Cu-Ni、Cu-Si和Cu-Ni-Si进行价电子结构分析,建立相空间价电子结构计算模型和方法,从相空间价电子结构角度探讨合金元素的合金化行为。计算结果表明:Cu处于第15杂阶,Ni处于第8杂阶,Si处于第2杂阶,Cu-Ni-Si晶胞的最强键上共价电子数达到了0.45722,这说明合金元素Ni和Si的溶入,能够提高纯铜晶胞的原子键引力,强化铜基体。 相似文献
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金属间化合物的价电子结构脆性判据 总被引:1,自引:0,他引:1
根据余氏理论提出了一个价电子结构参数--均匀变形因子a,分析了Ti-Al及Fe-Al两个合金系各相的价电子结构,并计算了其a值,发现a与延伸率δ有很好的对应关系,由此解释了金属间化合物的脆性本质,并进而总结给出了一个经验的脆性判据。 相似文献
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应用固体电子理论 (EET) ,对Al-Cu合金G .P区的价电子结构进行计算 ,在价电子结构层次上 ,对Al -Cu合金的时效硬化过程进行了分析 相似文献
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依据余氏理论提出了均匀变形因子a,分析了其对金属间化合物塑性变形的影响,结果表明 a与延伸率δ有好的对应关系。 相似文献
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基于固体与分子经验电子理论,计算并分析了纯金属晶体Al的价电子结构及同相界面上的键络分布,进而计算了价电子结构参数统计值n′A,E′A,Δρ′。计算结果表明:Al原子处于第4、5杂阶时为原子可能存在的真正状态;结构参数的统计值分别为n′A=0.223 23,E′A=28.580 39 kJ.mol-1,Δρ′=4.513 6%。 相似文献
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计算了含钴高速钢的价电子结构与共价键能 .发现 Co可增强奥氏体和马氏体基体金属原子间结合力 (键参数 nα相应提高 1 2 .5 %~ 30 %和 2 0 %~ 2 7% ) ,有利于更高温度奥氏体化及回火析出量增加 .Co削弱 C与近邻原子的键强与键能 ,提高 C的活度 ,但由于 W- Co,Mo- Co等强键存在 ,因此 Co促进了特殊碳化物的初始析出 ,却阻碍其聚集 ,结果在强化的 α相基体上形成数量更多、弥散程度更高的回火析出 ,提高了其淬火回火状态的室温硬度、高温硬度及红硬性 . 相似文献
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金属陶瓷断裂韧性的价电子结构设计 总被引:1,自引:0,他引:1
依据固体分子经验电子理论,运用键距差方法,计算了不同成分金属陶瓷中陶瓷相的价电子结构,讨论了Mo、W、Nb、Ta元素对陶瓷相价电子结构的影响,找出了金属陶瓷的断裂韧性与陶瓷相价电子结构之间的关系,据此推导出金属陶瓷的断裂韧性与其成分之间的关系式,并初步进行了实验验证 相似文献
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通过经验电子理论(EET理论)计算了多元陶瓷相价电子结构,运用多元线性回归建立了成分与价电子结构的关系;并且将价电子结构与座滴法实验测得的接触角进行了回归分析。结果表明,不同碳化物的添加均能导致最强键上共价电子数nA的增加,其中添加VC的影响最为显著,依次为VC>Mo2C>NbC>WC>TaC。研究还发现,碳化物的添加使体系接触角持续下降,同时接触角随键能的增加持续下降。 相似文献