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相似文献
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1.
利用遗传算法结合经验势研究了(AgI)n和AgnIn-1Cl(n=2~13)团簇的稳定结构及性质。结果表明:n=2~13,(AgI)n团簇构型由单环结构转化为四元环和六元环邻接的笼状结构,(AgI)n(n=6、8、12)结构较稳定;n=2~13,AgnIn-1Cl团簇构型由单环结构转化为四元环、六元环及八元环邻接的笼状结构,AgnIn-1Cl(n=6、8、9、12)结构较稳定。  相似文献   

2.
采用DFT(Dpensity-function theory)下的B3LYP方法研究了Asn(n=2-12)团簇的平衡几何结构,基态团簇的相对稳定性及电子性质.结果表明,n≥5时团簇易于形成四元环和五元环结构单元,从As6开始团簇的基态以层状结构居多.团簇的平均束缚能、离解能、能量二阶差分、前线轨道能级以及能隙均表明As2、As4和As8为幻数团簇.最后,计算分析了基态团簇的振动频率,红外和拉曼光谱以及极化率,得到As4拉曼光谱峰值对应的谐振频率与实验值符合较好.  相似文献   

3.
基于经验势,利用遗传算法研究了中性氧化镁(MgO)n团簇(n=2~20)的稳定结构.当n=3,6,9,12,15,18时,(MgO)n团簇具有幻数结构.对这些幻数结构的不同稳定异构体在Me2/6—31G水平上进行优化,并对稳定结构的特征及其随尺寸变化的规律进行了分析.同时,优化了带负电的(MgO)n^-(n≤6)团簇的结构,分析了额外负电子对团簇结构的影响.  相似文献   

4.
目的确定NiSin(n=1-6)团簇的稳定几何结构、Mulliken原子净布居、重叠布居、自然布居、自然电子组态、总能及分裂能,初步探讨Ni-Si成键机制。方法运用杂化密度泛函理论,在(U)B3LYP/LanL2DZ水平上对NiSin(n=1-6)团簇进行计算。结果得到NiSin(n=1-6)团簇的一系列稳定几何结构,以及Mulliken原子净布居、重叠布居、自然布居、自然电子组态、总能及分裂能等。结论计算结果表明在稳定的NiSin(n=1-6)团簇中,电子从Ni向Si转移,并且Ni—Si重叠布局为正,增强团簇的稳定性,分裂能D(n,n-1)中D(2,1)最大,说明NiSi2是NiSin(n=1-6)中最稳定的团簇结构。  相似文献   

5.
采用密度泛函理论B3LYP/6—311++g^**方法对[NH3(H2O)n]^-(n=2—4)团簇的结构和频率进行研究,从而得到[NH3(H2O)n](n=2—4)团簇的基态结构,得到的结构与SubhaPratihar等的研究一致.同时,文章还研究了水氨团簇的电子束缚方式和偶极矩,结果表明,在n=2时,电子束缚方式为表面束缚,而在n=3,4时,既有表面束缚方式,又有内部束缚方式.  相似文献   

6.
为了解决锇掺杂团簇的结构构建与稳定性调控问题,采用密度泛函理论计算方法,优化了OsSn(n=1~7)团簇的几何结构,预测了团簇的基态结构,并对基态结构的平均结合能、二阶差分能、离解能和能隙以及成键特性进行了分析讨论。结果表明,当n≤5时,基态结构都以Os为中心呈发散状结构;n5后,则以OsS4基态结构为基础,其余S原子以附加环状结构呈现;OsSn(n=1~7)团簇的能量参数均呈先升后降的变化趋势,其中OsS3团簇的能量参数最大,具有最稳定结构。研究结果确定了锇掺杂硫原子团簇的最稳定结构,可为OsSn(n=1~7)团簇的半导体电子材料合成提供优选方案。  相似文献   

