过模高功率太赫兹表面波振荡器优化设计

提出了一种新型过模高功率太赫兹表面波振荡器,其中慢波系统是由一段过模圆柱波导内壁沿圆周方向平行挖去若干个均匀环形槽构成,相邻槽间距固定不变.该结构较之传统的单模结构能有效降低管内电场强度,避免场击穿,提高系统的功率容量.同时,提出了一种基于表面波工作机制的综合选模方案,即通过电动力学结构选模及电子注参数选模相结合,使系统稳定工作于单模表面波状态,从而达到模式选择的目的.该方法能有效解决过模慢波系统内的模式竞争问题.利用2.5维粒子模拟程序UNIPIC对振荡器进行了物理设计和性能优化.得到了一套最优工作参数.在500 kV电子注电压、1.5 kA电子注电流条件下,模拟得到了42 MW的峰值功率输出,振荡频率高于0.14 THz,模式为TM01,信号的时域波形及频谱特性良好.     

555压控变音振荡器的设计

本文在理论分析的基础上，提出了用５５５Ｔｉｍｅｒ电路构成的压控变音振荡器周期计算和电路的设计方法。实验证明，此方法正确，具有实际指导价值。     

低噪声宽复盖压控振荡器的设计

介绍了低噪声宽复盖压控振荡器 VCO的设计思路 ,给出了设计中参数的合理取值范围 ,对 VCO的设计方法进行了阐述 ,并对其相位噪声进行了分析 ,同时结合实际 ,设计了实用的VCO,并给出了 VCO的特性曲线图。     

OTA-C压控振荡器的分析与设计

本详细分析了OTA—C压控振荡器的原理，并设计了一个用于OTA—C滤波器自动调谐系统的OTA—C压控振荡器，该振荡器的频率调谐范围在2MHz到50MHz之间．其中线性部分为4MHz～20MHz，其压控增益为62．89MHz／V。     

高速锁相环的核心部件压控振荡器的设计

提出了高速锁相环的核心部件压控振荡器（VCO）的一种设计方案，该VCO采用环路振荡器结构，主要由3级电流模驱动逻辑（CSL）反相器延迟单元、Cascode偏置电路以及输出缓冲整形电路这3大部分组成。仿真结果表明采用了CSL结构作为延时单元的压控振荡器具有良好的线性度，较宽的线性范围以及高的工作频率。     

基于MOS电容的压控振荡器设计

传统的环形压控振荡器通常是利用控制电阻的方式来达到压控振荡的效果。文章利用容性耦合电流放大器作为压控振荡器的基本反馈单元,并在输出端增加MOS电容来控制振荡频率;分析了利用饱和区的MOS电容特性来实现压控的方法,并采用Smartspice软件和0.6μm CMOS工艺参数对该压控振荡器进行了模拟;结果表明,这种方法对电路的静态工作点影响很小,输出交流波形的频率稳定度高,有良好的线性调谐特性,达到了预期的效果。     

由第二代电流传输器实现的RC正弦振荡器的压控振荡器

提出由单块第二代电流传输器构成的ＲＣ正弦振荡器和压控振荡器。     

高速锁相环的核心部件压控振荡器的设计

提出了高速锁相环的核心部件压控振荡器(VCO)的一种设计方案，该VCO采用环路振荡器结构，主要由3级电流模驱动逻辑（CSL）反相器延迟单元、Cascode偏置电路以及输出缓冲整形电路这3大部分组成。仿真结果表明采用了CSL结构作为延时单元的压控振荡器具有良好的线性度，较宽的线性范围以及高的工作频率。     

压控振荡器型超声电机控制电路设计

超声电机是一种基于压电陶瓷逆压电效应的新型电机。设计了一种超声电机控制电路。该控制电路使用压控振荡器作为信号源,产生频率可变的基准方波信号,占空比为20%,频率范围为80K~400K,频率可由电路反馈回来的电压调节。通过分频分相电路将信号四分频,将基准频率的信号生成四路时间上互差90°的方波信号,频率为20K~100K。该电路使超声电机控制器体积大大减小。     

大功率太赫兹返波管的数值模拟研究

为了提升传统超高频小功率返波管的工作频率和输出功率,提出了一种过模表面波太赫兹返波管的紧凑结构.其中,慢波系统是在一段过模圆柱波导内壁沿圆周方向平行挖去若干个均匀环形槽构成的,相邻槽间距固定不变.该结构较之传统的单模结构能有效地降低管内电场强度、避免场击穿,提高系统在太赫兹频段的功率容量.采用数值模拟的方法对该慢波系统的结构参数进行了筛选,最终选取波导内半径为2 mm、槽深为0.2 mm、槽宽为0.6 mm、单周期长度为1 mm,共采用17个周期.利用2.5维粒子模拟程序对系统进行了热测实验,在电子注电压为550 kV、电子注电流为350 A的条件下,模拟得到了14.4 MW的峰值功率输出,其能量转换效率达到7.5%,振荡频率高于0.14 THz,时域波形及频谱特性良好.     

