AgI-Ag_2O-B_2O_3三元系非晶银快离子导体中的银沉积

运用电子探针显微分析(EPMA)技术,能有效地研究快离子导体中的金属沉积问题。电子探针是一束聚焦很细的电子束,用以轰击试样,由于探针的电子注入到试样表面,形成负电位,使得快离子试样中的阳离子在电场作用下向电子束注入轰击点迁移、集中,与电子中和后转变为金属原子。当这些析出的原子在传输过程中受到阻碍时,可能在材料表面积累或     

非晶铜快离子导体中的铜沉积研究

借助电子探针显微分析法,研究了非晶铜快离子导体CuI-Cu_2OP_2O_5-PbI_2系中的铜沉积,给出了铜计数率随时间的变化曲线,开始时铜沉积随着时间而增加,然后增加变得缓慢,最后趋于一极限值。实验发现,非晶铜快离子导体中的铜沉积规律与非晶银快离子导体中的银沉积规律相类似。文中同时给出了铜沉积区的显微成分像,X-射线面扫描像。样品中的铜离子可能以两种形式存在,一是与碘离子相结合,另一是以强的部分共价键与[PO_4]基团相结合,仅有前者对电导有贡献。     

非晶NaI-Na_2O-B_2O_3离子导体中钠沉积的AES和功函数研究

借助俄歇电子能谱仪以及功函数跟踪测量系统,研究了非晶快离子导体NaI-Na_2O-B_2O_3系中钠沉积现象,给出了非晶钠快离子导体表面沉积过程中钠的峰-峰高和逸出功随时间变化曲线,同时,进行了理论拟合和金相显微摄影。实验结果表明,非晶钠快离子导体中钠沉积规律符合沉积动力学方程式。     

新非晶态快离子导体15Agl—Ag_4P_2O_7的研究

采用“单辊淬火”技术,在赝二元系AgI—Ag_4P_2O_7他人已报导的玻璃形成区之外,制备成功一种新的非晶态快离子导体15AgI—Ag_4P_2O_7.对于带有混合电极的片状样品,以交流电桥法测定的室温下银离子电导率为1×10~(-2)Ω~(-1)cm(-1).这比同组份晶态材料稍低;室温至200℃范围内的导电激活能为0.24eV.以Wagner直流反对称极化法测得其电子电导率至少比银离子电导率低三个数量级。     

40Li_2O-12P_2O_5-48V_2O_5非晶快离子导体的晶化过程研究

用正电子湮没技术、差热分析和X射线衍射等方法研究了40Li_2O-12P_2O_5-48V_2O_5非晶快离子导体的晶化过程.实验发现,在孕育期正电子平均寿命出现一反常增高,在此之前,正电子寿命是稳定的,在晶化开始后,正电子平均寿命减小并有涨落.这些结果与电子率测量、差热分析曲线相对应.     

俄歇电子能谱仪系统及其对铜快离子导体的表面研究

介绍了一台用于表面分析的饿歇电子能谱仪(AES)系统。用该系统研究了铜快离子导体CuI-Cu_2O-MoO_3-P_2O_5在AES的探针电子诱导下铜沉积的规律;并发现在这种样品表面,部分氧在电子轰击过程中被蒸发而减少,总的二次电子发射电流由于铜沉积在样品表面上面随电子轰击时间迅速改变。     

Fe_2P_2O_7制备锂离子电池正极材料LiFePO_4的碳包覆优化研究

利用Fe_2P_2O_7和碳酸锂为原材料,并通过不同的碳包覆合成LiFePO_4/C复合材料.利用XRD、SEM、碳硫分析仪、恒流充放电法和循环伏安对产物的组成、结构、形貌和电化学性能进行测试,确定含碳量为2.45wt%的LiFePO_4/C复合材料具有更好的电化学性能.实验结果表明,在0.1C倍率下,锂离子电池的放电比容量为130.49 m Ah/g,在1C倍率下,锂离子电池的放电比容量为108.58 m Ah/g.     

钠快离子导体Na_(2.5)Zr_(2-x)Ti_xSi_(1.5)P_(1.5)O_(12.0)系统的研究

钠快离子导体Ｎａ_２．５Ｚｒ_２－ｘＴｉ_ｘＳｉ_１．５Ｐ_１．５Ｏ_１２．０系统ｘ＝０－２．０的化合物，由Ｎａ_３ＰＯ_４－ＺｒＯ_２－ＺｒＰ_２Ｏ_７－ＳｉＯ_２－ＴｉＯ_２为反应的起始原料，在９００℃－１２００℃的高温下反应数小时至二十小时制得。系统化合物的相变关系已探明，并测定了有关的单纯相在不同温度下的导电率以及电导激活能。相当于起始组成为Ｎａ_２．５Ｚｒ_１．０Ｔｉ_１．０Ｓｉ_１．５Ｐ_１．５Ｏ_１２．０的单纯相（标为２．５１相）在３００℃时的导电率σ３００＝１．８５×１０－２（Ω·ｃｍ）－１，其电导激活能为２３．６４ｋＪ／ｍｏｌｅ，相当于起始组成为Ｎａ_２．５Ｔｉ_２．０Ｓｉ_１．５Ｐ_１．５Ｏ_１２．０的单纯相（标为２．５２相）在３００℃时的导电率σ３００＝０．４６×１０－２（Ω·ｃｍ）－１，其电导激活能为２８．８９ｋＪ／ｍｏｌｅ．     

