KTP和BBO晶体对1.06μm皮秒光脉冲的倍频效率

用５ｍｍ的ＫＴＰ（ＫＴｉＯＰＯ４）和ＢＢＯ（β－ＢａＢ２Ｏ４）非线性晶体，对皮秒的ＣＰＭ，Ｎｄ∶ＹＡＧ脉冲激光的腔外倍频效应进行研究，获得倍频能量转换效率分别为４２％和３２％，证明ＫＴＰ倍频效率高于ＢＢＯ，结果与理论分析相符．     

BBO晶体对皮秒YAP和YAG激光的腔内倍频

以ＢＢＯ晶体作为腔内倍频元件，研究带抗共振环对撞脉冲锁模Ｎｄ；ＹＡＰ和Ｎｄ：ＹＡＧ激光器的腔内倍频效应，在两种激光器中分别获得基波脉宽８ｐｓ和１０ｐｓ，倍频能量转换继７０．０％和６３．６％。理论分析和实验结果相吻合。     

由内腔倍频直接获取高功率皮秒准单脉冲

描述采用ＢＢＯ非线性晶体,在被动锁模共焦非稳腔Ｎｄ：ＹＡＰ脉冲激光器中实现高效腔内倍频,倍频能量转换效率为８０％。     

BBO晶体相位匹配允许角对倍频效率的影响

根据实验参数，理论计算了ＢＢＯ晶体相位匹配允许角Δθ，其停为毫弧度量级，因此，发散角为毫弧度的激光束通过ＢＢＯ晶体会引起一定的相位失配，降低了倍频转换效率，为此，设计了共焦非稳腔Ｎｄ：ＹＡＰ锁模激光器，近似理想的平面波在ＢＢＯ晶体中实现完全相位匹配，获得了８１％的高效倍频能量转换效率。     

改性KTP晶体二谐相位匹配条件的研究

报导了掺Ｎｂ改性ＫＴｉＯＰＯ４（ＫＴＰ）晶体二谐相位匹配条件的研究结果,用倍频实验和通过测量主折射率计算最佳相位匹配角两种方法来核实掺铌ＫＴＰ晶体的最佳相位匹配角．实验结果表明,两种方法所得的最佳相位匹配角差异不到０１°．与纯的ＫＴＰ晶体比较,对１０６４ｎｍＮｄ∶ＹＡＧ激光,掺Ｎｂ后,ＫＴＰ晶体的最佳相位匹配角变化较大．随着Ｎｂ浓度的提高,最佳相位匹配角从纯ＫＴＰ的θｍ＝９０°,φｍ＝２３１°（在ｘｙ平面内）通过非临界相位匹配条件θｍ＝９０°,φｍ＝０°变化到ｘｚ平面内的θｍ＜９０°,φｍ＝０°．测量表明,在掺Ｎｂ２Ｏ５３％（ｍｏｌ）熔体中生长出的ＫＴＰ晶体最佳相位匹配条件为θｍ＝８８３６°,φｍ＝０°     

激光二极管泵浦的调 Q Nd:YVO_4绿激光器

研制成用激光二极管泵浦的声光调Ｑ的Ｎｄ：ＹＶＯ４腔内倍频激光器，得到了ＴＥＭ００模、频率高达１００ｋＨｚ的稳定的５３２ｎｍ绿激光脉冲系列输出，阈值泵浦功率２７ｍＷ；在连续５７０ｍＷ的泵浦功率下，绿激光脉冲的峰值功率１．１ｋＷ，脉宽４．６ｎｓ；输出功率稳定，在±５℃的工作温度变化下，输出功率变化小于±２％。实验发现：在一定的泵浦功率范围内，随着泵浦功率的增加，１．０６４μｍ基频光的输出能量逐渐增加到一个最大值，然后又逐渐降低；而５３２ｎｍ倍频光的输出能量却一直单调增加；同时激光脉冲宽度也逐渐减小，趋向一个最小值；倍频光脉冲宽度远小于基频光脉冲宽度。声光调制器的质量对器件性能有很大的影响。     

30°切割LiIO_3晶体上的和频效应

当入射光满足Ⅰ类匹配下的偏振态要求时，采用Ｎｄ∶ＹＡＧ激光器，在３０°切割的ＬｉＩＯ３晶体上实现了１．０６μｍ与０．５３２μｍ的和频效应．结果表明，ＬｉＩＯ３晶体的最大量子转换效率为７０％，总入射光转换效率为１７％．并由此给出总入射光与三倍频光的线性关系．     

Hastelloyc-275上激光沉积YBCO超导线材

室温下应用Ａｒ＋ 离子源辅助准分子脉冲激光沉积 （０ ０ ２） 取向的 ＹＳＺ过渡层薄膜于ＮｉＣｒ 合金基底上;基底加温至７５０ ℃,用准分子脉冲激光沉积ＹＢＣＯ 高温超导薄膜于ＹＳＺ／ＮｉＣｒ 上,并切割成线材．实验结果表明：ＹＢＣＯ 超导线材不但为ｃ－轴取向的,同时为在ａ－ｂ 平面内织构的,其临界温度Ｔｃ≥９０ Ｋ（Ｒ＝ ０）,临界电流密度Ｊｃ≥１×１０６ Ａ／ｃｍ ２（７７ Ｋ,０ Ｔ）．     