Terahertz磁波参量振荡器辐射THz波受温度的影响

从THz波增益、吸收系数、折射率几方面,讨论了THz电磁波参量振荡器辐射THz波受温度的影响,从而得到THz波增益随温度的升高而降低主要原因,是由于LiNbO3晶体中A1对称光学软模的拉曼活性降低所导致,这为今后太赫兹(THz)波参量振荡器的优化设计提供了参考价值.     

Terahertz波参量振荡器辐射THz波的理论研究

从固体的元激发理论出发,应用声子的受激散射原理,阐述通过激光抽运LiNbO3晶体产生THz波的参量过程的机理.按照Henry和Garrett的波耦合方法并考虑LiNbO3晶体对THz波的吸收损失,进行推理计算得出THz波参量增益计算式.     

一种压控石英晶体振荡器电路的设计

分析了压控石英晶体振荡器（VCXO）的原理、设计特点,设计了一个集成的VCXO驱动电路,该部分电路主要包括一个频率控制电路和一个自动增益控制电路,可以在芯片外部器件的共同作用下对石英晶体振荡器进行实时频率控制和振幅调整。设计的VCXO能输出高稳定渡、振幅恒定的时钟信号。     

具有最佳功率输出特性的耿氏振荡器设计

振荡器的振荡频率和输出功率是所用器件的等效电路参量的函数。通过对实验振荡器的频率和功率的测量，并应用最小二乘法作曲线拟合，即可提取器件的等效电路参量，从而为设计具有最佳功率输出特性的耿氏振荡器奠定了基础。该设计应用了包含非线性电导的等效电路，因此所设计的振荡器能在给定频率下输出最大功率。一个试验ＭＩＣＧｕｎｎ介质腔振荡器（ＤＲＯ）在Ｘ波段输出功率大于１００ｍＷ，频率稳定度达２．２ｘ１０－６／℃。     

1.8 GHz～2.4 GHz的宽带压控振荡器设计

利用微波晶体管的负阻特性,设计出可调范围为1.77 GHz-2.52 GHz的宽带可调压控振荡器（VCO）.通过引入高频衰减电路,改善了VCO在其频带内输出功率的平坦性,并用Ansoft Designer SV软件仿真了VCO的特性.结果表明,带内输出功率稳定在9.96 dBm-10.08 dBm,相位噪声在1.8 GHz和2.4 GHz分别为-113.3 dBc/Hz/600 kHz、-114.9 dBc/Hz/600 kHz.     

高端口隔离度的太赫兹基波上混频器设计

介绍了一种基于IHP 0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,具有高本振（Local Oscillator, LO）/射频（Radio Frequency, RF）及本振/中频（Intermediate Frequency, IF）端口隔离度的太赫兹基波上混频器.该混频器采用了吉尔伯特双平衡结构,本振信号通过共面波导（Coplanar Waveguide, CPW）传输来抑制其在传输过程中由于强寄生耦合效应造成的传输不对称性,削弱了由该不对称性造成的LO/RF端口隔离度恶化的特性.通过采用非对称性的开关互联结构降低本振信号在开关晶体管集电极端寄生耦合的不平衡性,提升本振信号在开关晶体管集电极端的对消效率,通过在版图中合理布局跨导级晶体管的位置来抑制本振信号在中频端口的泄露.后仿真结果表明：在2.2 V电源电压下,本振信号为230 GHz,中频信号为2 ~ 12 GHz,该上混频器工作在218 ~ 228 GHz时,LO/RF端口隔离度大于24 dB, LO/IF端口隔离度大于20 dB,转换增益为-4 ~ -3.5 dB.当中频信号为10 GHz时,输出1 dB压缩点为-14.8dBm.电路直流功耗为42.4 mW,芯片的核心面积为0.079 mm2.该上混频器可应用于采用高阶正交幅度调制（Quadrature Amplitude Modulation, QAM）方式的无线发射系统.     

一种具有高输出精度及电源电压抑制能力的CMOS环形振荡器的设计

振荡器是许多电子系统的主要部分,相对于晶体振荡器.基于CMOS工艺的环形振荡器具有良好的抗震动及抗电磁干扰性能,在车载系统等震动及电磁干扰条件较为严酷的应用场合表现出优势.本文介绍了一种频率为8 MHz的CMOS环形振荡器的设计,工作电压范围是2.7～5.5 V,工作温度范围是-40～125℃.该振荡器对CMOS环形振荡器的固有缺点进行了针对性的设计,设计中使用的改进的延时单元以及激光校准电路克服了CMOS环形振荡器输出频率片间偏差较大的缺点;使用内部电压源以及电源电压无关的电流源,克服了其易受电源电压影响的弱点.该CMOS振荡器使用HSPICE软件仿真工具设计,并采用UMC 0.6μm工艺制作,测试验证结果表明,电源电压从2.7 V变化到5.5V,振荡器输出频率最大变化范围为士4%.