纳米多孔硅基薄膜的常压等离子体化学气相沉积过程研究

采用常压等离子体化学气相沉积(APECVD)的方法制备了带有新颖结构和特殊蓝紫光(400 nm左右)发光特性的硅基薄膜.通过在自行研制的等离子体反应装置中通入按100:1:1的体积比进行配比的SiH<,4>:H<,2>: Ar混合气体进行APECVD,在加负偏压条件下获得了由Si基组成的絮状多孔纳米结构薄膜.通过等离子体发射光谱测定了沉积过程中的电子温度在2.2eV左右,扫描电子显微镜(SEM)观测薄膜表面形貌后肯定了偏压对薄膜纳米结构的形成起着重要的作用.     

激光烧结纳米Al_2O_3微观结构研究

利用电子扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对激光烧结纳米Al2O3粉末块体材料进行了试验分析与研究.结果表明,纳米晶粒的微观结构在烧结过程中不断地发生变化,但激光烧结基本可以抑制纳米晶粒的生长,得到具有纳米尺度的烧结材料.     

Electroless Plating of Thin Silver Films on Porous Al2O3 Substrate and the Study of Deposition Kinetics

A novel concept has been developed to coat the inner pore surfaces of reticulated alumina with a thin silver film by an electroless-plating method. As a result of coating, the porous alumina sample exhibits a sharp transition from insulating to conducting due to a thin silver layer on the inner pore surfaces. Systematic studies have been carried out to investigate the coating kinetics by employment of scanning electron microscope （SEM）, X-ray diffraction （XRD）, and computer simulation. Both coating procedures and effects of processing parameters on the quality of films are reported. Also, this paper presents the film bonding strength to the substrate, effects of sintering, and conduction mechanism of coated composite. The fundamental silver electroless-plating mechanism has been identified based on computer modeling. The simulation results indicate an excellent agreement between the silver deposition behavior and the physical model applied.     

Na_2O-Al_2O_3-B_2O_3-SiO_2系统快离子玻璃的电导和NMR谱

制备了Na_2O含量较高的Na_2O-Al_2O_3-B_2O_3-SiO_2四元系玻璃,测定了它们的电导率及电导率与组分的关系。用NMR和IR谱对该玻璃作了结构基团研究。所制备样品在300℃下的电导率可达10~(-3)Ω~(-1)cm~(-1)以上。当用Al_2O_3代B_2O_3时,样品电导率升高,并对此从结构上作了解释。     

H_2O_2和NaOH溶液作用下珍珠腐蚀和结晶的研究

用扫描电镜（ＳＥＭ）观察了珍珠以及用１０％Ｈ２Ｏ２和１ｍｏｌ／ＬＮａＯＨ溶液腐蚀后珍珠样品的横断面和纵剖面形貌。１０％Ｈ２Ｏ２酸性溶液对珍珠从晶界开始并沿晶界形成腐蚀坑。在碱性溶液中,珍珠由于角质蛋白质的降解而被腐蚀,腐蚀也是沿晶界形成腐蚀坑。珍珠表面存在结晶现象,横断面上生成疏松多孔结构并在该结构上生长宝石花状、叶片状以及颗粒状晶体。纵剖面上没有疏松多孔结构。结果表明,珍珠文石晶片结构和成分不均匀性,以及蛋白质在ＣａＣＯ３形核结晶过程中起着引导作用。     

硫酸蚀刻溶液中InP半导体之薄膜生长

利用X一射线衍射技术研究了InP半导体在H2SO4/H2O蚀刻溶液中之薄膜生长,分析P型InP（100）在酸性蚀刻溶液中表面氧化物的化学组成．实验中．一台12kW的铜旋转阳极x射线源用于保证高敏感度的表面型态分析．利用广角度衍射（WAD）,从一个基体氧化物的晶格组界面检测衍射线来分析蚀刻溶液H2SO4/H2O每个衍射线出现可能引起的反应物表面层反射光束的干涉图案,生成物为具有单晶结构的磷酸铟水合物（InP04-xH20）．观察到一组（nh,nk,n1）的广角度衍射中磷酸铟水舍物（InPO4·xH2O）相的反射峰,并且侦测到在每个反射光束的干扰振荡现象．利用感应电浆耦合离子发射光谱法测定溶液中的铟（In）和磷（P）成分,分析InP在不同浓度的H2S04／1-120溶液中的溶解速率．观察发现,在InP的氧化表面上存在混合成份的氧化物和单一成份生成物．借着ICP仪器分析测试在照光或暗室下,InP在H2SO4/H2O系统的溶解率差异几乎是不可分辨的．藉由X射线结果对比JCPDS卡标准化合物中的数据．可获得酸性溶液蚀刻反应中各种表面氧化物的结构特点和反应现象．