7.
使用紧束缚(TB)多体势和遗传算法(GA),计算了Fen(m=2~20)团簇的基态结构.从优化结构出发,使用自洽的紧束缚3d、4s、4p模型哈密顿,计算了每原子平均磁矩风和向上与向下自旋电子态密度DOS.对小(n≤6)的团簇,Fen的平衡结构非常类似于惰性气体团簇,与硬球堆积相一致.7~12个原子团簇的结构由二十面体的骨架——五角环组成.14~19个原子团簇形成六角环形结构.所计算的所有团簇的风都大于块体值,并随着团簇增大缓慢地非单调性地减小.平均配位数、团簇中局域配位数的分布和spd杂化都是影响电子和磁学特性的重要因素.  相似文献   

8.
利用遗传算法结合经验势研究了Lun(n=2~36)团簇的基态结构.分析了Lun(n=2~36)团簇的基态结构随尺寸的变化规律.计算结果表明,团簇的每个原子的平均结合能和总结合能随团簇尺寸的增大而增大.以总结合能的二阶差分为判据,Lun(n=2~36)团簇的幻数是4,7,13,19,23,26,29,32,34.  相似文献   

9.
采用密度泛函理论计算,研究了(HgTe)n(n=2~8)团簇基态结构、结合能、能隙、垂直亲和势和二阶能量差分等性质。在广义梯度近似下,对(HgTe)n各种可能的几何结构进行了优化,预测了各团簇的最稳定结构,并对其电子性质进行了计算。研究结果表明:当n=2、n=3时,团簇的最低能量构型是平面结构;当n≥4时,团簇的最低能量结构是三维结构,并且可以看成是由(HgTe)2和(HgTe)3单元组成。(HgTe)n团簇的能隙、垂直亲和势和二阶能量差分表明:(HgTe)3和(HgTe)6是团簇的稳定结构,即n=3和n=6是团簇的幻数。  相似文献   

10.
从第一性原理出发,利用密度泛函理论中广义梯度近似对Aun(n=2-11)团簇进行了结构优化、能量和振动频率分析,得到了金团簇最低能量结构及亚稳态结构.计算结果表明,Aun(n=2-11)团簇的基态结构均为平面结构,Aun可通过Aun-1边戴帽一个原子生长而得,归咎于相对论效应引起的sd杂化.综合Aun团簇基态的平均结合能、离解能及二阶能量差分可知,n为偶数的Aun团簇的稳定性相对较高,并且Au6团簇的稳定性在所有团簇中是最突出的.  相似文献   

11.
采用密度泛函(PW91PW91)方法,结合LANL2DZ基组,优化得到了Ag_nPd~-(n=1~5)二元掺杂团簇稳定的基态结构和电子性质。研究结果表明:将Pd原子掺入Ag~n~-(n=1~5)负电簇能显著提高团簇的稳定性;平均原子键能随团簇尺寸的增大而呈逐渐增加的趋势。除Ag5Pd-具有三维结构外,其他较小掺杂团簇的电子基态倾向于平面二维结构。Ag_nPd~-团簇碎片化能量计算结果表明:AgPd~-和Ag_3Pd~-团簇的优势解离通道解离出单个Pd原子,而Ag_2Pd~-、Ag_4Pd~-和Ag_5Pd~-的优势解离通道解离出单个Ag原子。  相似文献   

12.
用恒温分子动力学方法研究(AgBr)n(n=7~9)团簇的热力学行为。结果表明:在中温区,(AgBr)9的结构扭曲较严重,(AgBr)7的结构发生正侧面轮换,但仍都保持着基态结构的基本构型;(AgBr)8在160 K时,结构转变为双层八元环,在160~360 K时,也存在正侧面轮换现象.  相似文献   

13.
采用密度泛函DFT中的B3LYP方法,选择LANL2DZ基组,优化并得到了Yn(n=2-8)小团簇的基态平衡结构,计算出了团簇的原子化能.结果表明,钇原子之间形成团簇最稳定的结构是倾向于平均配位数最大,十分类似于惰性元素的“软球模型”;团簇的平均原子化能随团簇的增大而增加.  相似文献   