Ag（I）－QARH络合物在胶束溶液中的光度性质

在ｐＨ５．０的ＨＯＡｃ－ＮａＯＡｃ缓冲溶液中，当有０．１０％ＳＬＳ存在时，Ａｇ（Ｉ）与ＱＡＲＨ形成１：１络合物，λ＿（ｍａｘ）为５３５ｎｍ，ε为１．０５×１０￣５Ｌ·ｍｏｌ￣（－１）·ｃｍ￣（－１），Ａｇ（Ｉ）含量在０．００５～１．００μｇ／ｍＬ范围内服从Ｂｅｅｒ定律，稳定常数为１．７８×１０￣（１５）．所提出的方法用于精铜矿中微量银的测定，结果满意     

二相UASB反应器处理碱法草浆黑液

采用二相ＵＡＳＢ反应器处理碱法草浆黑液,酸化相为８．８７Ｌ的普通升流式反应器,甲烷相为２８．７５Ｌ的ＵＡＳＢ反应器,系统温度（３５±１）℃,结果表明;当酸化要进水ＣＯＤ浓度为４．０７９３－９．１９８５ｇ．Ｌ＾－１,ＣＯＤ的负荷平均值为３８．８４ｋｇ．（ｍ＾３．ｄ）－１时,ＣＯＤ的总去除率为７２．７６％;系统对负荷的冲击有较强的耐受能力。     

温度对光子晶体滤波特性影响的研究

在液晶缺陷的光子晶体电调谐滤波器中,温度变化对滤波特性产生影响.用传输矩阵法给出了光子晶体的透过率公式,就温度对透射谱的影响进行了数值计算.结果表明,温度改变时,光子晶体的透射峰高度、透射峰的位置以及带宽都随之变化.通过镀上电阻对温度敏感的薄膜,可消除温度对滤波特性的影响.     

温度对玻璃态胆甾相环硅氧烷液晶中分子分布的影响

研究了温度对玻璃态胆甾相环硅氧烷液晶中分子分布的影响。结果表明:在环硅氧烷液晶玻璃化转变温度附近(或以上)对其进行长期的热处理过程中,高度柔性硅氧烷主链链段的运动为介晶基元的运动提供了充分的自由空间;将玻璃态环硅氧烷液晶加热到清亮点温度以上,该液晶由各向同性流体迅速冷却时,只形成取向有序排列;含有对-烯丙氧基苯甲酸胆固醇酯(手性小分子液晶)的玻璃态环硅氧烷液晶在一定温度下进行辊压取向处理时,形成树枝状分叉的粘性指延结构,常温辐照不会破坏该结构。     

硼酸铝钕晶体中钕离子的电声子耦合S因子

利用黄昆公式和晶格场动力学参数与静晶场参数的关系估算了硼酸铝钕(NAB)激光晶体中钕离子的 S 因子。进一步讨论了 Auzel 关于自激活激光晶体浓度猝灭效应准则的深层含意.     

三维有序光子晶体制备及其光学表征

利用重力自组装方式获得了聚苯乙烯(Polystyrene,PS)微球三维有序结构的光子晶体模板.借助毛细管力作用,将BPS(B2O3-P2O5-SiO2)溶胶填充到PS蛋白石模板,制备出层数可控的PS蛋白石及网状BPS反蛋白石模板.吸收及透射光谱表明,光子带隙位置因PS固化时收缩而表现出较大幅度的蓝移.XRD衍射图表明BPS在烧结过程中,随温度升高,BPO4晶相增加,将影响BPS骨架结构的介电常数.     

硒镓银晶体的生长与品质研究

采用５～６Ｎ的高纯Ａｇ，Ｇａ，Ｓｅ单质按ＡｇＧａＳｅ２的化学配比配料，在１１００℃下合成了单相的ＡｇＧａＳｅ２多晶原料．用改进的布里奇曼法生长出２２ｍｍ×７０ｍｍ的ＡｇＧａＳｅ２单晶体，并对其品质进行了研究．结果表明：生长的晶体完整性好，具有较高的光学质量，用于对１０．６μｍ的ＣＯ２激光倍频，获得了８．２％的能量转换效率     

N维极性晶体中的慢速运动光学极化子

本文用改进了的线性组合算符法讨论Ｎ维极性晶体中的慢速运动光学极化子．在强耦合和中间耦合（含弱耦合）极限下，导出了极化子的基态能量、有效质量以及围绕电子的平均虚声子数．在普适耦合范围内，给出了相应的数值计算结果．     

HMX的晶体缺陷和酸值的关系

该文研究了奥克托今(HMX)的晶体缺陷和酸值(以醋酸计)之间的关系。在实验分析和显微照像基础上,提出在HMX晶体内形成母液包裹体的一种机制,即在晶体生长过程中出现了巨阶梯,进而形成包裹体,当HMX从强酸溶液中迅速成长时该包裹体由硝酸或汽泡充满。     

DD3单晶镍基超合金高温力学性能

采用扫描电镜（ＳＥＭ）研究了单晶镍基高温合金ＤＤ３的高温蠕变性能和低应变速率下的拉伸行为。结果表明，ＤＤ３合金表现出良好的蠕变强度和较高的蠕变寿命；拉伸过程中合金的屈服强度在室温１１０３３Ｋ之间保持不变，当温度大于１０３３Ｋ后，屈服强度显著降低。断口分析表明，这类材料具有独特的断裂方式，断口为混合型，即包括韧性断裂和局部区域的解理断裂特征。     

光响应调控的SiO_2反蛋白石光子晶体

利用牺牲模板法制备了SiO2反蛋白石型光子晶体,用扫描电子显微镜对其表面形貌及其厚度进行了表征;并在其孔隙中填充了具有光响应的有机染料分子螺吡喃衍生物,通过紫外-可见反射光谱监测了光诱导下染料分子构型转变过程中光子晶体光子禁带的变化。结果表明在不同波长的光照下,最大反射波长处的反射率可以进行可逆地控制,并实现了光诱导下对染料分子荧光的调控。