14.
在相对论有效原子实势(RECP)近似下,用密度泛函中的B3LYP/LANL2DZ方法,对纯Pbn(n=2-9)团簇的各种可能几何构型进行全优化计算,得到它们的基态结构和电子特性;分析了其形成规律;并计算了团簇的能级分布和最高占据轨道(HOMO)与最低空轨道(LUMO)之间的能级间隙(HLG),分析了团簇的化学活性.  相似文献   

15.
利用密度泛函理论(DFT)在BLYP水平上对cunNi(n=1~9)团簇进行了结构优化和能量计算。通过计算得到不同异构体的总能以及CunNi(n=1~9)团簇的稳定结构,利用团簇的结合能、二阶能量差分,发现cu,Ni、Cu6Ni、cu8Ni团簇的稳定性较高。  相似文献   

16.
在密度泛函理论框架下,采用广义梯度近似泛函BPW91研究了Al_n(n=2~10)团簇的基态结构,系统计算了平均结合能、能量二阶差分、HOMO-LUMO能隙及Al_n(n=2~10)团簇的磁性,并与已有的相关数据进行了比较.结果表明,Al_n团簇的最稳定结构在原子数为n=6时从平面结构转变为立体结构,Al7团簇较相邻尺寸团簇的稳定性要高,磁性分析得到Al_n团簇的平均每原子磁矩在n=2,4,6时为2μB,当n=1,3,5,7,9时为1μB,与实验结果一致.  相似文献   

17.
本工作采用LANL2DZ赝势基组及B3LYP方法对HgmSen(m=1,2,3,n=1,2) 分子和分子离子团簇微观结构和电子性质进行了计算,并用含时密度泛函理论(TD-DFT)计算吸收光谱,得到了基态结构、电子性质、结合能、能隙和偶极矩等微观性质,分析了前线分子轨道特征、指认了全部简谐振动模式、吸收光谱性质。结果表明:当m+n=1~3时,以线型和角型为基态稳定构型,m+n=4~5时,环状为基态稳定构型,且HgSe2团簇分子较其它组成的团簇分子稳定性最强、结合能最大、能隙最小。HgmSen(m=1,2,3,n=1,2) 分子和分子离子团簇都有较好的电子供体和受体等活性部位,导电性良好。不同组成的各团簇的最大吸收波长λmax值呈现的规律性不强,但对于相同组成的团簇分子与其相应正负离子间,出现显著的红移或蓝移现象。本结果可为今后实验及应用研究提供重要理论参考,有助于深入理解实验现象的本质及更好认识大块凝聚物质的某些性质和规律。  相似文献   

18.
采用基于第一性原理的ADF程序,对Ga9-nAsn(n=0-9)系列团簇的基态结构、能量、稳定性和电离能等物理性质进行了系统的计算和分析.结果表明,随着n的增加,团簇的结合能将呈线性增加,电离能在5.5和7eV左右波动,亲和能在2.5~3eV波动,电离能明显大于亲和能.在n=5和n=6附近,Ga9-nAsn(n=0-9)团簇的稳定性最高.  相似文献   

19.
本文利用密度泛函理论的B3PW91方法,在基组6-311G的水平上对BMgn(n=1-10)团簇的几何结构和电子性质进行了系统的研究。对BMgn岛和Mgn团簇的基态结构比较发现,B原子的掺杂使Mgn(n=1-10)的团簇结构对称性明显降低,由团簇的平均结合能、二阶能量差分、劈裂能,HOMO-LUMO Gap得出n=9是BMgn(n=1-10)团簇的幻数,并对BMgn和Mgn+1(n=1-10)团簇作了比较。  相似文献   

20.
商勇 《潍坊学院学报》2010,10(4):115-118
采用密度泛函理论,通过几何构型优化和振动频率计算,得到了NinC(n=1-6)团簇的基态几何结构和多重态。NinC基态团簇构型并不都具有最高对称性,可以由前一NinC构型结合一个镍原子并经过形变得到;自然电子组态分析表明团簇中镍碳原子结合较镍原子间结合稳定;同时对镍团簇磁矩进行了分析。  相似文献   

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